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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明提供了一種環(huán)氧化天然橡膠包覆的鋰電池正極活性材料及其制備方法和應用，包括如下步驟：1)將環(huán)氧化天然橡膠溶解于甲苯，并加入過氧化二異丙苯(DCP)溶解；2)取步驟1)制備的溶液，加入正極活性材料顆粒，加熱攪拌；3)將步驟2)所得材料進行...
  • 本申請公開了一種鋅鎳電池的負極及其制備方法。所述負極包括鋅箔和覆蓋于所述鋅箔表面的界面層；該聚合物人工固體電解質(zhì)界面層的制備方法簡單，產(chǎn)率高；通過旋涂的方法可以均勻的將材料旋涂在鋅箔上；該聚合物人工固體電解質(zhì)界面層提高了堿性鋅鎳電池鋅負極的...
  • 本申請實施例提供了一種正極極片及其制備方法、電池單體、電池和用電裝置。該正極極片包括正極集流體和設置于正極集流體至少一側(cè)的正極膜層，正極膜層包括正極活性材料和疏水添加劑。本申請的技術(shù)方案可以降低正極極片中的含水量，從而提高電池的循環(huán)性能。
  • 本申請公開了一種負極極片、電池單體、電池和用電裝置，負極極片包括負極集流體以及位于負極集流體至少一個表面上的修飾層，修飾層包括堿金屬親和層以及位于堿金屬親和層遠離負極集流體表面上的非金屬導電層；堿金屬親和層的形核過電位記為V1
  • 本申請公開了一種正極的制備方法、正極及應用。包括以下步驟：將含有活性材料、導電劑、保液劑和粘結(jié)劑的原料混合，剪切攪拌、預成型、延壓，得到正極膜，將所述正極膜與集流體貼合，得到所述正極。
  • 本申請?zhí)峁┌雽w結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導體結(jié)構(gòu)包括：半導體襯底，所述半導體襯底的第一表面包括第一外延層和第二外延層以及相互垂直的x方向和y方向和若干沿x方向交替分布的第一區(qū)域和第二區(qū)域；位于所述若干第二區(qū)域的第二外延層中的若干第一溝槽；位...
  • 本發(fā)明涉及一種具有晶圓片定位功能的晶圓片承載裝置，用于固定晶圓片于其上，并且可對晶圓片進行定位，并且晶圓片的邊緣包含定位結(jié)構(gòu)，晶圓片承載裝置包括有基座、承載盤、多個頂針、線性致動器以及對準器。承載盤設置于基座上。承載盤包含上表面以及下表面；...
  • 本發(fā)明提供一種半導體設備，包括反應腔室、組件腔室、旋轉(zhuǎn)伸縮機構(gòu)和邊緣保護環(huán)，反應腔室內(nèi)設置有用于承載晶圓的承載部件，組件腔室設置在反應腔室的周側(cè)，且組件腔室的第一側(cè)與反應腔室可選擇的通斷連接，組件腔室的第二側(cè)與外界環(huán)境可選擇的通斷；旋轉(zhuǎn)伸縮...
  • 本公開提供了一種芯片貼裝方法及芯片封裝方法，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，以在保證芯片質(zhì)量的同時，控制芯片貼裝的成本。芯片貼裝方法包括：提供設置有多個裸片的承載膜，多個裸片被劃分為多個等級；將目標等級的多個裸片移動至基板上，目標等級為多個等級中裸片數(shù)...
  • 本發(fā)明提供了一種金屬焊盤結(jié)構(gòu)及其制備方法，所述制備方法包括：提供襯底，襯底中形成有金屬線及覆蓋金屬線的層間介質(zhì)層；在金屬線上的層間介質(zhì)層中形成第一開口暴露金屬線的表面，且第一開口的底部設有分隔圖形覆蓋金屬線的部分表面；形成第一焊盤層順形地覆...
  • 本發(fā)明提供一種半導體器件的制造方法，在已生成具有邊緣部的初始局部氧化結(jié)構(gòu)的基礎上，形成圖案化掩膜層，該圖案化掩膜層的開口對準初始局部氧化結(jié)構(gòu)的邊緣部，在該圖案化掩膜層和邊緣部的掩蔽作用下，對開口中的襯底進行用于提高氧化率的離子注入，利用開口...
  • 本發(fā)明半導體基片的表面處理方法，包括：在半導體基片的表面上形成氧化硅層；在所述氧化硅層上形成過渡層；在所述過渡層上形成硅基層；以及在所述硅基層上形成柵極絕緣層。本發(fā)明可在半導體基片上形成結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的柵極絕緣膜，而且該方法操作簡單、成本低、生產(chǎn)...
  • 本發(fā)明提供一種改善薄膜均勻性的方法，所述方法包括：提供襯底，所述襯底內(nèi)形成有多個溝槽，使得所述襯底具有溝槽部以及位于相鄰所述溝槽部之間的凸起部；對所述襯底進行離子注入，以使所述凸起部的至少部分表面非晶化形成非晶層；對所述襯底以及所述非晶層進...
  • 本發(fā)明公開的半導體襯底的制造方法包括：提供半導體襯底基材，所述半導體襯底基材包括含硅材料；在真空環(huán)境下，照射所述半導體襯底基材的表面使所述表面熔融形成液態(tài)表面；以及在所述液態(tài)表面沉積薄膜層以獲得半導體襯底，所述薄膜層為氮化硅和/氧化硅。本發(fā)...
  • 本發(fā)明涉及電子控制器件技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種推動結(jié)構(gòu)及繼電器。推動結(jié)構(gòu)包括推動桿，推動桿具有第一端和第二端，推動桿的周向表面設置有環(huán)形槽，用于安裝擋圈；沿推動桿的軸向，環(huán)形槽的槽底與推動桿的軸線之間的垂直距離不完全相等；擋圈能夠與環(huán)形...
  • 一種電感結(jié)構(gòu)，其于絕緣體中埋設電感本體及具有多個穿孔的磁芯結(jié)構(gòu)，以借由該多個穿孔提升該磁芯結(jié)構(gòu)與該絕緣體之間的結(jié)合力，故本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)能避免剝離現(xiàn)象的發(fā)生。
  • 本發(fā)明涉及用于永磁體的罩體及其制造方法，更詳細地，涉及一種形成得包圍為了對普通船舶或各種戰(zhàn)艦、海洋設施等因各種原因產(chǎn)生的破洞部位進行封閉及防水措施等而在水中作業(yè)時使用的永磁體的外周面，從而不僅可以保護內(nèi)部容納的永磁體免受沖擊、摩擦等外部刺激...
  • 本申請?zhí)峁┮环N檢測方法、醫(yī)療設備以及可讀存儲介質(zhì)，檢測方法應用于醫(yī)療設備，醫(yī)療設備包括控制器、驅(qū)動件、驅(qū)動控制件，控制器控制驅(qū)動控制件驅(qū)動驅(qū)動件運行，包括獲得驅(qū)動件的運行狀態(tài)參數(shù)，根據(jù)驅(qū)動件的運行狀態(tài)參數(shù)和預設判斷規(guī)則，確定醫(yī)療設備的狀態(tài)信...
  • 本申請涉及一種手術(shù)室管理系統(tǒng)、手術(shù)室管理方法及計算機設備。系統(tǒng)包括：圖像采集設備和管理設備；圖像采集設備包括全景圖像采集裝置、手術(shù)床圖像采集裝置及術(shù)野圖像采集裝置；圖像采集設備，用于采集手術(shù)室的場景圖像；場景圖像包括手術(shù)行為圖像和手術(shù)環(huán)境圖...
  • 本申請?zhí)峁┮环N營養(yǎng)泵的控制方法、裝置、設備及存儲介質(zhì)。該方法包括：響應于目標對象的喂養(yǎng)指令，獲取目標對象的喂養(yǎng)方案，所述喂養(yǎng)方案包括：多個喂養(yǎng)階段，不同喂養(yǎng)階段的至少一個喂養(yǎng)參數(shù)不同。根據(jù)所述喂養(yǎng)方案，控制營養(yǎng)泵輸出營養(yǎng)品。本申請的方法，提...
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