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  • 本申請提供一種集成電路及其制備方法、電子設備，涉及電子技術領域，可解決集成電路中電子元件實現歐姆接觸的金屬硅化物的電阻阻值隨尺寸減小而增大的問題。該集成電路包括：基底、電子元件、連接部、二氧化硅層；電子元件設于基底上，并包括接觸部，接觸部的...
  • 本發明公開了一種半導體結構及其制備方法，半導體結構包括：襯底；位于襯底上的溝道結構，溝道結構包括依次形成于襯底上的溝道層和勢壘層，溝道結構包括柵極區域，以及位于柵極區域兩側的源極區域與漏極區域；位于源極區域和漏極區域內的第一凹槽，第一凹槽至...
  • 本發明提供一種分離柵半導體器件的制作方法，包括以下步驟：提供一具有背封層的晶圓，背封層包括依次疊加的內層多晶硅層、中層氧化層與外層多晶硅層；從晶圓正面形成溝槽；形成犧牲氧化層于溝槽內壁，并采用濕法蝕刻去除犧牲氧化層；形成溝槽柵結構于溝槽中，...
  • 本發明提供了一種半導體器件終端結構的刻蝕方法，先在SiC晶圓表面沉積兩層厚度不同、致密度不同的氧化硅掩膜，然后再通過調整刻蝕工藝參數刻蝕SiC晶圓，主要是向反應腔室內通入SF6、O2作為刻蝕氣體同...
  • 本申請公開了一種基于生成式預訓練GPT模型的標注優化方法及裝置，涉及人工智能技術領域，其中，該方法包括：使用標注好的第一文本數據訓練具有N個預設類別的初始分類模型(GPT模型)得到中間分類模型；將待標注的第二文本數據輸入中間分類模型得到中間...
  • 本發明實施例提供一種有害語料挖掘方法，該方法包括：S1、獲取第一有害語料種子樣本以及語料數據集；S2、基于第一有害語料種子樣本在語料數據集中進行文本相似度檢索，得到潛在有害語料樣本集；S3、通過預設的語義特征分類模型對潛在有害語料樣本集中各...
  • 本公開提供了一種數據查詢方法、裝置、電子設備及存儲介質。其中，該方法包括：獲取問題語句；根據預先建立的生成式模型對問題語句中的圖譜信息進行識別，并將識別的圖譜信息按照預設格式進行組合，得到結構化文本表示的圖譜信息；圖譜信息至少包括實體信息和...
  • 本發明涉及一種基于約束聚焦的定向灰盒模糊測試方法，屬于網絡安全技術領域。本發明能夠減少數據流分析所需跟蹤的信息，通過約束過濾和聚焦減少數據流信息。在定向灰盒模糊測試中通過約束過濾和聚焦降低了數據流分析的開銷，簡化了數據流跟蹤過程，并避免了人...
  • 本申請公開了一種銅襯修復裝置，屬于管道焊接技術領域。所述裝置包括：底座、動力件、轉動件、夾緊機構、刀具調節機構和銑削機構；所述轉動件可轉動地設置在所述底座上，所述刀具調節機構固定在所述底座上，所述動力件設置在所述底座的一側；所述夾緊機構固定...
  • 本發明涉及戴爾根霉菌Rhizopus delemar在中藥枳實飲片炮制方法中的應用，屬于藥物炮制領域。本發明炮制方法明確了發酵菌株，避免了發酵過程空氣中雜菌的干擾，確保了枳實飲片的安全性。同時優化和確定了發酵蒸制枳實關鍵工藝參數，確保了枳實...
  • 本發明涉及一種用于阿爾茲海默病治療和改善學習記憶能力障礙的腦靶向載二苯乙烯苷和丹參酮ⅡA組合脂質體及制備方法，該組合物包含修飾因子Angiopep?2和脂質體載體以及二苯乙烯苷、丹參酮ⅡA。利用Angiopep?2作為靶頭，采用薄膜分散與硫...
  • 本發明提供一種背照式圖像傳感器，包括：電學隔離結構，其包括從襯底的正面延伸至背面的深溝槽隔離結構和形成于所述襯底的正面的淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離結構位于所述深溝槽隔離結構上方并與其相連。還提供一種背照式圖像傳感器的電學隔離結構的形成方...
  • 本公開涉及一種半導體元件的形成方法和半導體元件，其中的方法包括：步驟S10，提供具有平坦頂面的襯底(10)，所述襯底(10)頂面形成有柵極區域(20)；步驟S20，在所述柵極區域(20)的頂面形成氮化硅層(30)；步驟S30，蝕刻所述氮化硅...
  • 本發明提供了一種用于車輛的集成式高壓DCDC變換器，包括第一電路和第二電路；其中，所述第一電路包括依次串聯的EMI濾波電路、逆變電路、隔離電路、整流電路、第一濾波電路，所述EMI濾波電路與高壓直流電源相連，所述第一濾波電路與第一低壓直流電源...
  • 本公開涉及一種垂直式功率半導體器件及其制造方法。所述器件包括：襯底，具有彼此相對的二表面；襯底的第一表面上且彼此相鄰的第一柵極結構和第二柵極結構；第一介電層，覆蓋第一柵極結構、第二柵極結構和襯底的第一表面，第一介電層在第一柵極結構和第二柵極...
  • 本公開涉及一種半導體元件的形成方法和半導體元件，其中的方法包括：步驟S10，提供硅襯底，并在硅襯底的頂面上形成堆疊結構；步驟S20，通過STI刻蝕工藝依次刻蝕堆疊結構和硅襯底，以形成沿水平方向間隔設置的用作隔離區域的第一溝槽；步驟S40，通...
  • 本發明屬于半導體制造技術領域，具體涉及一種半導體外延結構形成方法及半導體器件，半導體外延結構形成方法包括以下步驟：在襯底的背面進行光刻、刻蝕，形成光刻標記；在襯底的正面外延第一層第一型摻雜外延層，在第一層第一型摻雜外延層的表面旋涂光刻膠；或...
  • 本發明公開了一種軍工詞匯挖掘方法、裝置、設備及存儲介質，具體公開了：對待識別軍工語料進行分詞，獲得多個初始詞，根據目標軍工詞典對應的規則庫分別對多個初始詞進行識別，并根據識別結果從多個初始詞中篩選出符合規則庫中各規則的候選詞，獲取各候選詞的...
  • 本公開涉及測試技術領域，公開了基于測試用例的代碼生成方法、裝置、設備及存儲介質。其中，該方法包括：獲取目標測試用例；基于目標測試用例的代碼描述信息，生成目標測試用例的提示信息；基于提示信息，生成目標測試用例對應的目標功能代碼。通過實施本公開...
  • 本發明提供了一種數據質量診斷方法、數據修復方法及數據處理系統，其中數據質量診斷方法包括提供多個數據節點，每個數據節點包括節點屬性，其中節點屬性包括預設信息、數據節點提取位置、物理連接關系和數據加工過程中的一項或多項；根據每個數據節點的節點屬...
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