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  • 本說明書實施例公開了圖像超分辨率重建模型的訓練方法、系統(tǒng)及存儲介質(zhì)，屬于圖像處理技術(shù)領(lǐng)域，可以在同等計算能力的設備上實現(xiàn)圖像超分辨率重建模型的計算資源消耗突破，以及改善算法設備實現(xiàn)成本。所述方法包括：將原始圖像的圖像塊作為訓練樣本，分別輸入...
  • 本發(fā)明提供了基于AI的巡檢圖片清晰度的訓練方法和裝置，將運維機房設備的巡檢圖片作為第一樣本數(shù)據(jù)集；將第一樣本數(shù)據(jù)集按照預設比例劃分為第一訓練數(shù)據(jù)集和第一測試數(shù)據(jù)集；利用生成對抗網(wǎng)絡模型的原理，通過第一訓練數(shù)據(jù)集對生成器和判別器進行對抗訓練，...
  • 本申請實施例提供了一種圖像畸變矯正方法及裝置，涉及圖像處理技術(shù)領(lǐng)域，該方法具體為：對待矯正圖像的至少一個像素行進行劃分，獲取多個原始像素塊；基于最大偏移距離對所述多個原始像素塊四周進行像素填充，獲取多個初始像素塊；所述最大偏移距離為對測試圖...
  • 本公開涉及圖像處理方法、裝置及存儲介質(zhì)，其中方法包括：確定待處理圖像的待繪制圓角的目標圓角信息；根據(jù)所述目標圓角信息，確定目標蒙版圖和所述待處理圖像中的目標區(qū)域圖像，所述目標蒙版圖包括所述待繪制圓角的像素變化信息，所述目標區(qū)域圖像為所述待處...
  • 本發(fā)明涉及固態(tài)硬盤測試技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種測試效率高且測試成本低的基于Linux的固態(tài)硬盤量產(chǎn)掉電測試方法，包括以下步驟：S1、將多個待測SSD對應插入電源控制板的相應通道；S2、測試主機對SSD供電并識別和讀取SSD信息；S3、采用異...
  • 本發(fā)明公開了一種動力電池包溫控裝置，包括設置有多個動力電池包插槽的電池倉以及覆蓋于插槽一側(cè)的換熱板，所述換熱板通過多根導柱與電池倉滑動連接，所述導柱的兩端分別與活動架和換熱板固定連接，且導柱上套設有推動活動架復位的彈簧；所述電池倉上設置有壓...
  • 本發(fā)明公開一種基于共享電壓調(diào)整功率的馬達驅(qū)動器。本發(fā)明的馬達驅(qū)動器包含共享電壓差值計算電路、占空比決定電路、信號生成器電路、控制電路、驅(qū)動電路以及輸出級電路。共享電壓差值計算電路計算輸出級電路接收到的共享電壓與臨界值之間的差值。占空比決定電...
  • 本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管及其制作方法，其中，所述薄膜晶體管包括：襯底，位于所述襯底上的源漏功能層，以及位于所述源漏功能層上的溝道層；其中，所述源漏功能層包括源極、漏極以及用于隔離所述源極和所述漏極的介質(zhì)層；所述介質(zhì)層包括依次連接的第一部分...
  • 一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：基底；溝道結(jié)構(gòu)層，位于所述基底頂部，所述溝道結(jié)構(gòu)層包括一個或多個在縱向上間隔設置的二維材料溝道層；器件柵極結(jié)構(gòu)，位于所述基底上且橫跨所述溝道結(jié)構(gòu)層，所述器件柵極結(jié)構(gòu)環(huán)繞覆蓋所述二維材料溝道層；源漏接觸層...
  • 本發(fā)明提供一種嵌入式源漏選擇性外延層的制備方法，在執(zhí)行嵌入式外延工藝步驟一的外延沉積的同時進行刻蝕，基于源漏區(qū)的外延沉積速率遠大于在源漏區(qū)之外，且此時同時進行的刻蝕過程可有效地抑制源漏區(qū)之外的區(qū)域外延沉積的顆粒半徑超過臨界形核半徑，從而外延...
  • 一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，半導體結(jié)構(gòu)包括具有PMOS區(qū)和NMOS區(qū)的襯底，襯底上形成有分立的鰭部；柵極結(jié)構(gòu)，位于襯底上且橫跨鰭部，柵極結(jié)構(gòu)覆蓋鰭部的部分頂部和部分側(cè)壁；第一隔離結(jié)構(gòu)，位于PMOS區(qū)中待隔離的相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的鰭部中；第二隔...
  • 本發(fā)明提供了一種納米硅材料致密化成膜的方法、擴散型異質(zhì)結(jié)、其制備方法與應用，本發(fā)明利用硅源，尤其是液態(tài)硅烷作為致密劑，使其與納米硅材料混合為漿料，使用該漿料形成前驅(qū)膜層，在進行加熱處理后，可實現(xiàn)膜層致密化；利用所述方法使摻雜納米硅材料，尤其...
  • 本發(fā)明提供了一種納米硅材料致密化成膜的方法、突變型異質(zhì)結(jié)、其制備方法與應用，本發(fā)明將納米硅材料制備成分散液墨水，將其形成的膜利用氣態(tài)硅烷進行致密化而得到納米硅材料的致密化膜層；利用所述方法使摻雜納米硅材料，尤其是摻雜硅納米線，在摻雜類型相反...
  • 本申請實施例提供一種顯示模組、顯示模組的制作方法及電子設備，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。在顯示模組中，通過在相鄰的發(fā)光器件之間設置隔離部，可以將相鄰發(fā)光器件所發(fā)的光隔離開，阻止光串擾現(xiàn)象的發(fā)生，以達到更好的顯示效果。
  • 本申請公開了微型發(fā)光二極管及顯示裝置，涉及半導體顯示技術(shù)領(lǐng)域。微型發(fā)光二極管包括外延結(jié)構(gòu)以及絕緣層，外延結(jié)構(gòu)包括第一半導體層、第二半導體層以及夾置于第一半導體層與第二半導體層之間的發(fā)光層；其中，第一半導體層一體形成有向第一半導體層背離發(fā)光層...
  • 熔點至少為65℃的酰肼在熱固化聚氨酯組合物中用作為熱固化的固化劑，所述組合物包含由至少一種多異氰酸酯和至少一種多元醇獲得的具有異氰酸酯端基的預聚物，以及至少一種環(huán)氧樹脂。通過所述組合獲得熱固化聚氨酯組合物，其具有改進的儲存穩(wěn)定性并且可以在寬...
  • 本申請實施例提供一種基站組件及電器組合，基站組件包括基站及承重框架，基站具有用于容納并承載清潔機器人的容納腔，容納腔的一側(cè)具有開口，開口用于供清潔機器人進出容納腔；承重框架限定出安裝空間，基站位于所述承重框架內(nèi)。本申請實施例提供的基站組件，...
  • 本發(fā)明公開一種二氧化碳捕集利用方法及其裝置和應用，以從含二氧化碳的高溫氣體中捕集CO2并將其原位轉(zhuǎn)化為合成氣。含二氧化碳氣自吸附反應器進口進入吸附反應器，并經(jīng)過吸附反應器的催化劑床層后，含二氧化碳氣中的二氧化碳被催化劑...
  • 本發(fā)明公開一種POE組合物及其制備方法，該POE組合物包括以下質(zhì)量份的組分：石墨烯0.5?4份、改性凹凸棒土10?15份、有機硅油(改性凹凸棒土和石墨烯兩者總質(zhì)量的2?5％)、殼聚糖8?12份、聚磷酸銨5?10份、納米氫氧化鎂5?10份、偶...
  • 本發(fā)明公開了可交聯(lián)聚乙烯共混物及其制備方法和應用。其中，可交聯(lián)聚乙烯共混物包括：80?120重量份的聚乙烯基本樹脂、2?15重量份的極性材料、0.1?5重量份的過氧化物交聯(lián)劑、0.1?1重量份的抗氧劑和0.5?2重量份的除味劑；除味劑包括錳...
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