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  • 本公開實施例提供一種背光模組和顯示裝置。背光模組包括：發(fā)光基板，包括襯底基板以及設置在襯底基板上的多個發(fā)光元件；承托結構，圍繞發(fā)光基板的發(fā)光區(qū)設置；勻光板，沿發(fā)光基板的出光方向設置在承托結構的一側，勻光板與發(fā)光基板之間設置有預設距離，承托結...
  • 本申請?zhí)峁┑陌l(fā)光器件驅動背板具有顯示區(qū)和非顯示區(qū)，驅動背板沿驅動背板的厚度方向包括第一基底、第一驅動層、第二基底以及第二驅動層，第一驅動層至少包括一第一驅動單元，第二驅動層至少包括一第二驅動單元，且第二驅動單元經(jīng)第二基底與第一驅動單元電性連...
  • 本發(fā)明提供了顯示面板及其驅動方法、電子裝置，該方法包括：獲取目標灰階對應的第一極性目標數(shù)據(jù)電壓(大于參考數(shù)據(jù)電壓)和第二極性目標數(shù)據(jù)電壓(小于參考數(shù)據(jù)電壓)，且第一極性目標數(shù)據(jù)電壓與參考數(shù)據(jù)電壓的差值的絕對值，不等于第二極性目標數(shù)據(jù)電壓與參...
  • 本公開實施例提供一種屏幕分辨率的調整方法、裝置、設備及存儲介質，該方法包括：獲取屏幕的默認邏輯分辨率，其中默認邏輯分辨率是對屏幕的物理分辨率按照默認縮放倍數(shù)進行縮放得到的；根據(jù)默認邏輯分辨率和預設的限制條件，確定屏幕對應的至少一個縮放倍數(shù)；...
  • 本公開涉及半導體電路設計領域，特別涉及一種控制電路及存儲器，控制電路包括：第一信號調節(jié)電路，用于接收基于存儲器的模式寄存器輸出的第一標識信號和第二標識信號；第一標識信號用于指示存儲器是否啟動終端數(shù)據(jù)選通(TDQS)功能，且存儲器基于有效的第...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N存儲器、存儲器的操作方法及存儲器系統(tǒng)。該存儲器包括存儲器陣列以及與存儲器陣列耦接的外圍電路。存儲器陣列包括多個平面，每個平面包括多條位線。外圍電路包括選通電路以及多個頁緩沖器，且選通電路與多個頁緩沖器耦接。位于平面的第一端的...
  • 本申請實施例提供了一種基因分型組裝方法及裝置、電子設備及存儲介質，屬于生物信息技術領域。基因分型組裝方法包括：從目標基因組序列的測序數(shù)據(jù)中獲取目標比對數(shù)據(jù)，其中，目標比對數(shù)據(jù)用于表示目標基因組序列中任意兩個目標片段序列的比對數(shù)據(jù)；根據(jù)目標比...
  • 本發(fā)明提供一種核反應堆安全殼的水箱裝置及核反應堆安全殼設備，涉及核工業(yè)安全技術領域，以解決現(xiàn)有技術中安全殼的設計和施工難度較大的問題。所述核反應堆安全殼的水箱裝置應用于核反應堆安全殼，所述水箱裝置包括安裝骨架和水箱；所述安裝骨架包括：第一環(huán)...
  • 本申請屬于核工業(yè)檢測領域，尤其是涉及一種核反應冷卻液測量棒，其包括殼體、芯棒和測量組件，殼體沿其軸線開設通孔，芯棒懸置于通孔內，且芯棒的側面與殼體的內壁存在均勻間隙；殼體和芯棒在同一端與測量組件固定連接，殼體和芯棒均為導體制成，核反應冷卻液...
  • 本發(fā)明屬于磁性材料領域。本發(fā)明提供了一種磁性結構及其制造方法與用途，所述制造方法混合磁性粉末、熱固性樹脂及固化劑進行造粒，將造粒料在恒溫恒壓下進行第一壓制，然后在持續(xù)升溫減壓的狀態(tài)下，進行第二壓制，得到磁性結構。本發(fā)明所述方法通過升溫減壓的...
  • 本發(fā)明公開了蜂巢狀ZIF衍生的層狀雙氫氧化物復合材料及其制備方法和應用，本發(fā)明制備的蜂巢狀ZIF衍生的層狀雙氫氧化物復合材料包含ZIF?67和NiCo LDH兩種物質，能夠充分發(fā)揮不同材料之間的協(xié)同作用，提高電極的比容量。另外，蜂巢狀結構由...
  • 本發(fā)明公開了一種調控輝光放電質譜深度濺射的磁場裝置及其方法，該裝置包括：殼體，所述殼體為中空結構；蓋體，適配蓋設于所述殼體的開口處，所述蓋體遠離所述殼體的一側設置有限位部；絕緣板，適配裝設于所述殼體內，所述絕緣板沿高度方向設置有第一通孔和六...
  • 本發(fā)明涉及一種半導體器件的制作方法。所述制作方法中，在半導體基片的表面堆疊金屬層以及氮化鈦層后，先沉積鎢層，再進行退火，使所述金屬層與含硅導電區(qū)發(fā)生金屬硅化反應，可以避免由于提前退火導致的氮化鈦層致密性變差，確保氮化鈦層在沉積鎢層的工藝中對...
  • 本公開提供了一種半導體薄膜及其制備方法，利用圖案化的襯底形成具有鏤空結構的半導體薄膜，以半導體薄膜為掩膜，通過濕法刻蝕進一步除去襯底，第一凹槽被刻蝕形成第二凹槽，第二凹槽在所述襯底所在平面的正投影面積大于所述鏤空結構在所述襯底所在平面的正投...
  • 本申請公開了一種金屬層刻蝕方法及半導體工藝設備，涉及半導體工藝及裝備領域。一種金屬層刻蝕方法包括：執(zhí)行第一刻蝕步，向反應腔室內通入第一刻蝕氣體，用以刻蝕所述金屬層，所述金屬層下方設置有氮化物層，且所述氮化物層與所述金屬層相接觸；檢測CN光譜...
  • 本申請?zhí)岢鲆环N晶圓氣泡檢測方法，包括根據(jù)至少兩張晶圓檢測圖片生成晶圓模板圖，其中所述晶圓模板圖包括晶圓電路紋理；以及，根據(jù)待檢測圖和所述晶圓模板圖的差異得到所述待檢測圖的晶圓氣泡缺陷。本申請還提出一種晶圓氣泡檢測方法，包括生成包括晶圓電路紋...
  • 本發(fā)明公開一種鍵合對準裝置及方法，鍵合對準裝置包括：第一工作臺，包括第一表面，用于固定第一待對準件；第二工作臺，包括第二表面，用于固定第二待對準件，且第二表面和第一表面沿第一方向相對且間隔設置；間隙調節(jié)機構，用于沿第一方向調節(jié)第二表面與第一...
  • 本發(fā)明提供一種導電接觸孔的制備方法及半導體器件，該制備方法在第一層間介質層與第三層間介質層之間設置具有第一窗口的第二層間介質層，從而可通過該第一窗口的大小控制第二次刻蝕形成的第二刻蝕孔的口徑，以降低導電接觸孔底部刻蝕的控制難度；另外使第一次...
  • 本發(fā)明提供一種用于將散熱器附接到半導體封裝的方法。所述方法包括：提供半導體封裝，其中所述半導體封裝包括封裝基底、安裝于所述封裝基底上的半導體元件以及形成于所述封裝基底上且包封所述半導體元件的模蓋，并且其中所述模蓋包括可激光激活的模塑材料；通...
  • 本申請實施例公開了一種顯示面板及其制備方法，該顯示面板包括基底、第一絕緣層、鍵合金屬層、第一導電層、發(fā)光層、第二絕緣層、第二導電層，貫穿鍵合金屬層、第一導電層、發(fā)光層設置有第二過孔，第二導電層覆蓋第二過孔的底面、側面、發(fā)光層設置，第二導電層...
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