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  • 本發(fā)明公開(kāi)一種基于共享電壓調(diào)整功率的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。本發(fā)明的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器包含共享電壓差值計(jì)算電路、占空比決定電路、信號(hào)生成器電路、控制電路、驅(qū)動(dòng)電路以及輸出級(jí)電路。共享電壓差值計(jì)算電路計(jì)算輸出級(jí)電路接收到的共享電壓與臨界值之間的差值。占空比決定電...
  • 本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管及其制作方法，其中，所述薄膜晶體管包括：襯底，位于所述襯底上的源漏功能層，以及位于所述源漏功能層上的溝道層；其中，所述源漏功能層包括源極、漏極以及用于隔離所述源極和所述漏極的介質(zhì)層；所述介質(zhì)層包括依次連接的第一部分...
  • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：基底；溝道結(jié)構(gòu)層，位于所述基底頂部，所述溝道結(jié)構(gòu)層包括一個(gè)或多個(gè)在縱向上間隔設(shè)置的二維材料溝道層；器件柵極結(jié)構(gòu)，位于所述基底上且橫跨所述溝道結(jié)構(gòu)層，所述器件柵極結(jié)構(gòu)環(huán)繞覆蓋所述二維材料溝道層；源漏接觸層...
  • 本發(fā)明提供一種嵌入式源漏選擇性外延層的制備方法，在執(zhí)行嵌入式外延工藝步驟一的外延沉積的同時(shí)進(jìn)行刻蝕，基于源漏區(qū)的外延沉積速率遠(yuǎn)大于在源漏區(qū)之外，且此時(shí)同時(shí)進(jìn)行的刻蝕過(guò)程可有效地抑制源漏區(qū)之外的區(qū)域外延沉積的顆粒半徑超過(guò)臨界形核半徑，從而外延...
  • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括具有PMOS區(qū)和NMOS區(qū)的襯底，襯底上形成有分立的鰭部；柵極結(jié)構(gòu)，位于襯底上且橫跨鰭部，柵極結(jié)構(gòu)覆蓋鰭部的部分頂部和部分側(cè)壁；第一隔離結(jié)構(gòu)，位于PMOS區(qū)中待隔離的相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的鰭部中；第二隔...
  • 本發(fā)明提供了一種納米硅材料致密化成膜的方法、擴(kuò)散型異質(zhì)結(jié)、其制備方法與應(yīng)用，本發(fā)明利用硅源，尤其是液態(tài)硅烷作為致密劑，使其與納米硅材料混合為漿料，使用該漿料形成前驅(qū)膜層，在進(jìn)行加熱處理后，可實(shí)現(xiàn)膜層致密化；利用所述方法使摻雜納米硅材料，尤其...
  • 本發(fā)明提供了一種納米硅材料致密化成膜的方法、突變型異質(zhì)結(jié)、其制備方法與應(yīng)用，本發(fā)明將納米硅材料制備成分散液墨水，將其形成的膜利用氣態(tài)硅烷進(jìn)行致密化而得到納米硅材料的致密化膜層；利用所述方法使摻雜納米硅材料，尤其是摻雜硅納米線(xiàn)，在摻雜類(lèi)型相反...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種顯示模組、顯示模組的制作方法及電子設(shè)備，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。在顯示模組中，通過(guò)在相鄰的發(fā)光器件之間設(shè)置隔離部，可以將相鄰發(fā)光器件所發(fā)的光隔離開(kāi)，阻止光串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生，以達(dá)到更好的顯示效果。
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了微型發(fā)光二極管及顯示裝置，涉及半導(dǎo)體顯示技術(shù)領(lǐng)域。微型發(fā)光二極管包括外延結(jié)構(gòu)以及絕緣層，外延結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層以及夾置于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的發(fā)光層；其中，第一半導(dǎo)體層一體形成有向第一半導(dǎo)體層背離發(fā)光層...
  • 熔點(diǎn)至少為65℃的酰肼在熱固化聚氨酯組合物中用作為熱固化的固化劑，所述組合物包含由至少一種多異氰酸酯和至少一種多元醇獲得的具有異氰酸酯端基的預(yù)聚物，以及至少一種環(huán)氧樹(shù)脂。通過(guò)所述組合獲得熱固化聚氨酯組合物，其具有改進(jìn)的儲(chǔ)存穩(wěn)定性并且可以在寬...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種基站組件及電器組合，基站組件包括基站及承重框架，基站具有用于容納并承載清潔機(jī)器人的容納腔，容納腔的一側(cè)具有開(kāi)口，開(kāi)口用于供清潔機(jī)器人進(jìn)出容納腔；承重框架限定出安裝空間，基站位于所述承重框架內(nèi)。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的基站組件，...
  • 本發(fā)明公開(kāi)一種二氧化碳捕集利用方法及其裝置和應(yīng)用，以從含二氧化碳的高溫氣體中捕集CO2并將其原位轉(zhuǎn)化為合成氣。含二氧化碳?xì)庾晕椒磻?yīng)器進(jìn)口進(jìn)入吸附反應(yīng)器，并經(jīng)過(guò)吸附反應(yīng)器的催化劑床層后，含二氧化碳?xì)庵械亩趸急淮呋瘎?..
  • 本發(fā)明公開(kāi)一種POE組合物及其制備方法，該P(yáng)OE組合物包括以下質(zhì)量份的組分：石墨烯0.5?4份、改性凹凸棒土10?15份、有機(jī)硅油(改性凹凸棒土和石墨烯兩者總質(zhì)量的2?5％)、殼聚糖8?12份、聚磷酸銨5?10份、納米氫氧化鎂5?10份、偶...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了可交聯(lián)聚乙烯共混物及其制備方法和應(yīng)用。其中，可交聯(lián)聚乙烯共混物包括：80?120重量份的聚乙烯基本樹(shù)脂、2?15重量份的極性材料、0.1?5重量份的過(guò)氧化物交聯(lián)劑、0.1?1重量份的抗氧劑和0.5?2重量份的除味劑；除味劑包括錳...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種高存儲(chǔ)型EPE膠膜、其制備方法及光伏組件，所述高存儲(chǔ)型EPE膠膜包括：沿厚度方向依次疊置的第一EVA層、POE層和第二EVA層；所述第一EVA層包括原料及其重量份數(shù)如下：EVA粒子70～75份，硅烷增粘劑接枝EVA造粒料20...
  • 本發(fā)明屬于空降空投領(lǐng)域，尤其是一種空降空投降落傘智能操縱系統(tǒng)，針對(duì)現(xiàn)有的不便于對(duì)空降的準(zhǔn)確性進(jìn)行把控問(wèn)題，現(xiàn)提出如下方案，其包括存儲(chǔ)模塊、關(guān)聯(lián)模塊、差異度計(jì)算模塊、分析模塊、判斷模塊、報(bào)警監(jiān)測(cè)模塊、備用開(kāi)傘模塊、投放定位模塊、環(huán)境分析模塊、...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N影像軟件的測(cè)試方法、裝置及電子設(shè)備。影像軟件的測(cè)試方法包括：檢測(cè)用戶(hù)輸入的操作指令，響應(yīng)于操作指令，運(yùn)行測(cè)試腳本，并顯示第一影像數(shù)據(jù)，運(yùn)行一級(jí)功能模塊處理第一影像數(shù)據(jù)，根據(jù)一級(jí)功能模塊對(duì)第一影像數(shù)據(jù)的第一處理結(jié)果，對(duì)二級(jí)功能模...
  • 本申請(qǐng)涉及可穿戴設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，提供一種可穿戴設(shè)備的測(cè)試方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，方法包括：獲取測(cè)試用例，測(cè)試用例包括一個(gè)或多個(gè)測(cè)試場(chǎng)景；根據(jù)測(cè)試場(chǎng)景，控制終端設(shè)備向可穿戴設(shè)備發(fā)送操作指令，以使可穿戴設(shè)備根據(jù)操作指令執(zhí)行測(cè)試場(chǎng)景；獲取...
  • 本公開(kāi)是關(guān)于一種知識(shí)問(wèn)答方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)。知識(shí)問(wèn)答方法包括：獲取用戶(hù)輸入的原始知識(shí)文本以及問(wèn)答數(shù)據(jù)。對(duì)所述原始知識(shí)文本中的內(nèi)容摘要進(jìn)行提取處理，得到第一文本片段；對(duì)所述第一文本片段進(jìn)行特征提取，得到特征向量，所述特征向量中包括關(guān)鍵字特征...
  • 本發(fā)明公開(kāi)一種車(chē)輛的語(yǔ)音交互方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，方法包括：將接收到的用戶(hù)語(yǔ)音數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為用戶(hù)查詢(xún)文本，從用戶(hù)查詢(xún)文本中提取查詢(xún)關(guān)鍵信息并發(fā)送至內(nèi)容提供商；獲取內(nèi)容提供商反饋的對(duì)應(yīng)于查詢(xún)關(guān)鍵信息的信源內(nèi)容，并從信源內(nèi)容中提取回復(fù)關(guān)鍵信息；獲...
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