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  • 本發(fā)明內(nèi)容提供一種復(fù)合固態(tài)電解質(zhì)。復(fù)合固態(tài)電解質(zhì)包括鋰鑭鋯氧化物粉體以及含磷酸鋰保護(hù)層。鋰鑭鋯氧化物粉體的平均粒徑小于500nm。含磷酸鋰保護(hù)層包覆鋰鑭鋯氧化物粉體的外表面。復(fù)合固態(tài)電解質(zhì)基于固態(tài)電解質(zhì)而可避免液態(tài)電解質(zhì)揮發(fā)、泄漏及在高溫使...
  • 本申請實(shí)施例提供一種電極組件制造裝置及方法、電池制造設(shè)備及方法，其中電極組件制造裝置包括卷針和多個放卷裝置，多個放卷裝置被配置為向卷針提供多個卷材，多個卷材卷繞至卷針上以形成電極組件，在卷繞過程中多個卷材對卷針產(chǎn)生多個作用力，多個放卷裝置的...
  • 本發(fā)明提供了一種燃料電池系統(tǒng)開機(jī)控制方法、設(shè)備及燃料電池系統(tǒng)，該方法在燃料電池系統(tǒng)接收到開機(jī)指令后，利用預(yù)設(shè)的供氣參數(shù)控制燃料電池系統(tǒng)中的燃料電池產(chǎn)生電勢并獲取燃料電池的平均電壓；當(dāng)平均電壓達(dá)到預(yù)設(shè)的第一閾值時，利用預(yù)設(shè)的電流拉載參數(shù)控制燃...
  • 本申請?zhí)峁┮环N用于有燃料電池系統(tǒng)的燃料電池車輛的氫氣泄漏檢測方法，該方法包括：獲取第一供氫管路的第一氫氣壓力衰減值和第一氫氣監(jiān)測濃度；若第一氫氣壓力衰減值小于或等于第一預(yù)設(shè)閾值且第一氫氣監(jiān)測濃度小于或等于第二預(yù)設(shè)閾值，則在氫氣輸送至第二供氫...
  • 本發(fā)明提供了一種熱管理架構(gòu)及其控制方法，該熱管理架構(gòu)包括加熱器、換熱器以及分別與電堆連接的冷卻回路、氫氣入堆管路和氫氣循環(huán)管路，其中，冷卻回路的入口和出口分別連通電堆的冷卻液出、入口，加熱器并聯(lián)設(shè)置在冷卻回路上的冷卻液泵的兩端形成加熱回路，...
  • 本發(fā)明提供了一種扁管式固體氧化物燃料電池的陰極集流體及其制備方法，其中扁管式固體氧化物燃料電池的陰極集流體的制備方法包括：將三氧化二鈷、氧化鑭以及氧化銅進(jìn)行混合，得到集流體粉體；將集流體粉體通過等離子噴涂技術(shù)沉積在電池陰極的表面，得到陰極集...
  • 本發(fā)明提供了一種氮硫共摻雜碳材料及其制備方法和應(yīng)用，所述制備方法包括：(1)將具有孔道結(jié)構(gòu)的碳前驅(qū)體、氮源、硫源和分散溶劑混合，干燥后進(jìn)行熱處理，得到復(fù)合前驅(qū)體，其中，所述碳前驅(qū)體的質(zhì)量與氮源和硫源的質(zhì)量總和的比為(3～15):1；(2)對...
  • 本申請涉及固體氧化物電解池技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種電池制備方法和電池，電池制備方法包括：將電極漿料均勻涂覆在模具棒上，在模具棒上形成陽極膜層，對陽極膜層進(jìn)行第一階段燒結(jié)處理，以得到氫電極；將電解質(zhì)漿料均勻覆蓋在氫電極上，在氫電極上形成電解質(zhì)層，...
  • 本發(fā)明提供一種單層電池極片及其制備方法、裝置，方法包括以下步驟：S1：將電極基材進(jìn)行預(yù)熱；S2：通過導(dǎo)電霧化針頭對電極漿料施加高壓電場，進(jìn)行霧化；所述電極漿料包括電極活性物質(zhì)顆粒、粘結(jié)劑和溶劑；S3：將霧化后的電極漿料依次均勻噴涂在預(yù)熱的電...
  • 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置以及其制作方法，其中該半導(dǎo)體裝置包括裝置層、設(shè)置在裝置層之上的層間介電層、第一互連結(jié)構(gòu)、第二互連結(jié)構(gòu)以及第一介電層。層間介電層包括第一部分設(shè)置在第一裝置區(qū)之上以及第二部分設(shè)置在第二裝置區(qū)之上。第一部分的上表面在垂直...
  • 本申請涉及一種保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：提供基底，所述基底包括半導(dǎo)體襯底、半導(dǎo)體器件以及第一介質(zhì)層，所述半導(dǎo)體器件基于所述半導(dǎo)體襯底加工形成，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述半導(dǎo)體襯底以及所述半導(dǎo)體器件；刻蝕所述第一介質(zhì)層以及所述半導(dǎo)體襯底，形成第...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體封裝組件及其形成方法。所述方法包括：提供封裝基板，所述封裝基板包括第一區(qū)和第二區(qū)，其中至少一個第一類型電子元件安裝在所述第一區(qū)上；將保護(hù)層附接到所述第二區(qū)上；在所述第一區(qū)和所述第二區(qū)上形成基底模蓋以封裝所述至少一個第一...
  • 本申請?zhí)峁┮环N芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。制備方法包括：在基板上形成盲孔，在盲孔內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電材料，形成第一導(dǎo)電部；加熱，使第一導(dǎo)電部熱熔與芯片的第二導(dǎo)電部連接，第二導(dǎo)電部的熔點(diǎn)高于第一導(dǎo)電部的熔點(diǎn)。本申請利用低熔點(diǎn)的第一導(dǎo)電部熱熔與高熔點(diǎn)的第二...
  • 本發(fā)明公開了一種具有光學(xué)訪問通道的噴氣結(jié)構(gòu)及噴氣系統(tǒng)，包括進(jìn)氣連接件和氣體噴嘴，所述進(jìn)氣連接件與氣體噴嘴相互連接；所述氣體噴嘴設(shè)有光學(xué)訪問通道、中間進(jìn)氣氣路和邊緣進(jìn)氣氣路，所述光學(xué)訪問通道位于所述氣體噴嘴的中心位置且豎直向下延伸，所述中間進(jìn)...
  • 本發(fā)明公開了一種噴氣結(jié)構(gòu)和等離子體刻蝕機(jī)。該噴氣結(jié)構(gòu)包括進(jìn)氣管套，能夠與氣源導(dǎo)通；噴氣件，與進(jìn)氣管套可拆卸連接，且噴氣件與進(jìn)氣管套連接后形成容納空間；氣路切換件，可動設(shè)置于容納空間內(nèi)；其中，氣路切換件設(shè)有氣體通孔組，噴氣件設(shè)有噴氣孔組，氣體...
  • 本發(fā)明公開了一種噴氣結(jié)構(gòu)和等離子體刻蝕機(jī)。該噴氣結(jié)構(gòu)包括固定管套，能夠與氣源導(dǎo)通；噴氣件，設(shè)置于固定管套，噴氣件與所述固定管套連接后形成安裝空間，且噴氣件上設(shè)有噴氣孔；比例調(diào)節(jié)件，可動設(shè)置于安裝空間，比例調(diào)節(jié)件設(shè)有比例調(diào)節(jié)孔，比例調(diào)節(jié)孔能夠...
  • 本申請?zhí)峁┮环N用于電動工具的開關(guān)組件和電動工具，用于電動工具的開關(guān)組件包括：速度開關(guān)，其配置成產(chǎn)生速度請求信號；和控制單元，其配置成在自所述電動工具斷電后又重新上電起的預(yù)設(shè)時段內(nèi)執(zhí)行以下操作：僅接收來自所述速度開關(guān)的所述速度請求信號；確定所...
  • 本發(fā)明公開了一種干變高壓線圈立繞導(dǎo)線的立線裝置，屬于線圈繞線領(lǐng)域，干變高壓線圈立繞導(dǎo)線的立線裝置，包括有裝置主體、兩個設(shè)置在裝置主體上的夾線裝置，兩個夾線裝置分別用于夾持扁形導(dǎo)線的厚度方向和寬度方向；夾線裝置包括有設(shè)置在裝置主體上的滑桿，滑...
  • 一種測試方法、裝置及相關(guān)設(shè)備，涉及測試技術(shù)領(lǐng)域。模擬被測設(shè)備的前端網(wǎng)絡(luò)中的第一資源、后端網(wǎng)絡(luò)中的第二資源，并獲取前端網(wǎng)絡(luò)中的第一測試業(yè)務(wù)的第一故障信息、后端網(wǎng)絡(luò)中的第二測試業(yè)務(wù)的第二故障信息，該第一故障信息與第二故障信息包括不同的故障類型或...
  • 本公開實(shí)施例公開了一種存儲器及其操作方法、存儲器系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，該存儲器包括存儲單元陣列和耦接存儲單元陣列的外圍電路，存儲單元陣列包括多個存儲單元，多個存儲單元具有2N個數(shù)據(jù)態(tài)，N為大于等于1的整數(shù)；外圍電路...
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