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  • 本發明關于一種薄膜電路板,包含層狀板結構及結合至該層狀板結構外側的外加基板。電路開關設置于該層狀板結構內的可壓縮空間內。該層狀板結構具有第一通氣通道,與該可壓縮空間連通。該外加基板具有第二通氣通道,經由該層狀板結構上的通孔與該第一通氣通道連...
  • 本發明提出一種可減少氣泡產生的封裝元件及其制法,該封裝元件的制作方法是將一復合基板的一容置空間及至少一個導通孔通過一塑封層填滿,再于該塑封層上形成一重布線層、一頂面保護層,以及在該復合基板的底面形成一底面保護層;其中,該塑封層中包覆有一支撐...
  • 本申請提出一種內埋元件電路板及其制備方法。本申請通過在元件的背面(第一孔內以及基板背離元件的表面)設置冷卻介質,元件散發的熱量可被冷卻介質吸收,達到對元件散熱的目的。本申請將元件設置在外層線路板的貫通槽內,即以內埋方式設置元件,從而能降低電...
  • 本發明提供一種調節支架和機柜,其中調節支架包括:鎖定組件、固定架和活動架;固定架包括:第一安裝部和第一連接部,活動架包括:第二安裝部和第二連接部;第一安裝部與第一連接部固定連接,第二安裝部與第二連接部固定連接,第一連接部與第二連接部滑移連接...
  • 本發明涉及一種半導體器件結構及其制備方法。半導體器件結構包括襯底以及位于襯底上交替堆疊的層間介質層和導電層的堆疊結構,至少一個貫穿堆疊結構的通孔,且通孔內設置有第一字線、第一溝道層、第二字線、第二溝道層以及導電連接層;其中,第一字線與第二字...
  • 一種半導體結構及其形成方法,結構包括:基底;分柵結構,分立于所述基底頂部,所述分柵結構包括浮柵結構和控制柵結構,所述浮柵結構沿第一方向和第二方向呈矩陣分布,所述第一方向與所述第二方向相垂直,所述控制柵結構沿所述第二方向延伸且橫跨所述浮柵結構...
  • 本公開提供了一種半導體結構及其制備方法、三維存儲器、存儲系統、電子設備,涉及半導體芯片技術領域,旨在解決制備工藝復雜的問題。半導體結構包括:堆疊結構、第一溝道層、選擇柵、第二溝道層、柵極介質層以及位線接觸結構。堆疊結構包括交替層疊設置的第一...
  • 本申請涉及一種顯示面板及顯示裝置。其中,顯示面板包括相鄰的顯示區與傳感區。顯示面板還包括:襯底、發光層與濾光層。發光層位于襯底與濾光層之間,濾光層位于發光層背向襯底的一側。濾光層包括遮光部與濾光部。遮光部與濾光部相鄰,且圍繞濾光部。發光層包...
  • 本申請涉及一種電容結構及其制備方法,電容結構的制備方法包括:提供襯底,襯底上形成有第一擴散阻擋層;控制工藝腔室的溫度為第一溫度;在第一溫度的工藝條件下,于第一擴散阻擋層上形成第一極板層;于第一極板層上依次形成應力緩沖層與第二擴散阻擋層;在第...
  • 本發明提供了一種免示教自動焊接方法及系統。該系統包括控制中心、焊接執行機構、焊機、3D傳感器、免示教控制系統。其中,控制中心對外連接焊接執行機構、3D傳感器,獲取其狀態和觀測數據;焊機為獨立電源,為焊槍供電,并由焊接執行機構控制焊槍位姿以完...
  • 本發明涉及電纜收納技術領域,且公開了一種用于船舶配件的電纜收納裝置及其使用方法,包括底座,底座頂端固定安裝有電機底座,電機底座呈倒U型,且凹陷處固定安裝有第一電機,第一電機輸出端連接有縱向移動結構,縱向移動結構正面連接有收卷結構,且頂端連接...
  • 本發明提供一種洗滌設備及其控制方法、電子設備及可讀存儲介質。控制方法包括:在洗滌設備進入脫水程序后,并且在開始脫水前,控制所述洗滌設備進入脫水偏心預檢階段,所述脫水偏心預檢階段為所述洗滌設備以預設轉速運行至少一個轉停比的時間;在所述脫水偏心...
  • 本公開實施例涉及智能用例執行優先級評估機制。本文提供了用于測試選擇系統的方法、系統和非瞬態處理器可讀存儲介質。一種示例方法包括由測試選擇系統從軟件測試生命周期系統中的多個回歸測試用例中選擇回歸測試用例。測試選擇系統基于與回歸測試用例相關聯的...
  • 本發明提供了一種測試數據處理方法、裝置及電子設備,基于預設查詢語句和預設配置信息,從服務平臺獲取目標需求的需求信息;對獲取的全部需求信息進行分析統計,得到多個維度的統計信息;基于預設配置信息、獲取的全部需求信息以及多個維度的統計信息,生成包...
  • 本申請實施例提供一種確定傷情等級的方法、裝置、計算機設備及存儲介質,其中,確定傷情等級的方法包括:獲取傷員的生命體征數據和傷情信息;所述傷情信息用于描述所述傷員的傷情;基于所述生命體征數據和所述傷情信息,生成傷情文本;利用預訓練的檢傷分類模...
  • 本發明涉及一種鍵合結構及其制備方法、發光組件及其制作方法。該鍵合結構制備方法包括:提供一生長襯底;其中,所述生長襯底上外延生長有預設厚度的犧牲層;對所述犧牲層進行圖案化處理,以使所述生長襯底的部分表面露出;于所述生長襯底露出的表面和所述犧牲...
  • 本申請提供一種顯示背板、背板制作方法及顯示設備。該顯示背板包括:基板;多顆IC,多顆所述IC間隔排列在所述基板上,每一所述IC的引腳背向所述基板;顯示層,所述顯示層設于所述IC上,所述顯示層包括多顆LED,至少一顆所述LED與一顆所述IC通...
  • 本公開涉及一種表面硒摻雜的高鎳三元材料及其制備方法和應用,所述表面硒摻雜的高鎳三元材料包含化學式為LiNixCoyMnzO2?pSep
  • 本發明公開了一種半導體裝置及其制造方法,該半導體裝置包括一基底,具有一第一表面和一第二表面;一閘極接墊和一源極接墊,彼此側向分離,均設置于基底的第一表面之上;一汲極區,設置于基底的第二表面;一第一溝槽,設置于基底中,位于閘極接墊的正下方;一...
  • 本發明公開了一種溝槽結構的制造方法,該溝槽結構的制造方法包括提供一待處理的半導體基底,該半導體基底包括半導體襯底以及間隔形成于半導體襯底的表面的上方的柵極結構,相鄰柵極結構之間的半導體襯底中形成有溝槽結構,通入六氟化硫等離子體對溝槽結構進行...
技術分類
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