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  • 一種半導體器件及其制造方法、電子設備，涉及半導體技術；半導體器件的制造方法包括：在襯底上依次形成第一電極、絕緣層和第二電極的堆疊結構；在所述堆疊結構上形成沿著垂直于所述襯底方向延伸的孔洞，所述孔洞將至少部分所述第一電極和所述第二電極暴露；采...
  • 本發明公開了一種用于空心杯電機轉子烘烤的自動烘烤設備，包括隔熱外殼、電加熱裝置和載具輸送機構，電加熱裝置安裝在所述隔熱外殼上，并且所述電加熱裝置包括位于所述隔熱外殼內部的電加熱管；載具輸送機構包括電機和鏈板式輸送帶，所述電機安裝在所述隔熱外...
  • 本申請公開了一種基于視頻分析的安全預警方法、裝置、設備及存儲介質，涉及計算機技術領域。該方法包括：獲取工業生產現場的多路監控視頻；對于每一路監控視頻，基于監控視頻對應的配置參數，從多個候選的模型中，選擇用于對監控視頻進行識別的至少一個模型；...
  • 本申請涉及一種產品數據處理方法、裝置、計算機設備、存儲介質和計算機程序產品。本申請實施例可應用于車載領域，方法包括：獲取用于描述標準化產品單元的文本信息；基于文本信息構建標準化產品單元的產品描述語句；通過對比學習句嵌入模型提取產品描述語句的...
  • 本申請屬于計算機技術領域，具體涉及一種代碼測試方法、代碼測試裝置、計算機可讀介質、電子設備以及計算機程序產品。該代碼測試方法，包括：獲取與待測試的源代碼相對應的替換函數列表，替換函數列表用于保存對源代碼中的原始函數進行替換調用的包裝函數；根...
  • 本公開提供一種埋點設置方法、裝置及電子設備，所述方法的一具體實施方式包括：獲取為目標應用程序的目標頁面設置埋點的埋點設置信息；埋點設置信息中包括目標觸發操作的信息；基于埋點設置信息，在目標應用程序中設置針對目標觸發操作的目標埋點接口，以及設...
  • 本申請公開了一種飛行器控制方法、裝置以及飛行器，該方法包括：監測主驅電機的工況情況；根據主驅電機的工況情況，以對應的力矩分配控制策略，結合控制器輸出的期望偏航力矩對主驅電機和/或涵道電機進行力矩分配控制。該方案在飛行器正常工況和電機故障工況...
  • 本發明提供了一種滑油磨屑在線檢測方法和在線檢測系統，解決虛檢顆粒影響傳感器檢測的有效性的問題?；湍バ荚诰€檢測方法包括：從第一金屬屑末檢測裝置獲取原始數據和第一顆粒檢測結果；將所述第一顆粒檢測結果與標準顆粒檢測結果作對比，分析出所述第一顆粒...
  • 本發明提供了一種具有PTC效應的聚烯烴組合物及其制備方法和制品，屬于高分子熱敏材料技術領域，所述組合物包括重量份數計的如下組分：聚烯烴樹脂100份，炭黑3.0～6.0份，水滑石包覆改性碳納米管2.0～4.0份，增韌劑3.0～5.0份，抗氧劑...
  • 本發明公開了用于空心杯電機轉子烘烤的自動烘烤設備的載具輸送機構，包括隔熱外殼、鏈板式輸送帶、載具出入座、電機和齒輪傳動機構；電機通過齒輪傳動機構連接鏈板式輸送帶的鏈條；載具出入座有兩個，每個載具出入座上分別設置有載具出入通道；每個載具出入通...
  • 在現有技術中，無法獲得一種不使用光刻技術的半導體制造用導電柱模塊，該半導體制造用導電柱模塊可以用于倒裝芯片封裝的基板的二次布線，或用于在后芯片(RDL優先)封裝中形成再配置層(RDL)。本發明提供一種半導體制造用導電柱模塊前體、半導體或半導...
  • 一種磁性極化金屬及其制備方法和應用，所述磁性極化金屬的化學式為A3B2Oa，A位的主體元素為Sr，B位的主體元素為Co，O為氧元素，a在6至7.3的范圍內。本申請實施例的磁性...
  • 本申請實施例提供一種顯示面板。該顯示面板包括設置于硅基電路基板上的發光器件，發光器件包括第一發光器件、第二發光器件以及第三發光器件，棱鏡組至少包括第一變向棱鏡、第二變向棱鏡以及聚合棱鏡。不同的棱鏡對應設置在不同色的發光器件上，且第一變向棱鏡...
  • 一種發光芯片、顯示裝置和制造方法。發光芯片包括第一發光單元、第二發光單元和第三發光單元，第一發光單元被配置為出射第一顏色光；第二發光單元包括第二發光層和第一透反層，第一透反層被配置為濾除第一顏色光，使第二發光單元出射第二顏色光；第三發光單元...
  • 本發明提供一種納米隧穿層的制備方法及其應用，納米隧穿層的制備方法包括以下步驟：S1、采用具有氧化性的清洗液體對硅片進行清洗，產生濕法原生氧化層；S2、將硅片置于管式PECVD的石英舟內，通入反應氣體進行保溫，反應氣體為氮氣和氧化性氣體的混合...
  • 本發明公開了一種用于多晶硅刻蝕過程中減少缺陷產生的方法，至少包括：提供襯底；在所述襯底上形成第一介質層和多晶硅層；在所述多晶硅層上形成圖形化的第一光阻層；對所述多晶硅層進行至少含有F離子的注入；通過N2H2干法刻蝕去除經過與F離子反應后的第...
  • 本申請實施例提供一種晶體管、電子設備、晶體管的制備方法。涉及半導體器件技術領域。提供一種可以降低柵極漏電流的晶體管。該晶體管包括襯底、溝道層、勢壘層和柵極，溝道層形成在襯底上，勢壘層形成在溝道層上，自勢壘層指向溝道層的方向，柵極貫通勢壘層的...
  • 本申請提供一種隨機接入方法、通信節點及存儲介質。該方法包括：執行第一隨機接入流程和第二隨機接入流程中至少之一；所述第一隨機接入流程中包括第一類消息集合，所述第一類消息集合中包括至少一個第一類消息，所述至少一個第一類消息采用第一處理方式；所述...
  • 本申請實施例提供了一種發光裝置和發光裝置的制備方法，涉及發光技術領域。該發光裝置包括：驅動基板，包括間隔設置的多個第一凹槽，相鄰第一凹槽之間基于基板隔離結構而間隔開；多個LED芯片，對應電連接在驅動基板的至少部分第一凹槽內，LED芯片為不具...
  • 本發明提供一種半導體器件及其制備方法，通過對有源區及電阻區上對應的多晶半導體層同時進行離子注入工藝，同時獲得有源區所需的多晶半導體柵極結構和電阻區所需的多晶半導體電阻結構，從而減少了在電阻區形成多晶半導體電阻結構需要額外增加的一道離子注入工...
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