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  • 本發(fā)明涉及一種用于機(jī)動(dòng)車輛的軸向磁通機(jī)(10)，包括定子(12)、可相對(duì)于定子(12)繞機(jī)器旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)的第一轉(zhuǎn)子(14)和可相對(duì)于定子(12)繞機(jī)器旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)的第二轉(zhuǎn)子(16)，其中，定子(12)在軸向磁通機(jī)(10)的軸向方向上布置在轉(zhuǎn)...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種顯示面板及其制備方法、終端設(shè)備，該顯示面板包括依次設(shè)置的集成電路基板、發(fā)光器件層、第二電極，發(fā)光器件層包括間隔設(shè)置的發(fā)光區(qū)、絕緣阻隔區(qū)，發(fā)光器件層包括設(shè)置于發(fā)光區(qū)的發(fā)光器件、設(shè)置于在絕緣阻隔區(qū)的絕緣層，絕緣層圍繞發(fā)光器...
  • 一種顯示基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。顯示基板包括至少一個(gè)像素島，像素島包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，第一表面包括設(shè)置在基底上的電路結(jié)構(gòu)層以及設(shè)置在電路結(jié)構(gòu)層遠(yuǎn)離基底一側(cè)的上電極，上電極設(shè)置為與發(fā)光器件連接，電路結(jié)構(gòu)層設(shè)置為控制...
  • 本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種加壓裝置、發(fā)光芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備及方法；該加壓裝置包括：圓柱壓頭上設(shè)置有光照通孔，光照通孔沿圓柱壓頭的軸向延伸，圓柱壓頭具有施壓端面，施壓端面與軸向垂直；轉(zhuǎn)筒螺紋配合于圓柱壓頭的外周；透明壓板固定于圓柱壓頭的施壓...
  • 公開了發(fā)光基板及其制備方法、顯示裝置，用以提高發(fā)光基板的發(fā)光效率。本公開實(shí)施例提供的一種發(fā)光基板，發(fā)光基板包括：驅(qū)動(dòng)背板；多個(gè)發(fā)光單元，位于驅(qū)動(dòng)背板的一側(cè)；封裝層，覆蓋發(fā)光單元的側(cè)面以及發(fā)光單元背離驅(qū)動(dòng)背板一側(cè)的部分表面；封裝層包括至少一層...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N顯示面板，該顯示面板包括襯底；第一子像素以及第二子像素，第一子像素以及第二子像素均設(shè)置在襯底上；第一子像素包括層疊設(shè)置的第一布拉格反射層、第一藍(lán)色發(fā)光層、透射層以及第二布拉格反射層；第二子像素包括層疊設(shè)置的第三布拉格反射層、第...
  • 本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池及其制備方法，所述太陽(yáng)能電池包括N型硅片，N型硅片的正面具有金屬化區(qū)域和非金屬化區(qū)域，金屬化區(qū)域依次設(shè)置有第一隧穿氧化層、微晶硅層、第二隧穿氧化層、正面摻雜多晶硅層、正面鈍化減反膜以及正面金屬電極，其中，微晶硅層的導(dǎo)...
  • 本發(fā)明提供了一種光伏電池和光伏電池制備網(wǎng)版圖形。該光伏電池包括：光伏基板；多個(gè)副柵，多個(gè)該副柵間隔地橫向布置于該光伏基板；多個(gè)主柵，多個(gè)該主柵間隔地縱向布置于該光伏基板；多個(gè)焊盤，每個(gè)該焊盤對(duì)應(yīng)一個(gè)該主柵，該主柵連接于該焊盤，且該主柵穿過該...
  • 本發(fā)明公開一種降低高度的改良的影像模塊包括有一鏡頭組件、一影像感測(cè)芯片、一承載基底、以及一電路基板。電路基板形成一貫穿口。承載基底包含一基底本體、兩個(gè)延伸板體及一承載鋼板。基底本體形成貫通的一階梯槽，兩個(gè)延伸板體由基底本體的上部橫向向外延伸...
  • 本申請(qǐng)屬于光器件技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種單光子雪崩二極管陣列、接收傳感器及激光雷達(dá)，至少兩個(gè)SPAD單元呈陣列設(shè)置，微透鏡將入射光匯聚至對(duì)應(yīng)的SPAD單元上，背面金屬網(wǎng)格連接SPAD單元與對(duì)應(yīng)的外部電極，第一介質(zhì)層設(shè)置于微透鏡與SPAD單元之間...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N薄膜晶體管及其制備方法、顯示面板、顯示裝置，薄膜晶體管包括層疊且通過層間絕緣層絕緣設(shè)置的有源結(jié)構(gòu)和柵極，有源結(jié)構(gòu)包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)，源區(qū)和漏區(qū)位于溝道區(qū)的兩側(cè)，在層間絕緣層厚度方向上，柵極的投影與溝道區(qū)的投影交疊設(shè)置；其...
  • 一種陣列基板及顯示裝置。所述陣列基板包括襯底、晶體管、數(shù)據(jù)線以及第一電極；至少一個(gè)晶體管包括有源層和柵極，有源層包括溝道區(qū)、第一區(qū)和第二區(qū)，溝道區(qū)與柵極在襯底的正投影交疊；陣列基板還包括柵絕緣層，柵絕緣層位于有源層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)，且柵絕緣層...
  • 本發(fā)明公開一種顯示面板，其包括一基板以及一子像素。子像素設(shè)置在基板上。子像素包括一晶體管，且晶體管包括一柵極、一半導(dǎo)體層、一源極、一漏極以及一偽電極。柵極設(shè)置在基板上。半導(dǎo)體層設(shè)置在柵極上。源極和漏極設(shè)置在半導(dǎo)體層上，其中源極設(shè)置在半導(dǎo)體層...
  • 本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種薄膜晶體管及顯示面板、顯示裝置，該薄膜晶體管包括：設(shè)置在襯底上的有源層，有源層包括層疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、第一阻擋層及第二半導(dǎo)體層，第一半導(dǎo)體層位于第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)，第一半導(dǎo)體層的遷移率小于第二...
  • 本公開提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置的襯底、緩沖層、第一溝道層、刻蝕掩膜層、第一勢(shì)壘層、第二溝道層以及第二勢(shì)壘層；其中，刻蝕掩膜層為多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)，相鄰兩個(gè)條狀結(jié)構(gòu)之間為條狀凹槽，條狀凹槽的延伸方向?yàn)榈谝环较颍瑮l...
  • 本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、以及檢測(cè)方法，形成方法包括：去除偽柵結(jié)構(gòu)的偽柵層后，利用金屬硅化物工藝進(jìn)行偽柵殘留標(biāo)定操作，用于將硅材料轉(zhuǎn)化為金屬硅化物材料。本發(fā)明實(shí)施例通過利用金屬硅化物工藝進(jìn)行偽柵殘留標(biāo)定操作，即將硅材料轉(zhuǎn)化...
  • 本發(fā)明提供了一種使用片上全光交換網(wǎng)絡(luò)模塊實(shí)現(xiàn)互連的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。所述半導(dǎo)體裝置包括：電路板，其具有多條電連接路徑；片上全光交換網(wǎng)絡(luò)模塊，其設(shè)置在電路板上，所述片上全光交換網(wǎng)絡(luò)模塊包括光子芯片和設(shè)置在光子芯片上方的多個(gè)收發(fā)用模擬電芯...
  • 本發(fā)明提出一種電源轉(zhuǎn)換器的控制器。所述控制器耦接至功率輸出級(jí)，并提供控制信號(hào)至功率輸出級(jí)以產(chǎn)生輸出電壓。所述控制器包括模數(shù)轉(zhuǎn)換電路、查找電路、補(bǔ)償電路和脈沖寬度調(diào)變電路。模數(shù)轉(zhuǎn)換電路耦接至功率輸出級(jí)，用以經(jīng)由與輸出電壓相關(guān)的反饋電壓以及參考...
  • 本發(fā)明涉及一種鎳鈷鋁酸鋰材料的制備方法，其包括：將三元前驅(qū)體與第一鋰源混合并進(jìn)行第一燒結(jié)，制備得到第一鋰化產(chǎn)物；對(duì)所述第一鋰化產(chǎn)物進(jìn)行包覆后，與第二鋰源混合并進(jìn)行第二燒結(jié)，制備得到所述鎳鈷鋁酸鋰材料。通過應(yīng)用該制備方法，有助于改善鎳鈷鋁酸鋰...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種功率放大器、射頻模組和電子設(shè)備。功率放大器包括信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端和并聯(lián)連接的多個(gè)管芯；管芯包括沿第一方向延伸的電極指條，電極指條包括柵極指條、源極指條和漏極指條；在第二方向上，信號(hào)輸入端和信號(hào)輸出端分別位于多個(gè)管芯...
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