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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明涉及催化劑領(lǐng)域及高分子材料回收利用領(lǐng)域,公開了一種復合分子篩催化劑及其制備方法以及在廢塑料直接催化裂解制低碳烯烴反應(yīng)中的應(yīng)用。該復合分子篩催化劑包括SSZ?13分子篩、類球形超大孔介孔分子篩和金屬氧化物,類球形超大孔介孔分子篩的比表面...
  • 本發(fā)明公開了一種紡織品水溶液中纖維微塑料的顯微鏡測定方法,涉及環(huán)境污染物檢測技術(shù)領(lǐng)域,包括:采集水樣;配制尼羅紅染色液;將配制好的尼羅紅染色液加入水樣對其進行熒光染色;用放置了玻璃纖維濾膜的微量玻璃抽濾裝置對熒光染色后水樣進行過濾;用丙酮溶...
  • 本申請?zhí)峁┮环N控制方法及裝置,控制方法包括:根據(jù)可移動平臺移動作業(yè)的路徑信息生成初始作業(yè)軌跡;獲取所述可移動平臺移動作業(yè)的過程中多個作業(yè)模塊的作業(yè)狀態(tài)信息;將多個所述作業(yè)模塊的所述作業(yè)狀態(tài)信息疊加于所述初始作業(yè)軌跡,用以對多個所述作業(yè)模塊在...
  • 本發(fā)明公開了一種程序調(diào)試的方法和裝置,涉及軟件測試技術(shù)領(lǐng)域。該方法的一具體實施方式包括:響應(yīng)于接收到程序的本地調(diào)試請求,從預先錄制的數(shù)據(jù)文件中獲取所述程序?qū)?yīng)的線上錄制數(shù)據(jù);通過對所述線上錄制數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)回放處理來運行所述程序,以便進行所述程...
  • 本申請屬于智能家電技術(shù)領(lǐng)域,提供一種參數(shù)校驗方法、裝置、設(shè)備和計算機存儲介質(zhì)。獲取家用電器的標準參數(shù)表及標準參數(shù)表轉(zhuǎn)化得到的初版標準代碼,隨后,獲取功能優(yōu)化信息并根據(jù)所述功能優(yōu)化信息修改電腦板中的初版標準代碼,得到優(yōu)化標準代碼;控制所述家用...
  • 一種生產(chǎn)流程歸類方法及系統(tǒng)、存儲介質(zhì)及終端,其中方法包括:獲取若干生產(chǎn)流程的流程文本數(shù)據(jù),每個生產(chǎn)流程包括若干生產(chǎn)步驟,流程文本數(shù)據(jù)包括每個生產(chǎn)步驟的步驟文本數(shù)據(jù);建立空間向量模型,空間向量模型包括n維度的特征參數(shù),每個維度的特征參數(shù)由數(shù)字...
  • 本發(fā)明涉及天然氣余壓發(fā)電領(lǐng)域,公開了一種天然氣余壓發(fā)電基準線排放計算方法、存儲介質(zhì)及計算裝置。本發(fā)明公開的天然氣余壓發(fā)電基準線排放計算方法,包括:確定基準線排放量的計算時間段,所述計算時間段內(nèi)包括多個時間單元;根據(jù)各時間單元確定時間相關(guān)因子...
  • 本申請公開了一種二氧化碳埋存的安全性確定方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì),屬于油氣田開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。針對目標區(qū)域的二氧化碳埋存,本申請在建立地質(zhì)模型和數(shù)值模擬模型的基礎(chǔ)上,還會對影響二氧化碳泄漏量的參數(shù)進行敏感性分析,即本申請會確定各項參數(shù)對二氧化...
  • 本發(fā)明公開了一種基于非局部先驗和局部先驗的深度圖像超分辨重建方法。本方法主要包括下述步驟:首先對高分辨率訓練圖像集進行分塊處理,并對每個圖像塊根據(jù)歐式距離尋找其M個相似塊組成相似塊,用相似塊組通過EM算法進行學習的高斯混合模型,從而提取訓練...
  • 本發(fā)明提供一種海底節(jié)點圖像處理的方法、系統(tǒng)、設(shè)備和存儲介質(zhì),方法包括:將原始海底節(jié)點圖像中上下行波成像道集分別逐道進行一維雙樹復小波域帶通濾波處理;將經(jīng)過一維雙樹復小波域帶通濾波處理的上下行波成像道集分別進行二維雙樹復小波變換;對經(jīng)過二維雙...
  • 本發(fā)明屬于數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域,提供一種圖像去霧方法、裝置、設(shè)備和存儲介質(zhì),該方法包括:獲取第一樣本圖像和第二樣本圖像;第一樣本圖像為對第三樣本圖像進行數(shù)據(jù)分級后得到的,第三樣本圖像為無標簽的帶霧圖像;第二樣本圖像為帶標簽的帶霧圖像;根據(jù)第二樣...
  • 本申請公開了一種地圖房間輪廓優(yōu)化方法,包括:獲取目標房間的初始房間輪廓;將所述初始房間輪廓分為初始門輪廓以及初始墻體輪廓;對所述初始門輪廓進行第一拉直優(yōu)化,以獲得修正門輪廓;對所述初始墻體輪廓進行第二拉直優(yōu)化,以獲得修正墻體輪廓;根據(jù)所述修...
  • 本發(fā)明公開一種電機、壓縮機和制冷設(shè)備,其中,電機包括定子沖片和轉(zhuǎn)子沖片,所述轉(zhuǎn)子沖片轉(zhuǎn)動設(shè)于所定子沖片的內(nèi)側(cè),所述定子沖片的外環(huán)面設(shè)有朝外凸出的n個接觸凸部,所述轉(zhuǎn)子沖片設(shè)有2P個磁鐵槽,所述磁鐵槽用以供永磁體安裝,所述n與所述P的關(guān)系為:...
  • 本公開涉及一種半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲器及電子設(shè)備,半導體結(jié)構(gòu)包括襯底,疊層結(jié)構(gòu)以及柵極結(jié)構(gòu);疊層結(jié)構(gòu)位于襯底上,包括由下至上依次疊置的第一端結(jié)構(gòu)、溝道層及第二端結(jié)構(gòu);第一端結(jié)構(gòu)包括第一端外延層及第一端阻擋層,第一端外延層位于溝道層與襯...
  • 本發(fā)明涉及一種半導體裝置的形成方法。所述形成方法中,在半導體結(jié)構(gòu)的表面形成用于與硅反應(yīng)的金屬層后,在所述金屬層覆蓋含硅導電區(qū)的部分內(nèi)摻雜硅,之后使所述金屬層與所述含硅導電區(qū)中的硅以及所述金屬層內(nèi)摻雜的硅反應(yīng),在所述含硅導電區(qū)的表面區(qū)域形成自...
  • 本申請?zhí)峁┮环N芯片及其設(shè)計方法、電子設(shè)備、電路版圖數(shù)據(jù)庫,涉及半導體領(lǐng)域,可以縮短第一垂直晶體管的第二極和第二垂直晶體管的柵極的電連接路徑。該芯片包括位于襯底上的標準單元,該標準單元包括:并排排布的第一垂直晶體管和第二垂直晶體管、間隔層、設(shè)...
  • 本發(fā)明提出一種影像感測模塊,包含影像感測晶片、支撐件、透光層以及遮蔽層。影像感測晶片包含影像感測區(qū)。支撐件設(shè)置于影像感測晶片的上表面且環(huán)繞影像感測區(qū)。透光層設(shè)置于支撐件的上表面,透光層的下表面朝向影像感測晶片,且包含透光區(qū)與環(huán)繞該透光區(qū)的遮...
  • 本發(fā)明公開了一種顯示設(shè)備、制備方法及控制方法,涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。顯示設(shè)備包括:第一基板,被配置為驅(qū)動發(fā)光芯片發(fā)光并提供第一電位;發(fā)光芯片,設(shè)置于第一基板一側(cè),包括第一發(fā)光芯片、第二發(fā)光芯片、第三發(fā)光芯片,第一發(fā)光芯片、第二發(fā)光芯片和第三發(fā)光...
  • 獲取床(BD)上的受檢者(S)的心率的心率獲取裝置(30)具備:心跳波形獲取部(31),基于設(shè)于所述床的載荷檢測器(11、12、13、14)的輸出來獲取心跳波形,其中,所述心跳波形表示與所述受檢者的心跳相應(yīng)的載荷值的時間性變動;心跳周期推定...
  • 本發(fā)明涉及一種含尖晶石型非貴金屬氧化物的蜂窩催化劑、制備方法及其應(yīng)用。本發(fā)明的蜂窩催化劑避免或緩解了催化劑成分的團聚,從而提高所述蜂窩催化劑的催化活性。另外,本發(fā)明的蜂窩催化劑具有優(yōu)異的抗硫性能和抗壓強度。而且,本發(fā)明的蜂窩催化劑不存在涂覆...
技術(shù)分類
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