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  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種圖像畸變矯正方法及裝置，涉及圖像處理技術(shù)領(lǐng)域，該方法具體為：對(duì)待矯正圖像的至少一個(gè)像素行進(jìn)行劃分，獲取多個(gè)原始像素塊；基于最大偏移距離對(duì)所述多個(gè)原始像素塊四周進(jìn)行像素填充，獲取多個(gè)初始像素塊；所述最大偏移距離為對(duì)測(cè)試圖...
  • 本公開涉及圖像處理方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)，其中方法包括：確定待處理圖像的待繪制圓角的目標(biāo)圓角信息；根據(jù)所述目標(biāo)圓角信息，確定目標(biāo)蒙版圖和所述待處理圖像中的目標(biāo)區(qū)域圖像，所述目標(biāo)蒙版圖包括所述待繪制圓角的像素變化信息，所述目標(biāo)區(qū)域圖像為所述待處...
  • 本發(fā)明涉及固態(tài)硬盤測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種測(cè)試效率高且測(cè)試成本低的基于Linux的固態(tài)硬盤量產(chǎn)掉電測(cè)試方法，包括以下步驟：S1、將多個(gè)待測(cè)SSD對(duì)應(yīng)插入電源控制板的相應(yīng)通道；S2、測(cè)試主機(jī)對(duì)SSD供電并識(shí)別和讀取SSD信息；S3、采用異...
  • 本發(fā)明公開了一種動(dòng)力電池包溫控裝置，包括設(shè)置有多個(gè)動(dòng)力電池包插槽的電池倉(cāng)以及覆蓋于插槽一側(cè)的換熱板，所述換熱板通過多根導(dǎo)柱與電池倉(cāng)滑動(dòng)連接，所述導(dǎo)柱的兩端分別與活動(dòng)架和換熱板固定連接，且導(dǎo)柱上套設(shè)有推動(dòng)活動(dòng)架復(fù)位的彈簧；所述電池倉(cāng)上設(shè)置有壓...
  • 本發(fā)明公開一種基于共享電壓調(diào)整功率的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。本發(fā)明的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器包含共享電壓差值計(jì)算電路、占空比決定電路、信號(hào)生成器電路、控制電路、驅(qū)動(dòng)電路以及輸出級(jí)電路。共享電壓差值計(jì)算電路計(jì)算輸出級(jí)電路接收到的共享電壓與臨界值之間的差值。占空比決定電...
  • 本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管及其制作方法，其中，所述薄膜晶體管包括：襯底，位于所述襯底上的源漏功能層，以及位于所述源漏功能層上的溝道層；其中，所述源漏功能層包括源極、漏極以及用于隔離所述源極和所述漏極的介質(zhì)層；所述介質(zhì)層包括依次連接的第一部分...
  • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：基底；溝道結(jié)構(gòu)層，位于所述基底頂部，所述溝道結(jié)構(gòu)層包括一個(gè)或多個(gè)在縱向上間隔設(shè)置的二維材料溝道層；器件柵極結(jié)構(gòu)，位于所述基底上且橫跨所述溝道結(jié)構(gòu)層，所述器件柵極結(jié)構(gòu)環(huán)繞覆蓋所述二維材料溝道層；源漏接觸層...
  • 本發(fā)明提供一種嵌入式源漏選擇性外延層的制備方法，在執(zhí)行嵌入式外延工藝步驟一的外延沉積的同時(shí)進(jìn)行刻蝕，基于源漏區(qū)的外延沉積速率遠(yuǎn)大于在源漏區(qū)之外，且此時(shí)同時(shí)進(jìn)行的刻蝕過程可有效地抑制源漏區(qū)之外的區(qū)域外延沉積的顆粒半徑超過臨界形核半徑，從而外延...
  • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括具有PMOS區(qū)和NMOS區(qū)的襯底，襯底上形成有分立的鰭部；柵極結(jié)構(gòu)，位于襯底上且橫跨鰭部，柵極結(jié)構(gòu)覆蓋鰭部的部分頂部和部分側(cè)壁；第一隔離結(jié)構(gòu)，位于PMOS區(qū)中待隔離的相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的鰭部中；第二隔...
  • 本發(fā)明提供了一種納米硅材料致密化成膜的方法、擴(kuò)散型異質(zhì)結(jié)、其制備方法與應(yīng)用，本發(fā)明利用硅源，尤其是液態(tài)硅烷作為致密劑，使其與納米硅材料混合為漿料，使用該漿料形成前驅(qū)膜層，在進(jìn)行加熱處理后，可實(shí)現(xiàn)膜層致密化；利用所述方法使摻雜納米硅材料，尤其...
  • 本發(fā)明提供了一種納米硅材料致密化成膜的方法、突變型異質(zhì)結(jié)、其制備方法與應(yīng)用，本發(fā)明將納米硅材料制備成分散液墨水，將其形成的膜利用氣態(tài)硅烷進(jìn)行致密化而得到納米硅材料的致密化膜層；利用所述方法使摻雜納米硅材料，尤其是摻雜硅納米線，在摻雜類型相反...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種顯示模組、顯示模組的制作方法及電子設(shè)備，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。在顯示模組中，通過在相鄰的發(fā)光器件之間設(shè)置隔離部，可以將相鄰發(fā)光器件所發(fā)的光隔離開，阻止光串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生，以達(dá)到更好的顯示效果。
  • 本申請(qǐng)公開了微型發(fā)光二極管及顯示裝置，涉及半導(dǎo)體顯示技術(shù)領(lǐng)域。微型發(fā)光二極管包括外延結(jié)構(gòu)以及絕緣層，外延結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層以及夾置于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的發(fā)光層；其中，第一半導(dǎo)體層一體形成有向第一半導(dǎo)體層背離發(fā)光層...
  • 熔點(diǎn)至少為65℃的酰肼在熱固化聚氨酯組合物中用作為熱固化的固化劑，所述組合物包含由至少一種多異氰酸酯和至少一種多元醇獲得的具有異氰酸酯端基的預(yù)聚物，以及至少一種環(huán)氧樹脂。通過所述組合獲得熱固化聚氨酯組合物，其具有改進(jìn)的儲(chǔ)存穩(wěn)定性并且可以在寬...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種基站組件及電器組合，基站組件包括基站及承重框架，基站具有用于容納并承載清潔機(jī)器人的容納腔，容納腔的一側(cè)具有開口，開口用于供清潔機(jī)器人進(jìn)出容納腔；承重框架限定出安裝空間，基站位于所述承重框架內(nèi)。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的基站組件，...
  • 本發(fā)明公開一種二氧化碳捕集利用方法及其裝置和應(yīng)用，以從含二氧化碳的高溫氣體中捕集CO2并將其原位轉(zhuǎn)化為合成氣。含二氧化碳?xì)庾晕椒磻?yīng)器進(jìn)口進(jìn)入吸附反應(yīng)器，并經(jīng)過吸附反應(yīng)器的催化劑床層后，含二氧化碳?xì)庵械亩趸急淮呋瘎?..
  • 本發(fā)明公開一種POE組合物及其制備方法，該P(yáng)OE組合物包括以下質(zhì)量份的組分：石墨烯0.5?4份、改性凹凸棒土10?15份、有機(jī)硅油(改性凹凸棒土和石墨烯兩者總質(zhì)量的2?5％)、殼聚糖8?12份、聚磷酸銨5?10份、納米氫氧化鎂5?10份、偶...
  • 本發(fā)明公開了可交聯(lián)聚乙烯共混物及其制備方法和應(yīng)用。其中，可交聯(lián)聚乙烯共混物包括：80?120重量份的聚乙烯基本樹脂、2?15重量份的極性材料、0.1?5重量份的過氧化物交聯(lián)劑、0.1?1重量份的抗氧劑和0.5?2重量份的除味劑；除味劑包括錳...
  • 本發(fā)明公開了一種高存儲(chǔ)型EPE膠膜、其制備方法及光伏組件，所述高存儲(chǔ)型EPE膠膜包括：沿厚度方向依次疊置的第一EVA層、POE層和第二EVA層；所述第一EVA層包括原料及其重量份數(shù)如下：EVA粒子70～75份，硅烷增粘劑接枝EVA造粒料20...
  • 本發(fā)明屬于空降空投領(lǐng)域，尤其是一種空降空投降落傘智能操縱系統(tǒng)，針對(duì)現(xiàn)有的不便于對(duì)空降的準(zhǔn)確性進(jìn)行把控問題，現(xiàn)提出如下方案，其包括存儲(chǔ)模塊、關(guān)聯(lián)模塊、差異度計(jì)算模塊、分析模塊、判斷模塊、報(bào)警監(jiān)測(cè)模塊、備用開傘模塊、投放定位模塊、環(huán)境分析模塊、...
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