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  • 提供了一種能夠在抑制生產(chǎn)率下降的同時(shí)實(shí)現(xiàn)水平模式的穩(wěn)定的表面發(fā)射激光器。根據(jù)本技術(shù)的表面發(fā)射激光器包括:第一結(jié)構(gòu),包括基板;以及第二基板,設(shè)置在第一結(jié)構(gòu)的頂上。第二結(jié)構(gòu)包括:第一反射器、第二反射器、布置在第一反射器與第二反射器之間的有源層、...
  • 公開(kāi)了用于支持LTM的方法和裝置。在一個(gè)實(shí)施例中,一種UE包括:收發(fā)器;以及耦合到收發(fā)器的處理器,其中處理器被配置為:經(jīng)由收發(fā)器接收用于CSI報(bào)告的配置,其中,為CSI報(bào)告配置的用于信道測(cè)量的參考資源中的至少一個(gè)與候選小區(qū)配置相關(guān)聯(lián);并且經(jīng)...
  • 本發(fā)明涉及一種用于——尤其是借助于執(zhí)行成型、灌裝和封閉方法——由塑料材料制造容器制品(26)的設(shè)備,該設(shè)備包括成型裝置,借助于擠壓頭(20)能將已塑化的塑料材料的成型軟管供應(yīng)給該成型裝置并且該成型裝置具有復(fù)現(xiàn)可預(yù)定的容器幾何形狀的、可運(yùn)動(dòng)的...
  • 一種數(shù)據(jù)處理方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及程序產(chǎn)品,適用于網(wǎng)絡(luò)安全技術(shù)領(lǐng)域,用以構(gòu)建更加全面的入侵檢測(cè)樣本集。其中,方法包括:通過(guò)攻擊待檢測(cè)設(shè)備,獲得第一類(lèi)型攻擊樣本,通過(guò)對(duì)第一類(lèi)型攻擊樣本施加噪聲,獲得第二類(lèi)型攻擊樣本,根據(jù)第一類(lèi)型攻擊樣本和第二...
  • 本公開(kāi)提供了電池系統(tǒng)、車(chē)輛、電池系統(tǒng)的管理方法和裝置,屬于電池技術(shù)領(lǐng)域。電池系統(tǒng)包括殼體(1)、電芯組(2)、可控施力件(3)和調(diào)節(jié)件(4),電芯組(2)位于殼體(1)的內(nèi)部,可控施力件(3)位于殼體(1)和電芯組(2)的端部之間,且向電芯...
  • 一種中置電機(jī)包括驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、傳動(dòng)機(jī)構(gòu)和輸出機(jī)構(gòu),傳動(dòng)機(jī)構(gòu)包括太陽(yáng)輪、行星齒輪結(jié)構(gòu)、齒圈結(jié)構(gòu),太陽(yáng)輪與驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)傳動(dòng)連接,太陽(yáng)輪與行星齒輪結(jié)構(gòu)嚙合,行星齒輪結(jié)構(gòu)與至少部分齒圈結(jié)構(gòu)嚙合;輸出機(jī)構(gòu)包括第一傳動(dòng)件,第一傳動(dòng)件設(shè)于傳動(dòng)機(jī)構(gòu)上,第一傳動(dòng)件以...
  • 本公開(kāi)內(nèi)容的各個(gè)方面通常涉及無(wú)線(xiàn)通信。在一些方面中,無(wú)線(xiàn)通信設(shè)備(WCD)可以在時(shí)間段期間,經(jīng)由第一無(wú)線(xiàn)連接與第一音頻設(shè)備進(jìn)行通信以及經(jīng)由第二無(wú)線(xiàn)連接與第二音頻設(shè)備進(jìn)行通信,與第一音頻設(shè)備的周期性通信具有固定的第一開(kāi)始時(shí)間和在長(zhǎng)度上可變的第...
  • 產(chǎn)品系統(tǒng)模型文件生成系統(tǒng)的具體實(shí)施可包括一個(gè)或多個(gè)硬件處理器和使用計(jì)算設(shè)備生成的第一界面,用于從用戶(hù)接收對(duì)包括至少一個(gè)開(kāi)關(guān)的產(chǎn)品的產(chǎn)品SPICE模型的選擇;使用第二界面來(lái)從用戶(hù)接收對(duì)至少部分軟切換過(guò)程條件的選擇;使用第三界面來(lái)從用戶(hù)接收對(duì)一...
  • 一種壓力交換器包括轉(zhuǎn)子,該轉(zhuǎn)子構(gòu)造成在處于第一壓力下的第一流體與處于第二壓力下的第二流體之間交換壓力。轉(zhuǎn)子形成從第一遠(yuǎn)端到第二遠(yuǎn)端的管道。壓力交換器還包括第一端蓋,其形成高壓輸入(HPIN)端口,高壓輸入端口構(gòu)造成以第一壓力將第一流體沿基本...
  • 本發(fā)明提供一種含有南瓜籽多肽的中藥組合物及其制備方法,該組合物以重量份數(shù)計(jì),制成組合物的原料包括:靈芝提取物5?35份、沙棘提取物5~35份、梔子苷1~15份、羅布麻提取物5?15份,南瓜籽多肽粉2?15份;其中,分子量為4000Da?10...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N電池的充電方法及裝置,應(yīng)用于電池技術(shù)領(lǐng)域,以解決電池充電速度慢,充電時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題。該方法包括:獲取起始充電時(shí)刻電池的溫度和電池的起始荷電狀態(tài)SOC;根據(jù)起始充電時(shí)刻電池的溫度和起始SOC從預(yù)配置的多套充電map中確定目標(biāo)充電m...
  • 本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及用于通信的方法、設(shè)備、裝置和計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。在一些實(shí)施例中,可以生成第一安全幀,所述第一安全幀待根據(jù)基于塊的時(shí)間結(jié)構(gòu)或基于超塊的時(shí)間結(jié)構(gòu)在屬于第一塊的第一輪中的時(shí)隙中被發(fā)送,其中,所述基于塊的時(shí)間結(jié)構(gòu)或所述基于超...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N正極活性材料、其制備方法、以及包含其的電池和用電裝置,所述正極活性材料包括核部以及在所述核部的至少一部分表面上形成的第一區(qū)域,所述第一區(qū)域包括V元素,且所述第一區(qū)域中的所述V元素的質(zhì)量濃度記為W1,所述核...
  • 本發(fā)明涉及一種用于操作通用數(shù)據(jù)傳送系統(tǒng)的方法,該通用數(shù)據(jù)傳送系統(tǒng)是專(zhuān)門(mén)為車(chē)輛架構(gòu)設(shè)計(jì)的,因?yàn)檫@些車(chē)輛架構(gòu)中普遍存在特定限制。所提出的方法或數(shù)據(jù)傳送系統(tǒng)被設(shè)計(jì)為以特別硬件高效的方式傳送數(shù)據(jù)。這種硬件效率反應(yīng)在如下事實(shí)中:例如,僅需要一個(gè)物理數(shù)...
  • 用于管理嵌入式訂戶(hù)身份模塊(eSIM)網(wǎng)絡(luò)中的呼入呼叫的服務(wù)器被配置為從移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商(MNO)接收電子設(shè)備中的多個(gè)eSIM簡(jiǎn)檔中的第一eSIM簡(jiǎn)檔的第一MSISDN號(hào)碼,以獲得與第一eSIM簡(jiǎn)檔相關(guān)聯(lián)的操作狀態(tài)。服務(wù)器還被配置為響應(yīng)于接收...
  • 本公開(kāi)的特征是用于治療例如由駐留在宿主細(xì)胞(例如,哺乳動(dòng)物細(xì)胞,例如免疫細(xì)胞,例如巨噬細(xì)胞或樹(shù)突細(xì)胞)內(nèi)的分枝桿菌細(xì)胞引起的放線(xiàn)菌綱(例如,棒狀桿菌目)感染的組合物和方法。所述組合物和方法包括遞送裂解酶的混合物以特異性地靶向細(xì)胞內(nèi)區(qū)室(內(nèi)體...
  • 本發(fā)明涉及用于對(duì)有角度的被測(cè)設(shè)備進(jìn)行空中傳輸(OTA)測(cè)試的測(cè)試布置,其中測(cè)試布置包括載體結(jié)構(gòu)。所述測(cè)試布置包括被測(cè)設(shè)備的插座,所述被測(cè)設(shè)備的插座與載體結(jié)構(gòu)耦合,其中所述被測(cè)設(shè)備的插座被配置為與有角度的被測(cè)設(shè)備的內(nèi)表面或與布置在有角度的被測(cè)...
  • 一種節(jié)能分析物檢測(cè)系統(tǒng)(10),包括:分析物檢測(cè)裝置(102),以及用于將分析物檢測(cè)裝置(102)安裝在用戶(hù)皮膚表面的輔助安裝器(101);分析物檢測(cè)裝置(102)至少包括發(fā)射器(1023)和傳感器(1022),其中發(fā)射器(1023)包括電...
  • 本發(fā)明提供一種能夠提高同步機(jī)的永磁體的磁體磁通的推算精度同步機(jī)控制裝置、壓縮系統(tǒng)和制冷循環(huán)裝置。同步機(jī)控制裝置(1)與用于驅(qū)動(dòng)同步機(jī)(10)的驅(qū)動(dòng)電路(2)和檢測(cè)流過(guò)同步機(jī)(10)的電流并輸出表示該電流的檢測(cè)電流的檢測(cè)電路(3)連接。同步機(jī)...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N負(fù)極集流體、二次電池和用電裝置。該負(fù)極集流體包括金屬基材和設(shè)置在金屬基材至少一個(gè)表面的導(dǎo)電層,負(fù)極集流體的維氏硬度為400Mpa?900Mpa,導(dǎo)電層的厚度為0.5μm~6μm,可選為0.5μm~5μm。在盡可能控制導(dǎo)電層厚...
技術(shù)分類(lèi)
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