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  • 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底，位于所述襯底上的緩沖層以及位于所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的發(fā)光結(jié)構(gòu)；所述緩沖層包括第一區(qū)域和環(huán)繞所述第一區(qū)域的第二區(qū)域；光阻結(jié)構(gòu)，所述光阻結(jié)構(gòu)通過對所述緩沖層的第二區(qū)域選擇性刻蝕...
  • 一種移動通信終端，該移動通信終端包括：天線，該天線被配置為發(fā)送和接收無線信號；氣溶膠生成器，該氣溶膠生成器配置為在該氣溶膠生成器中容置氣溶膠生成制品并且通過感應(yīng)加熱對氣溶膠生成制品進(jìn)行加熱；以及控制器，該控制器配置為控制氣溶膠生成器的溫度，...
  • 本發(fā)明提供了一種基于圖論的飛機路徑規(guī)劃方法、裝置和電子設(shè)備。該方法包括：獲取指定機型在一時間段內(nèi)的航班信息；把每一個航班與所述航班按航班銜接原則來建立銜接，形成航班圖；確定所述一段時間的首發(fā)航班，找出與首發(fā)航班銜接時間最短的后續(xù)航班，形成首...
  • 本發(fā)明涉及了一種調(diào)節(jié)睡眠質(zhì)量的益生菌復(fù)合產(chǎn)品及其制備方法，所述益生菌復(fù)合產(chǎn)品包括以下組分：γ?氨基丁酸、短雙歧桿菌CCFM1025、嗜酸乳桿菌TYCA06、植物乳桿菌LPL28、抗性糊精、低聚木糖、低聚果糖、水蘇糖。短雙歧桿菌CCFM102...
  • 本發(fā)明涉及了一種改善情緒的益生菌復(fù)合產(chǎn)品及其制備方法，所述益生菌復(fù)合產(chǎn)品包括以下益生菌組分：瑞士乳桿菌R0052、植物乳桿菌R1012和長雙歧桿菌R0175。三種益生菌組合具有協(xié)同效應(yīng)，能夠降低人體中犬尿氨酸/色氨酸的比值，減少代謝犬尿氨酸...
  • 本發(fā)明涉及了一種緩解壓力的益生菌復(fù)合產(chǎn)品及其制備方法，所述益生菌復(fù)合產(chǎn)品包括以下益生菌組分：副干酪乳桿菌Lpc?37、植物乳桿菌N13和乳雙歧桿菌BLa80。三種益生菌組合具有協(xié)同效應(yīng)，能夠調(diào)節(jié)腸道菌群，緩解炎癥癥狀，降低機體對壓力的感知，...
  • 本發(fā)明提供了一種生產(chǎn)碳纖維的碳化爐爐口用排風(fēng)罩，包括排風(fēng)罩本體、可移動插板和位移控制器；排風(fēng)罩本體上端與風(fēng)管連通、下端為罩口，罩口呈長方形；可移動插板可移動連接于所述罩口；可移動插板的長度不小于罩口的長度，可移動插板的寬度不小于罩口的寬度；...
  • 對話系統(tǒng)中按照建模方式可以分為兩種：基于流水線的方法和基于端到端的方法。然而在基于流水線的方法中，各個模塊只能分別優(yōu)化，存在誤差疊加問題，基于端到端的方法利用歷史對話來直接生成系統(tǒng)回復(fù)。但由于基于端到端方法的對話系統(tǒng)沒有全面考慮知識庫中的信...
  • 本發(fā)明公開了一種基于DEM技術(shù)的任務(wù)自動分配方法和裝置、設(shè)備、介質(zhì)，屬于石油地球物理勘探處理技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明利用DEM技術(shù)中的高程信息，對各任務(wù)點間的距離、高程、地表坡度和相對坡度進(jìn)行綜合計算，確定各其余任務(wù)點的得分，通過k均值聚類算法，對...
  • 本發(fā)明公開了一種所述的氟磷酸鈣包覆鎳鈷錳酸鋰正極材料的方法，屬于鋰電池技術(shù)領(lǐng)域。其技術(shù)方案為：（1）提供鎳鈷錳酸鋰正極材料，（2）將鑭源和鈦源在醇類溶劑中攪拌至形成溶膠，然后將鎳鈷錳酸鋰正極材料加入該溶膠體系中，室溫下攪拌1?8小時，再經(jīng)過...
  • 本發(fā)明公開了一種鋰電池正極材料及其制備方法，屬于鋰電池技術(shù)領(lǐng)域。其技術(shù)方案為：（1）所述鋰電池正極材料包括鋰活性材料和復(fù)合導(dǎo)電層，所述復(fù)合導(dǎo)電層包覆在鋰活性材料的外表面；所述復(fù)合導(dǎo)電層由包括導(dǎo)電高分子膠與導(dǎo)電碳按質(zhì)量比1:(0.4～2)復(fù)合...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。該半導(dǎo)體器件包括集成在一個晶片中的絕緣柵雙極晶體管IGBT結(jié)構(gòu)和金屬氧化物半導(dǎo)體MOS晶體管結(jié)構(gòu)，所述MOS晶體管結(jié)構(gòu)與所述IGBT結(jié)構(gòu)并聯(lián)。所述MOS晶體管結(jié)構(gòu)中的溝槽絕緣層的厚度小于所述IGBT結(jié)構(gòu)...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，在形成高壓柵氧化層之前，先刻蝕器件隔離結(jié)構(gòu)的頂部中央?yún)^(qū)域形成第一凹槽，并形成圖案化阻擋層覆蓋在第一凹槽的內(nèi)表面上，在熱氧化形成高壓柵氧化層的過程中，第一凹槽側(cè)壁上的阻擋層在橫向上相當(dāng)于額外增加了兩層阻擋...
  • 本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，具體公開一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管電容及制造方法，該電容包括依次排布的犧牲介質(zhì)層、下極板層、電容介質(zhì)層和上極板層；所述犧牲介質(zhì)層的一面設(shè)置于異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的器件面上，另一面設(shè)置有多個凹槽；所述下極板層、電容介質(zhì)層和上...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环NIBC電池串串接方法，包括：獲取構(gòu)成IBC電池串的N+1個焊帶組；將N個IBC電池片背面朝上鋪放至焊接輸送裝置上；將N+1個焊帶組、N個膠膜片按照IBC電池串的預(yù)定疊放規(guī)則疊放至N個IBC電池片上，使得各膠膜片將對應(yīng)的焊帶組...
  • 本申請公開了一種太陽能電池制備方法及太陽能電池，包括以下步驟：提供制絨后的N型原料硅片；將所述制絨后的N型原料硅片裝入石英玻璃；通源溫度上升過程分為四個升溫階段，且設(shè)置每個升溫階段的加熱絲加熱總功率的百分比以及升溫速率，對所述N型原料硅片進(jìn)...
  • 公開基于二維圖像的手術(shù)計劃方法以及系統(tǒng)。計劃方法包括：從脊椎手術(shù)部位獲得第一圖像和第二圖像的步驟；定義虛擬三維手術(shù)空間并對第一圖像和第二圖像進(jìn)行配準(zhǔn)的步驟；從第一圖像提取第一脊椎骨區(qū)域和第一椎弓根區(qū)域，并從所述第二圖像提取第二脊椎體區(qū)域和第...
  • 本發(fā)明涉及一種用于離合器(2)的具有致動方向(3)的調(diào)節(jié)裝置(1)并且涉及包括該調(diào)節(jié)裝置(1)的離合器(2)。本發(fā)明還涉及一種用于調(diào)節(jié)裝置(1)的推動元件(4)，所述推動元件在相對于所述致動方向(3)的橫向方向(5)上具有至少兩個驅(qū)動斜坡(...
  • 本公開的各個方面涉及支持定時對準(zhǔn)獲取的方法、裝置和系統(tǒng)。例如，實現(xiàn)提供了針對早期獲取早期定時對準(zhǔn)信息(例如，在切換發(fā)生之前)的UE能力信令和對應(yīng)的網(wǎng)絡(luò)行為。此外，實現(xiàn)提供了用于UE連接性重建的上行鏈路同步過程。
  • 本發(fā)明提供了一種電氣裝置，該電氣裝置包括：至少第一組件和第二組件，以及第一組件和第二組件之間的接口，其中該裝置進(jìn)一步包括：(a)在接口處的ta?C涂層，用于密封接口，以防止流體的進(jìn)入和/或逸出，或者(b)在接口處的墊圈，其中該墊圈包括ta?...
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