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  • 本發明的目的是提供一種液流電池雙極板制備工藝，該雙極板為復合材料，兼具高導電性和高韌性特點，且具有較好的機械性能和阻液性。本發明是將導電的碳材料、樹脂材料、液態助劑在粉碎機、乳化機、球磨機或氣流粉碎機中進行混合，然后將混合物涂覆在基體表面，...
  • 本發明的目的是提供一種液流電池一體化極板制備工藝，將電極和雙極板集合為一體結構，避免了電極/雙極板接觸界面的引入，從而可以有效降低液流電池內阻。一體化結構設計也會提高電堆裝配的效率與一致性，提升產品質量。本發明是將導電的碳材料和樹脂材料粉末...
  • 本發明目的是客服現有技術不足提供一種燃料電池碳紙的改性方法，該方法簡單易操作，成本低廉，效率和成品良率高。解決了現有碳紙導電性差，與水潤濕性差，導致排水困難，容易造成水淹降低碳紙壽命，并導致電池性能下降的缺陷。其具體方案如下：一種燃料電池碳...
  • 本發明的目的是客服現有技術不足提供一種燃料電池氣體擴散層的改性方法，該方法簡單易操作，成本低廉，制作效率和成品良率高，可以有效的改善氣體擴散層與催化層的接觸界面，構建親水通道改善排水，提高膜電極性能。其具體方案如下：一種燃料電池氣體擴散層改...
  • 本發明公開了一種鈉離子電池正極材料及其制備方法與應用。本發明提供的鈉離子電池正極材料的制備方法，包括如下步驟：將鈉離子電池正極前驅體或者過渡金屬氧化物與H3BO4、鈉源混合，得到混合物；將所述混合...
  • 本申請屬于電池技術領域，具體涉及一種電極組件、二次電池及用電裝置。該電極組件包括正極極片、負極極片和隔離膜，正極極片包含正極集流體和位于正極集流體至少一側表面的正極膜層，本申請的正極膜層包含含鎳化合物與粘結劑，含鎳化合物中基于過渡元素的總摩...
  • 本發明涉及電池技術領域，提供了一種硅負極材料及其制備方法、硅負極極片、鋰電子電池。所述硅負極材料包括納米硅和修飾所述納米硅表面的纖維狀硅酸鋰。本發明提供的硅負極材料的制備方法通過一步法實現了納米硅顆粒的破碎和表面修飾，有效解決了現有納米硅制...
  • 本申請公開了一種負極活性材料及其制備方法、負極極片、電池和用電裝置，所述負極活性材料包括負極活性物質和包覆在所述負極活性物質至少部分表面的包覆層，所述包覆層包括如下結構式的化合物： 2025-05-21
  • 本申請提供一種補鈉正極活性材料及其制備方法、正極極片、鈉離子電池及用電設備，涉及鈉離子電池領域。補鈉正極活性材料包括正極活性材料以及包覆于正極活性材料的表面的包覆層，正極活性材料包括層狀氧化物、聚陰離子型化合物及普魯士藍類化合物中的一種或幾...
  • 本發明公開了一種用于鈉電池的復合負極及其制備方法,復合負極包括：鈉片，在鈉片的表面原位形成的氟化鈉層，以及含氟高分子聚合物薄膜；氟化鈉層是通過將表面貼合有含氟高分子聚合物薄膜的鈉片在有機溶劑的催化下反應形成；有機溶劑包括酯類和/或醚類；將復...
  • 本發明涉及電池技術領域，提供了一種石墨烯基硅負極極片及其制備方法和應用，以及一種鋰離子電池。所述石墨烯基硅負極極片包括多孔石墨烯堆疊形成的片層結構和位于石墨烯片層之間的納米硅顆粒。本發明提供的石墨烯基硅負極極片具有優異的結構穩定性，電阻低，...
  • 本申請涉及一種正極極片及其制備方法、二次電池和用電裝置，屬于二次電池技術領域。本申請的正極極片包括依次層疊設置的第一正極活性材料層、正極集流體和第二正極活性材料層，第一正極活性材料層包含放電平臺電壓大于或等于3.6V的第一正極活性材料，第二...
  • 本申請涉及負極極片及其制造方法、包括其的二次電池和用電裝置。其中所述負極極片包括負極集流體、設置在所述負極集流體的表面上的導電涂層以及設置在所述導電涂層的表面上的包括多孔顆粒的涂層。通過設置包括多孔顆粒的涂層，提供了更多的形核位點，實現了負...
  • 本申請提供一種極片、電極組件、電池單體、電池及用電裝置，屬于電池技術領域。極片包括集流體和活性物質層，活性物質層設于集流體的表面并且包括沿預設方向順序排列的N個分區，其中，N≥2，并且，相鄰分區的電化學性能不同。
  • 本申請公開了一種負極極片及其制備方法、電池和用電裝置，負極極片包括式Ⅰ所示的聚合物：
  • 本申請涉及一種負極極片、二次電池和用電裝置，屬于二次電池技術領域。本申請提供的負極極片包括負極集流體和設置在負極集流體的至少一個表面的負極活性材料層，負極活性材料層包含具有片層結構的石墨，且至少部分相鄰的石墨片層之間嵌有陰離子，該負極極片有...
  • 本申請提供一種正極極片及其制備方法、二次電池和用電裝置。正極極片的制備方法包括如下步驟，在集流體的待裁切區域涂覆導電底涂漿料，形成復合集流體；在復合集流體涂覆活性材料漿料，形成第一極片；在第一極片的待裁切區域進行裁切，得到第二極片，第二極片...
  • 本發明公開了一種金屬大馬士革一體化刻蝕方法及芯片，應用于芯片制備技術領域，在基于等離子體刻蝕硬掩膜時，使用高于標準源射頻功率的目標源射頻功率，以及使用低于標準偏置射頻功率的目標偏置射頻功率對硬掩膜進行刻蝕，以使刻蝕硬掩膜所形成的刻蝕槽的側壁...
  • 本發明提供一種晶圓位置矯正裝置及方法，該矯正裝置包括：承載臺、圖像采集單元、處理單元及機械控制單元，其中，承載臺用于承載晶圓盒，晶圓盒用于盛放晶圓；圖像采集單元與晶圓間隔預設距離，用于采集晶圓狀態圖像；處理單元中邊緣識別模型識別采集晶圓的邊...
  • 本申請提供一種硼注入系統及方法，涉及核電技術領域，其中，所述系統包括：能動注入單元，包括第一硼酸箱和泵，所述第一硼酸箱的出口連接所述泵的入口，所述泵的出口通過第一管路連接堆芯；非能動注入單元，包括第二硼酸箱、高壓儲氣罐和第一控制閥，所述第二...
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