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  • 本申請?zhí)峁┮环N通信方法和通信裝置，其涉及定位技術領域。在該方法中，核心網(wǎng)設備獲取至少一個位置信息，該至少一個位置信息來自于不同的裝置，每個位置信息用于標識同一個反射面在空間地圖中的位置，核心網(wǎng)設備從該至少一個位置信息中確定置信度最高或者置信...
  • 本申請?zhí)峁┮环N通信方法及裝置，用于解決IDLE態(tài)或者INACTIVE態(tài)的REDCAP UE如何進行尋呼的問題。所述方法包括：發(fā)送第一信息，第一信息指示第一類終端設備支持在不包含完整的CORESET#0的第一初始下行帶寬部分上監(jiān)聽尋呼消息和/...
  • 本申請公開了一種被用于無線通信的通信節(jié)點中的方法和裝置。通信節(jié)點發(fā)送第一消息，所述第一消息指示更新第一區(qū)域的下行鏈路覆蓋；監(jiān)測第一無線信號，所述第一無線信號為了所述第一區(qū)域的所述下行鏈路覆蓋；所述第一消息的發(fā)送依賴所述第一節(jié)點的位置屬于所述...
  • 一種通信方法及裝置，方法包括：發(fā)送端獲取第一DMRS序列和第一序列，其中，第一序列是對第一DMRS序列進行復制或頻域相位偏移或時域循環(huán)移位得到。發(fā)送端傳輸?shù)谝恍畔ⅲ谝恍畔ǖ谝籇MRS序列和第一序列，其中，第一信息占用M個符號，第一DM...
  • 本申請公開了一種被用于參考信號傳輸?shù)墓?jié)點中的方法和裝置。第一節(jié)點接收第一參考信號和第二參考信號，所述第一參考信號的生成依賴第一小區(qū)標識，所述第二參考信號的生成依賴第二小區(qū)標識；所述第一小區(qū)標識和所述第二小區(qū)標識不同；所述第一參考信號和所述第...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N通信方法和通信裝置，該方法可應用于通信領域，該方法包括：向網(wǎng)絡裝置發(fā)送第一指示信息，第一指示信息用于指示終端裝置具備擴展射頻信道映射數(shù)據(jù)的能力；接收網(wǎng)絡裝置發(fā)送的第一數(shù)據(jù)信息，第一數(shù)據(jù)信息包括以下內(nèi)容至少一項：第一射頻信道映...
  • 一種通信方法、通信設備、存儲介質(zhì)以及程序產(chǎn)品。在該通信方法中，終端設備基于用于接收同步信號廣播信道塊(SSB)的第一接收配置接收SSB。該SSB攜帶SSB關聯(lián)的信息。該SSB是SSB突發(fā)中的多個SSB之一，并且SSB突發(fā)中的多個SSB在頻域...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N通信方法和通信裝置，包括：發(fā)送配置信息，配置信息包括第一信息，或者配置信息包括第一信息以及第二信息；其中，第一信息用于指示至少一個波束組的組標識ID以及波束的ID，第二信息用于指示波束組特征；接收測量反饋信息，測量反饋信息包...
  • 本申請公開了用于無線通信的節(jié)點中的與虛擬資源塊有關的方法和裝置。第一接收機，接收第一DCI，所述第一DCI指示第一虛擬資源塊集合，所述第一虛擬資源塊集合包括多個虛擬資源塊；第一處理機，操作第一信號；所述操作是接收，或者，所述操作是發(fā)送；其中...
  • 本申請?zhí)峁┮环N通信方法和通信裝置，用于實現(xiàn)AP之間的測量。其中，該通信方法包括：STA向第一AP發(fā)送第一消息，第一消息指示第一AP測量第一AP與第二AP之間的信道狀態(tài)信息；第一AP根據(jù)第一消息測量第一AP與第二AP之間的信道狀態(tài)信息并向ST...
  • 一種隨機接入方法及通信裝置，該方法包括：網(wǎng)絡設備發(fā)送第一資源信息和第二資源信息，終端設備根據(jù)第一資源信息和第二資源信息確定第三隨機接入資源，并使用第三隨機接入資源向網(wǎng)絡設備發(fā)送隨機接入前導。其中，第一資源信息用于指示第一隨機接入資源集，第二...
  • 本申請涉及一種電芯加熱控制方法及其控制裝置、系統(tǒng)和存儲介質(zhì)。該方法包括：將待加熱電芯分時移動至多個加熱位置；控制至少部分加熱位置的加熱裝置以不同的加熱參數(shù)對待加熱電芯進行加熱；其中，加熱參數(shù)包括加熱裝置結構參數(shù)、加熱功率和加熱頻率中的一種或...
  • 本發(fā)明公開了一種單面雙接觸柔性電路板的制作方法，涉及印制電路板技術領域，具體及時方案，包括如下步驟：步驟一：將銅箔和承載膜結合，通過壓膜工藝將兩者壓合在一起，得到基材Ⅰ；步驟二：將基材Ⅰ依次經(jīng)過圖形曝光處理、顯影處理、貼干膜處理、蝕刻處理、...
  • 一種屏蔽裝置，適于應用在電子模塊，電子模塊設置于電子裝置的主板，電子裝置具有機殼底板，主板設有連接器，屏蔽裝置包含固定框及遮蔽蓋。固定框設有容置空間，適于容置連接器及電子模塊，固定框包含兩個第一側(cè)壁、兩個第二側(cè)壁以及抵壓片；抵壓片連接于兩個...
  • 一種半導體器件及其制造方法、電子設備，所述制造方法包括：在襯底上依次交替形成第一絕緣層和導電層，得到堆疊結構；對堆疊結構進行圖案化刻蝕，形成多個溝槽，導電層形成多個讀位線，在溝槽內(nèi)依次形成第二絕緣層和第一絕緣層，溝槽內(nèi)的第一絕緣層構成絕緣部...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N半導體器件及其制造方法、電子設備。該半導體器件可以包括襯底；所述襯底包括多個第一半導體柱，所述第一半導體柱在第一方向上和第二方向上間隔排列；多條位線，位于第一半導體柱的上方；第一隔離層，位于多條位線之上；第二隔離層，位于第一...
  • 一種半導體結構及其形成方法，結構包括：基底，包括存儲單元區(qū)；疊層柵結構，位于存儲單元區(qū)的基底上，疊層柵結構包括浮柵結構、以及位于浮柵結構上的控制柵結構，浮柵結構一側(cè)相對于控制柵結構的側(cè)壁向外凸出，且在浮柵結構的凸出部分，浮柵結構的頂面與側(cè)壁...
  • 本申請涉及一種橫向擴散金屬氧化物半導體器件及其制備方法。該橫向擴散金屬氧化物半導體器件包括至少一個元胞結構，元胞結構包括：襯底；N型的第一阱區(qū)，設于襯底內(nèi)；第一阱區(qū)內(nèi)設有沿第一方向依次排布的第一分區(qū)、隔斷區(qū)和第二分區(qū)；P型的第一摻雜區(qū)和P型...
  • 本申請涉及一種橫向擴散金屬氧化物半導體器件，包括：基底；體區(qū)和漂移區(qū)，沿第一方向排布于基底內(nèi)；漂移區(qū)內(nèi)設有漏區(qū)，體區(qū)內(nèi)設有源區(qū)；第一方向垂直于基底的厚度方向；第一介質(zhì)層，設于基底上，且至少覆蓋部分體區(qū)和部分漂移區(qū)；第一場板，設于第一介質(zhì)層遠...
  • 本發(fā)明提供一種碳納米管半導體結構及其形成方法，其中，碳納米管半導體結構包括：基底；第一介質(zhì)層，位于基底，形成有多個具有第一開口尺寸的第一溝槽，第一溝槽底部部分區(qū)域形成有具有第二開口尺寸的第二溝槽，第二開口尺寸小于第一開口尺寸；碳納米管結構，...
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