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  • 本申請涉及一種電容結構及其制備方法，電容結構的制備方法包括：提供襯底，襯底上形成有第一擴散阻擋層；控制工藝腔室的溫度為第一溫度；在第一溫度的工藝條件下，于第一擴散阻擋層上形成第一極板層；于第一極板層上依次形成應力緩沖層與第二擴散阻擋層；在第...
  • 本發明提供了一種免示教自動焊接方法及系統。該系統包括控制中心、焊接執行機構、焊機、3D傳感器、免示教控制系統。其中，控制中心對外連接焊接執行機構、3D傳感器，獲取其狀態和觀測數據；焊機為獨立電源，為焊槍供電，并由焊接執行機構控制焊槍位姿以完...
  • 本發明涉及電纜收納技術領域，且公開了一種用于船舶配件的電纜收納裝置及其使用方法，包括底座，底座頂端固定安裝有電機底座，電機底座呈倒U型，且凹陷處固定安裝有第一電機，第一電機輸出端連接有縱向移動結構，縱向移動結構正面連接有收卷結構，且頂端連接...
  • 本發明提供一種洗滌設備及其控制方法、電子設備及可讀存儲介質。控制方法包括：在洗滌設備進入脫水程序后，并且在開始脫水前，控制所述洗滌設備進入脫水偏心預檢階段，所述脫水偏心預檢階段為所述洗滌設備以預設轉速運行至少一個轉停比的時間；在所述脫水偏心...
  • 本公開實施例涉及智能用例執行優先級評估機制。本文提供了用于測試選擇系統的方法、系統和非瞬態處理器可讀存儲介質。一種示例方法包括由測試選擇系統從軟件測試生命周期系統中的多個回歸測試用例中選擇回歸測試用例。測試選擇系統基于與回歸測試用例相關聯的...
  • 本發明提供了一種測試數據處理方法、裝置及電子設備，基于預設查詢語句和預設配置信息，從服務平臺獲取目標需求的需求信息；對獲取的全部需求信息進行分析統計，得到多個維度的統計信息；基于預設配置信息、獲取的全部需求信息以及多個維度的統計信息，生成包...
  • 本申請實施例提供一種確定傷情等級的方法、裝置、計算機設備及存儲介質，其中，確定傷情等級的方法包括：獲取傷員的生命體征數據和傷情信息；所述傷情信息用于描述所述傷員的傷情；基于所述生命體征數據和所述傷情信息，生成傷情文本；利用預訓練的檢傷分類模...
  • 本發明涉及一種鍵合結構及其制備方法、發光組件及其制作方法。該鍵合結構制備方法包括：提供一生長襯底；其中，所述生長襯底上外延生長有預設厚度的犧牲層；對所述犧牲層進行圖案化處理，以使所述生長襯底的部分表面露出；于所述生長襯底露出的表面和所述犧牲...
  • 本申請提供一種顯示背板、背板制作方法及顯示設備。該顯示背板包括：基板；多顆IC，多顆所述IC間隔排列在所述基板上，每一所述IC的引腳背向所述基板；顯示層，所述顯示層設于所述IC上，所述顯示層包括多顆LED，至少一顆所述LED與一顆所述IC通...
  • 本公開涉及一種表面硒摻雜的高鎳三元材料及其制備方法和應用，所述表面硒摻雜的高鎳三元材料包含化學式為LiNixCoyMnzO2?pSep
  • 本發明公開了一種半導體裝置及其制造方法，該半導體裝置包括一基底，具有一第一表面和一第二表面；一閘極接墊和一源極接墊，彼此側向分離，均設置于基底的第一表面之上；一汲極區，設置于基底的第二表面；一第一溝槽，設置于基底中，位于閘極接墊的正下方；一...
  • 本發明公開了一種溝槽結構的制造方法，該溝槽結構的制造方法包括提供一待處理的半導體基底，該半導體基底包括半導體襯底以及間隔形成于半導體襯底的表面的上方的柵極結構，相鄰柵極結構之間的半導體襯底中形成有溝槽結構，通入六氟化硫等離子體對溝槽結構進行...
  • 本發明涉及一種半導體結構及其制造方法、電子設備。半導體結構的制造方法包括：提供襯底；于襯底上形成第一垂直晶體管；于第一垂直晶體管上沉積一層或多層層間絕緣介質材料層，對一層或多層層間絕緣介質材料層進行等離子體處理，以形成一層或多層層間絕緣介質...
  • 本發明公開一種薄膜晶體管基板及包括其的電子裝置，其中該薄膜晶體管基板包括：基板、設置在基板上的第一金屬層、設置在第一金屬層上的第二金屬層、設置在基板與第一金屬層之間的半導體、以及設置于第一金屬層與第二金屬層之間第一絕緣層。第一金屬層包括柵極...
  • 本申請提供一種光電探測器及其制備方法。該光電探測器包括：第一光波導，其設置于襯底的表面，沿第一方向延伸；第一摻雜區，其具有第一摻雜類型，在第二方向上位于該第一光波導的一側；以及第二摻雜區，其具有不同于該第一摻雜類型的第二摻雜類型，在該第二方...
  • 本發明公開了一種AlGaN基深紫外發光二極管注入結構及應用。本發明提供的注入結構為周期性結構，每個周期結構包括如下組成：Al組分占比漸變的p?AlmGa1?mN層；每個周期結構中，Al組分占比m沿...
  • 本發明公開了一種發光器件的制備方法及發光器件，發光器件的制備方法包括：提供襯底；于襯底的正面形成第一掩膜層，并圖形化處理第一掩膜層，以在第一掩膜層中形成多個正面掩膜開口；基于圖形化處理后的第一掩膜層，在襯底的正面生長半導體外延層，并在生長半...
  • 本發明公開了一種發光器件的制備方法及發光器件，發光器件的制備方法包括：提供襯底，襯底包括相對的正面和背面；圖形化處理襯底的正面，形成凸起部和凹槽；在凸起部和/或凹槽生長半導體外延層，并在生長半導體外延層過程中摻雜第一元素，以形成多個第一發光...
  • 本申請提供一種顯示裝置，包括驅動基板、第一發光單元、第二發光單元和第三發光單元。第一發光單元鍵合在驅動基板的一側且包括第一陽極、第一發光層、第一陰極和連接第一陽極的第一接觸孔，第二發光單元鍵合在第一發光單元背離驅動基板的一側且包括第二陽極、...
  • 本發明涉及催化劑領域及高分子材料回收利用領域，公開了一種復合分子篩催化劑及其制備方法以及在廢塑料直接催化裂解制低碳烯烴反應中的應用。該復合分子篩催化劑包括SSZ?13分子篩、類球形超大孔介孔分子篩和金屬氧化物，類球形超大孔介孔分子篩的比表面...
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