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  • 本申請(qǐng)公開了一種負(fù)極活性材料及其制備方法、負(fù)極極片、電池和用電裝置，所述負(fù)極活性材料包括負(fù)極活性物質(zhì)和包覆在所述負(fù)極活性物質(zhì)至少部分表面的包覆層，所述包覆層包括如下結(jié)構(gòu)式的化合物： 2025-05-19
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N補(bǔ)鈉正極活性材料及其制備方法、正極極片、鈉離子電池及用電設(shè)備，涉及鈉離子電池領(lǐng)域。補(bǔ)鈉正極活性材料包括正極活性材料以及包覆于正極活性材料的表面的包覆層，正極活性材料包括層狀氧化物、聚陰離子型化合物及普魯士藍(lán)類化合物中的一種或幾...
  • 本發(fā)明公開了一種用于鈉電池的復(fù)合負(fù)極及其制備方法,復(fù)合負(fù)極包括：鈉片，在鈉片的表面原位形成的氟化鈉層，以及含氟高分子聚合物薄膜；氟化鈉層是通過將表面貼合有含氟高分子聚合物薄膜的鈉片在有機(jī)溶劑的催化下反應(yīng)形成；有機(jī)溶劑包括酯類和/或醚類；將復(fù)...
  • 本發(fā)明涉及電池技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種石墨烯基硅負(fù)極極片及其制備方法和應(yīng)用，以及一種鋰離子電池。所述石墨烯基硅負(fù)極極片包括多孔石墨烯堆疊形成的片層結(jié)構(gòu)和位于石墨烯片層之間的納米硅顆粒。本發(fā)明提供的石墨烯基硅負(fù)極極片具有優(yōu)異的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，電阻低，...
  • 本申請(qǐng)涉及一種正極極片及其制備方法、二次電池和用電裝置，屬于二次電池技術(shù)領(lǐng)域。本申請(qǐng)的正極極片包括依次層疊設(shè)置的第一正極活性材料層、正極集流體和第二正極活性材料層，第一正極活性材料層包含放電平臺(tái)電壓大于或等于3.6V的第一正極活性材料，第二...
  • 本申請(qǐng)涉及負(fù)極極片及其制造方法、包括其的二次電池和用電裝置。其中所述負(fù)極極片包括負(fù)極集流體、設(shè)置在所述負(fù)極集流體的表面上的導(dǎo)電涂層以及設(shè)置在所述導(dǎo)電涂層的表面上的包括多孔顆粒的涂層。通過設(shè)置包括多孔顆粒的涂層，提供了更多的形核位點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了負(fù)...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N極片、電極組件、電池單體、電池及用電裝置，屬于電池技術(shù)領(lǐng)域。極片包括集流體和活性物質(zhì)層，活性物質(zhì)層設(shè)于集流體的表面并且包括沿預(yù)設(shè)方向順序排列的N個(gè)分區(qū)，其中，N≥2，并且，相鄰分區(qū)的電化學(xué)性能不同。
  • 本申請(qǐng)公開了一種負(fù)極極片及其制備方法、電池和用電裝置，負(fù)極極片包括式Ⅰ所示的聚合物：
  • 本申請(qǐng)涉及一種負(fù)極極片、二次電池和用電裝置，屬于二次電池技術(shù)領(lǐng)域。本申請(qǐng)?zhí)峁┑呢?fù)極極片包括負(fù)極集流體和設(shè)置在負(fù)極集流體的至少一個(gè)表面的負(fù)極活性材料層，負(fù)極活性材料層包含具有片層結(jié)構(gòu)的石墨，且至少部分相鄰的石墨片層之間嵌有陰離子，該負(fù)極極片有...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N正極極片及其制備方法、二次電池和用電裝置。正極極片的制備方法包括如下步驟，在集流體的待裁切區(qū)域涂覆導(dǎo)電底涂漿料，形成復(fù)合集流體；在復(fù)合集流體涂覆活性材料漿料，形成第一極片；在第一極片的待裁切區(qū)域進(jìn)行裁切，得到第二極片，第二極片...
  • 本發(fā)明公開了一種金屬大馬士革一體化刻蝕方法及芯片，應(yīng)用于芯片制備技術(shù)領(lǐng)域，在基于等離子體刻蝕硬掩膜時(shí)，使用高于標(biāo)準(zhǔn)源射頻功率的目標(biāo)源射頻功率，以及使用低于標(biāo)準(zhǔn)偏置射頻功率的目標(biāo)偏置射頻功率對(duì)硬掩膜進(jìn)行刻蝕，以使刻蝕硬掩膜所形成的刻蝕槽的側(cè)壁...
  • 本發(fā)明提供一種晶圓位置矯正裝置及方法，該矯正裝置包括：承載臺(tái)、圖像采集單元、處理單元及機(jī)械控制單元，其中，承載臺(tái)用于承載晶圓盒，晶圓盒用于盛放晶圓；圖像采集單元與晶圓間隔預(yù)設(shè)距離，用于采集晶圓狀態(tài)圖像；處理單元中邊緣識(shí)別模型識(shí)別采集晶圓的邊...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N硼注入系統(tǒng)及方法，涉及核電技術(shù)領(lǐng)域，其中，所述系統(tǒng)包括：能動(dòng)注入單元，包括第一硼酸箱和泵，所述第一硼酸箱的出口連接所述泵的入口，所述泵的出口通過第一管路連接堆芯；非能動(dòng)注入單元，包括第二硼酸箱、高壓儲(chǔ)氣罐和第一控制閥，所述第二...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N數(shù)據(jù)模型生成方法、裝置、電子設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，該方法包括：根據(jù)針對(duì)目標(biāo)醫(yī)療業(yè)務(wù)域下的目標(biāo)醫(yī)療活動(dòng)輸入的字段設(shè)置操作，確定目標(biāo)醫(yī)療活動(dòng)的多個(gè)業(yè)務(wù)字段以及目標(biāo)醫(yī)療活動(dòng)對(duì)應(yīng)的醫(yī)療業(yè)務(wù)系統(tǒng)，根據(jù)醫(yī)療業(yè)務(wù)系統(tǒng)，獲取多個(gè)業(yè)務(wù)字段的字...
  • 本申請(qǐng)公開了一種遠(yuǎn)程控制方法及裝置、遠(yuǎn)程控制系統(tǒng)。其中，該方法包括：獲取操作信息，其中，操作信息，包括：根據(jù)第一目標(biāo)對(duì)象對(duì)控制設(shè)備的操作生成的第一類操作信息，以及根據(jù)第一目標(biāo)對(duì)象在軟鍵盤上的操作生成的第二類操作信息，軟鍵盤顯示在終端設(shè)備中，...
  • 本發(fā)明公開了存儲(chǔ)介質(zhì)、微波閃速熱解工藝優(yōu)化方法、裝置和設(shè)備，其中所述方法包括生物油產(chǎn)量預(yù)測(cè)模型的生成步驟：獲取包括有生物質(zhì)微波閃速熱解設(shè)備多個(gè)參數(shù)項(xiàng)的歷史數(shù)據(jù)；參數(shù)項(xiàng)包括原料數(shù)據(jù)類參數(shù)項(xiàng)、工藝數(shù)據(jù)類參數(shù)項(xiàng)和生物油產(chǎn)量類參數(shù)項(xiàng)；根據(jù)歷史數(shù)據(jù)的...
  • 本公開提供的細(xì)胞功能區(qū)域的劃分方法及裝置、電子設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域，主要技術(shù)方案包括：通過對(duì)待處理細(xì)胞數(shù)據(jù)進(jìn)行降維預(yù)處理，得到目標(biāo)細(xì)胞數(shù)據(jù)，目標(biāo)細(xì)胞數(shù)據(jù)包含細(xì)胞表達(dá)譜數(shù)據(jù)及位置信息；確定目標(biāo)細(xì)胞數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的參考聚類數(shù)；基于參考...
  • 本公開實(shí)施例涉及半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，特別涉及一種刷新防護(hù)電路及存儲(chǔ)器，刷新防護(hù)電路包括：采樣電路基于激活地址采樣獲取統(tǒng)計(jì)地址；地址處理電路判斷多個(gè)地址寄存器中存儲(chǔ)的地址是否包括統(tǒng)計(jì)地址，若包括統(tǒng)計(jì)地址，則存儲(chǔ)統(tǒng)計(jì)地址的地址寄存器對(duì)應(yīng)的地址計(jì)...
  • 本公開提供一種立體聲合成方法、模型構(gòu)建方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。音頻處理模型包括聲音事件定位與分類網(wǎng)絡(luò)和聲源分離網(wǎng)絡(luò)。立體聲合成方法包括：獲取待處理的音頻流；將所述待處理的音頻流輸入音頻處理模型中，以由所述聲音事件定位與分類網(wǎng)絡(luò)對(duì)所述音頻...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種數(shù)據(jù)處理方法及裝置，涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：獲取目標(biāo)媒體文件，所述目標(biāo)媒體文件包括音頻內(nèi)容和字幕，所述音頻內(nèi)容包括目標(biāo)語音；對(duì)所述目標(biāo)語音進(jìn)行語音識(shí)別，以獲取第一文本；根據(jù)所述字幕獲取所述目標(biāo)語音對(duì)應(yīng)第二文本...
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