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  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種基站組件及電器組合，基站組件包括基站及承重框架，基站具有用于容納并承載清潔機(jī)器人的容納腔，容納腔的一側(cè)具有開(kāi)口，開(kāi)口用于供清潔機(jī)器人進(jìn)出容納腔；承重框架限定出安裝空間，基站位于所述承重框架內(nèi)。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的基站組件，...
  • 熔點(diǎn)至少為65℃的酰肼在熱固化聚氨酯組合物中用作為熱固化的固化劑，所述組合物包含由至少一種多異氰酸酯和至少一種多元醇獲得的具有異氰酸酯端基的預(yù)聚物，以及至少一種環(huán)氧樹(shù)脂。通過(guò)所述組合獲得熱固化聚氨酯組合物，其具有改進(jìn)的儲(chǔ)存穩(wěn)定性并且可以在寬...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了微型發(fā)光二極管及顯示裝置，涉及半導(dǎo)體顯示技術(shù)領(lǐng)域。微型發(fā)光二極管包括外延結(jié)構(gòu)以及絕緣層，外延結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層以及夾置于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的發(fā)光層；其中，第一半導(dǎo)體層一體形成有向第一半導(dǎo)體層背離發(fā)光層...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種顯示模組、顯示模組的制作方法及電子設(shè)備，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。在顯示模組中，通過(guò)在相鄰的發(fā)光器件之間設(shè)置隔離部，可以將相鄰發(fā)光器件所發(fā)的光隔離開(kāi)，阻止光串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生，以達(dá)到更好的顯示效果。
  • 本發(fā)明提供了一種納米硅材料致密化成膜的方法、突變型異質(zhì)結(jié)、其制備方法與應(yīng)用，本發(fā)明將納米硅材料制備成分散液墨水，將其形成的膜利用氣態(tài)硅烷進(jìn)行致密化而得到納米硅材料的致密化膜層；利用所述方法使摻雜納米硅材料，尤其是摻雜硅納米線(xiàn)，在摻雜類(lèi)型相反...
  • 本發(fā)明提供了一種納米硅材料致密化成膜的方法、擴(kuò)散型異質(zhì)結(jié)、其制備方法與應(yīng)用，本發(fā)明利用硅源，尤其是液態(tài)硅烷作為致密劑，使其與納米硅材料混合為漿料，使用該漿料形成前驅(qū)膜層，在進(jìn)行加熱處理后，可實(shí)現(xiàn)膜層致密化；利用所述方法使摻雜納米硅材料，尤其...
  • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括具有PMOS區(qū)和NMOS區(qū)的襯底，襯底上形成有分立的鰭部；柵極結(jié)構(gòu)，位于襯底上且橫跨鰭部，柵極結(jié)構(gòu)覆蓋鰭部的部分頂部和部分側(cè)壁；第一隔離結(jié)構(gòu)，位于PMOS區(qū)中待隔離的相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的鰭部中；第二隔...
  • 本發(fā)明提供一種嵌入式源漏選擇性外延層的制備方法，在執(zhí)行嵌入式外延工藝步驟一的外延沉積的同時(shí)進(jìn)行刻蝕，基于源漏區(qū)的外延沉積速率遠(yuǎn)大于在源漏區(qū)之外，且此時(shí)同時(shí)進(jìn)行的刻蝕過(guò)程可有效地抑制源漏區(qū)之外的區(qū)域外延沉積的顆粒半徑超過(guò)臨界形核半徑，從而外延...
  • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：基底；溝道結(jié)構(gòu)層，位于所述基底頂部，所述溝道結(jié)構(gòu)層包括一個(gè)或多個(gè)在縱向上間隔設(shè)置的二維材料溝道層；器件柵極結(jié)構(gòu)，位于所述基底上且橫跨所述溝道結(jié)構(gòu)層，所述器件柵極結(jié)構(gòu)環(huán)繞覆蓋所述二維材料溝道層；源漏接觸層...
  • 本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管及其制作方法，其中，所述薄膜晶體管包括：襯底，位于所述襯底上的源漏功能層，以及位于所述源漏功能層上的溝道層；其中，所述源漏功能層包括源極、漏極以及用于隔離所述源極和所述漏極的介質(zhì)層；所述介質(zhì)層包括依次連接的第一部分...
  • 本發(fā)明公開(kāi)一種基于共享電壓調(diào)整功率的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。本發(fā)明的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器包含共享電壓差值計(jì)算電路、占空比決定電路、信號(hào)生成器電路、控制電路、驅(qū)動(dòng)電路以及輸出級(jí)電路。共享電壓差值計(jì)算電路計(jì)算輸出級(jí)電路接收到的共享電壓與臨界值之間的差值。占空比決定電...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種動(dòng)力電池包溫控裝置，包括設(shè)置有多個(gè)動(dòng)力電池包插槽的電池倉(cāng)以及覆蓋于插槽一側(cè)的換熱板，所述換熱板通過(guò)多根導(dǎo)柱與電池倉(cāng)滑動(dòng)連接，所述導(dǎo)柱的兩端分別與活動(dòng)架和換熱板固定連接，且導(dǎo)柱上套設(shè)有推動(dòng)活動(dòng)架復(fù)位的彈簧；所述電池倉(cāng)上設(shè)置有壓...
  • 本發(fā)明涉及固態(tài)硬盤(pán)測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，具體公開(kāi)了一種測(cè)試效率高且測(cè)試成本低的基于Linux的固態(tài)硬盤(pán)量產(chǎn)掉電測(cè)試方法，包括以下步驟：S1、將多個(gè)待測(cè)SSD對(duì)應(yīng)插入電源控制板的相應(yīng)通道；S2、測(cè)試主機(jī)對(duì)SSD供電并識(shí)別和讀取SSD信息；S3、采用異...
  • 本公開(kāi)涉及圖像處理方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)，其中方法包括：確定待處理圖像的待繪制圓角的目標(biāo)圓角信息；根據(jù)所述目標(biāo)圓角信息，確定目標(biāo)蒙版圖和所述待處理圖像中的目標(biāo)區(qū)域圖像，所述目標(biāo)蒙版圖包括所述待繪制圓角的像素變化信息，所述目標(biāo)區(qū)域圖像為所述待處...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種圖像畸變矯正方法及裝置，涉及圖像處理技術(shù)領(lǐng)域，該方法具體為：對(duì)待矯正圖像的至少一個(gè)像素行進(jìn)行劃分，獲取多個(gè)原始像素塊；基于最大偏移距離對(duì)所述多個(gè)原始像素塊四周進(jìn)行像素填充，獲取多個(gè)初始像素塊；所述最大偏移距離為對(duì)測(cè)試圖...
  • 本發(fā)明提供了基于AI的巡檢圖片清晰度的訓(xùn)練方法和裝置，將運(yùn)維機(jī)房設(shè)備的巡檢圖片作為第一樣本數(shù)據(jù)集；將第一樣本數(shù)據(jù)集按照預(yù)設(shè)比例劃分為第一訓(xùn)練數(shù)據(jù)集和第一測(cè)試數(shù)據(jù)集；利用生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)模型的原理，通過(guò)第一訓(xùn)練數(shù)據(jù)集對(duì)生成器和判別器進(jìn)行對(duì)抗訓(xùn)練，...
  • 本說(shuō)明書(shū)實(shí)施例公開(kāi)了圖像超分辨率重建模型的訓(xùn)練方法、系統(tǒng)及存儲(chǔ)介質(zhì)，屬于圖像處理技術(shù)領(lǐng)域，可以在同等計(jì)算能力的設(shè)備上實(shí)現(xiàn)圖像超分辨率重建模型的計(jì)算資源消耗突破，以及改善算法設(shè)備實(shí)現(xiàn)成本。所述方法包括：將原始圖像的圖像塊作為訓(xùn)練樣本，分別輸入...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N物品檢索方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及技術(shù)領(lǐng)域?yàn)閿?shù)據(jù)搜索技術(shù)領(lǐng)域。方法包括：基于獲取的檢索信息處理得到檢索特征；基于檢索特征與每一物品對(duì)應(yīng)的文本特征、多媒體特征和融合特征之間的相似性，在多個(gè)物品中確定出目標(biāo)物品；融合特...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N物品檢索方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及技術(shù)領(lǐng)域?yàn)椋簲?shù)據(jù)搜索技術(shù)領(lǐng)域。方法包括：獲取客戶(hù)端發(fā)送的檢索信息，基于預(yù)設(shè)模型處理檢索信息以及對(duì)應(yīng)的用戶(hù)信息得到檢索特征；基于檢索特征與每一物品對(duì)應(yīng)的圖文融合特征之間的相似性，在多...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)一種信息處理方法、裝置、設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括：基于待分析文本的文本特征確定待分析文本之間的第一相似度，并基于第一相似度將多個(gè)待分析文本劃分為多個(gè)文本集；采用多個(gè)語(yǔ)義相似度模型，確定文本集中的每一第二類(lèi)文本集中...
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