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  • 本發(fā)明提供了一種數(shù)據(jù)質(zhì)量診斷方法、數(shù)據(jù)修復(fù)方法及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中數(shù)據(jù)質(zhì)量診斷方法包括提供多個(gè)數(shù)據(jù)節(jié)點(diǎn)，每個(gè)數(shù)據(jù)節(jié)點(diǎn)包括節(jié)點(diǎn)屬性，其中節(jié)點(diǎn)屬性包括預(yù)設(shè)信息、數(shù)據(jù)節(jié)點(diǎn)提取位置、物理連接關(guān)系和數(shù)據(jù)加工過(guò)程中的一項(xiàng)或多項(xiàng)；根據(jù)每個(gè)數(shù)據(jù)節(jié)點(diǎn)的節(jié)點(diǎn)屬...
  • 本發(fā)明提供了一種抗壓縮母粒及其制備方法和一種低壓縮形變發(fā)泡材料及其制備方法，所述抗壓縮母粒是以具有碳碳雙鍵的TPU為基體，高回彈橡膠為改性劑，酚醛類(lèi)樹(shù)脂為引發(fā)劑，經(jīng)熔融接枝反應(yīng)制得。將所述的抗壓縮母粒加入發(fā)泡材料配方中，得到發(fā)泡材料性能優(yōu)異...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種IBC桶用高密度聚乙烯樹(shù)脂及其制備方法，所述的樹(shù)脂含有以下重量份的原料：乙烯己烯共聚聚乙烯基礎(chǔ)樹(shù)脂100份、光穩(wěn)定劑0.08～0.25份、主抗氧劑0.05～0.15份和輔助抗氧劑0.03～0.12份；各物料經(jīng)過(guò)混合器混勻后，...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種大中空容器和托盤(pán)用高密度聚乙烯樹(shù)脂及其制備方法，所述的樹(shù)脂包括以下重量份的原料：100重量份乙烯己烯共聚聚乙烯基礎(chǔ)樹(shù)脂、0.06～0.15重量份主抗氧劑和0.05～0.11重量份輔助抗氧劑；各組分經(jīng)過(guò)混合器混勻后，經(jīng)擠壓機(jī)加...
  • 根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池制造設(shè)備包括：第一分配器，用于將導(dǎo)電粘合劑涂敷到太陽(yáng)能電池的第一側(cè)；翻轉(zhuǎn)部件，翻轉(zhuǎn)太陽(yáng)能電池；第二分配器，用于將導(dǎo)電粘合劑涂敷到太陽(yáng)能電池的第二側(cè)；第一傳送器，將太陽(yáng)能電池(其第一側(cè)通過(guò)第一分配器涂敷)運(yùn)輸?shù)椒?..
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N電容器、存儲(chǔ)單元、存儲(chǔ)陣列、存儲(chǔ)器和電子設(shè)備。其中，電容器包括：第一電極，第一電極包括第一子電極和第二子電極，第二子電極環(huán)繞第一子電極且與第一子電極的側(cè)面連接；第二電極，第二電極環(huán)繞第一電極，且與第一子電極朝向所述第二子電極...
  • 本發(fā)明提供一種磁存儲(chǔ)單元制備方法，所述方法包括：提供一襯底，所述襯底包括磁存儲(chǔ)單元底電極；在所述底電極上制備磁隧道結(jié)疊層，并獲取所述磁隧道結(jié)疊層的一個(gè)以上的實(shí)際參數(shù)；將所述實(shí)際參數(shù)與對(duì)應(yīng)的第一預(yù)設(shè)參數(shù)進(jìn)行比較，確定比較結(jié)果；依據(jù)所述比較結(jié)果...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N顯示面板和顯示裝置，該顯示面板通過(guò)使任意兩條時(shí)鐘信號(hào)線中，一條時(shí)鐘信號(hào)線和一重復(fù)單元內(nèi)對(duì)應(yīng)的所有通孔的重疊面積與另一條時(shí)鐘信號(hào)線和一重復(fù)單元內(nèi)對(duì)應(yīng)的所有通孔的重疊面積相等，且任一時(shí)鐘信號(hào)線與一重復(fù)單元內(nèi)通孔的重疊面積等于時(shí)鐘信...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種光電器件及其制備方法及顯示裝置，光電器件包括層疊的陽(yáng)極、活性層以及陰極，所述活性層的材料包括自組裝材料。本申請(qǐng)技術(shù)方案提供的光電器件，采用包含自組裝材料的活性層，有助于提高器件的電流效率。
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)一種發(fā)光器件、發(fā)光器件的制備方法以及電子設(shè)備，在所述發(fā)光器件中，發(fā)光層的材料包含具有核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，通過(guò)調(diào)控量子點(diǎn)中核體的平均粒徑和殼層的厚度能夠提高空穴注入水平與電子注入水平之間的匹配度，促進(jìn)載流子傳輸平衡，從而提升發(fā)光器件的...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)一種發(fā)光器件、發(fā)光器件的制備方法以及電子設(shè)備，在所述發(fā)光器件中，發(fā)光層的材料包含具有核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，通過(guò)調(diào)控量子點(diǎn)中核體的平均粒徑和殼層的厚度能夠提高空穴注入水平與電子注入水平之間的匹配度，促進(jìn)載流子傳輸平衡，從而提升發(fā)光器件的...
  • 本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)及其制備方法，存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括：自下而上依次堆疊的襯底、金屬互連層、存儲(chǔ)陣列和頂部金屬層；存儲(chǔ)陣列包括：工作存儲(chǔ)子陣列和dummy存儲(chǔ)子陣列，工作存儲(chǔ)子陣列用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，dummy存儲(chǔ)子陣列包圍工作存儲(chǔ)子陣列；工作存儲(chǔ)子陣...
  • 本公開(kāi)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基底；位于基底上的寫(xiě)晶體管以及讀晶體管，寫(xiě)晶體管包括第一柵極、環(huán)繞第一柵極的第一半導(dǎo)體層、沿第一方向延伸的寫(xiě)位線以及沿第二方向延伸的寫(xiě)字線，寫(xiě)位線與第一...
  • 本公開(kāi)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，提供一種存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)及其制造方法，結(jié)構(gòu)包括：存儲(chǔ)晶體管、位線和電容，多個(gè)存儲(chǔ)晶體管在沿第一方向間隔排列，存儲(chǔ)晶體管包括沿第二方向相對(duì)設(shè)置的第一側(cè)和第二側(cè)；位線包括沿第一方向上交替連接的第一部分和第二部分，第一部分位于...
  • 一種半導(dǎo)體器件、存儲(chǔ)器及其制造方法、電子設(shè)備，屬于半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域，所述半導(dǎo)體器件包括：襯底和設(shè)置在所述襯底上的至少一個(gè)存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元包括：讀取晶體管，包括第一柵電極、第二柵電極和第一半導(dǎo)體層；所述第一柵電極與讀字線連接；...
  • 本公開(kāi)涉及一種存儲(chǔ)器及其制造方法、電子設(shè)備。該存儲(chǔ)器的制造方法，包括以下步驟：對(duì)沿垂直襯底方向形成交替層疊的多層隔離材料層和多層導(dǎo)電材料層進(jìn)行一次刻蝕工藝，形成具有相同圖案的多層隔離圖案層和多層導(dǎo)電圖案層；導(dǎo)電圖案層包括沿第一方向延伸的位線...
  • 本發(fā)明揭示一種金屬層填縫結(jié)構(gòu)，包括一金屬基板、以及一介電材料，該金屬基板包括至少一鏤空的準(zhǔn)分割單元、以及完整包圍該準(zhǔn)分割單元的溝渠，該介電材料填入于該溝渠的全部或部分區(qū)域內(nèi)以強(qiáng)化并支撐該金屬基板上的該準(zhǔn)分割單元。
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N電路板，其包括電路基板、黑化層和黑色油墨層。電路基板包括基層和設(shè)置于基層表面的導(dǎo)電線路層，導(dǎo)電線路層包括導(dǎo)電圖案和連接墊，導(dǎo)電圖案和連接墊之間具有間隙。黑化層包覆導(dǎo)電圖案顯露于基層外的表面。黑色油墨層覆蓋導(dǎo)電線路層背離基層的表...
  • 本發(fā)明公開(kāi)一種模塊化飛機(jī)座艙照明調(diào)光控制系統(tǒng)架構(gòu)。所述模塊化飛機(jī)座艙照明調(diào)光控制系統(tǒng)架構(gòu)基于模塊化設(shè)計(jì)，具體包括：機(jī)上直流電源、防反電路一、濾波電路一、浪涌抑制電路一、電源處理電路一、DSP控制電路、離散量采集電路、模擬量采集電路、A/D轉(zhuǎn)...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环NSINK架構(gòu)的LED驅(qū)動(dòng)電路及LED驅(qū)動(dòng)芯片，在LED模塊的輸入端設(shè)置電壓調(diào)節(jié)電路，在LED模塊的輸出端設(shè)置運(yùn)算放大器，利用運(yùn)輸放大器將LED模塊輸出端的恒流源電壓與參考電壓進(jìn)行運(yùn)算得到第一電壓信號(hào)，電壓調(diào)節(jié)電路根據(jù)第一電壓信...
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