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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明提供一種包含硅基活性物質(zhì)、在充放電時厚度變化小、即使反復(fù)充放電其厚度也不會變大的負(fù)極用粘合劑組合物。該負(fù)極用粘合劑組合物包含含氟聚合物、硅基負(fù)極活性物質(zhì)、增粘劑和水，上述含氟聚合物具有基于四氟乙烯的單元、但不具有基于偏二氟乙烯的單元，...
  • 本發(fā)明提供電極用粘合劑組合物的制造方法、電極用粘合劑組合物以及二次電池。電極用粘合劑組合物的制造方法為包含含氟聚合物、電極活性物質(zhì)、導(dǎo)電材料、以及作為分散介質(zhì)的水和有機溶劑的電極用粘合劑組合物的制造方法，包括：將所述電極活性物質(zhì)和所述導(dǎo)電材...
  • 本發(fā)明提供了一種負(fù)極材料及其制備方法、負(fù)極片、電化學(xué)裝置和電子設(shè)備。本發(fā)明的負(fù)極材料包括復(fù)合碳材料和鈉離子，所述鈉離子位于所述復(fù)合碳材料的表面和/或內(nèi)部；其中，所述復(fù)合碳材料包括碳納米材料和嵌入碳納米材料表面的ZnX，X選自O(shè)、S和Se中的...
  • 本發(fā)明公開了一種鈉離子電池正極漿料及其制備方法，屬于電池技術(shù)領(lǐng)域。所述制備方法包括以下步驟：S1：含第一導(dǎo)電劑和正極材料的原料混合、攪拌分散，得到固體粉料；S2：步驟S1中的所述固體粉料、分散助劑溶液和部分量的粘結(jié)劑溶液混合，在真空條件下攪...
  • 本公開實施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：第一襯底以及位于第一襯底中的半導(dǎo)體器件；多個第一導(dǎo)電墊，連接半導(dǎo)體器件；多個第二導(dǎo)電墊，至少一個第一導(dǎo)電墊和至少一個第二導(dǎo)電墊通過沿垂直于第一襯底的方向延伸的第...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N封裝結(jié)構(gòu)及通信設(shè)備，封裝結(jié)構(gòu)包括：基板、芯片、固定件、第一輻射結(jié)構(gòu)和第一介質(zhì)波導(dǎo)。示例性地，芯片可以為射頻芯片，第一輻射結(jié)構(gòu)可以為天線或其他具有信號發(fā)射功能的元件。芯片固定于基板的表面，固定件固定于基板背離芯片一側(cè)的表面。固...
  • 本發(fā)明涉及晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種超臨界晶圓清洗/干燥介質(zhì)回收方法以及系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)高純度的清洗/干燥介質(zhì)的持續(xù)地離回收。其中，該超臨界晶圓清洗/干燥介質(zhì)回收方法，包括以下步驟：清洗/干燥步驟，利用超臨界態(tài)的清洗/干燥介質(zhì)溶解并帶走晶圓...
  • 本申請涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種腔室升溫監(jiān)測方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備。方法包括：獲取影響工藝腔室升溫過程的相關(guān)變量的實時數(shù)據(jù)，以及獲取工藝腔室中加熱部件的實時溫度實際值，其中，相關(guān)變量包括連續(xù)型變量和數(shù)字型變量，數(shù)字型變量包括工藝腔室的...
  • 本發(fā)明提供了承載裝置的溫度控制方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備；其中，該方法包括：對于承載裝置的多個溫區(qū)，計算任意相鄰兩個溫區(qū)之間的溫度差值，得到多個溫差，將差不大于第一閾值，且，不小于第二閾值的溫差確定為目標(biāo)溫差；對任一目標(biāo)溫差，控制目標(biāo)溫差對應(yīng)的高...
  • 本發(fā)明屬于引線鍵合技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種鍵合工裝，包括支撐臺和固定組件，所述支撐臺用于放置待鍵合的模塊，所述固定組件包括壓板和動力機構(gòu)，所述壓板朝向支撐臺設(shè)置，所述動力機構(gòu)用于驅(qū)動壓板朝靠近或遠(yuǎn)離支撐臺的方向移動，且所述壓板中部設(shè)置有用于露...
  • 本發(fā)明涉及一種金屬硅化物的制備方法，該方法包括以下步驟：在具有特征器件的含硅襯底上形成金屬層；在具有金屬層的含硅襯底上形成氧化層，且所述氧化層位于所述含硅襯底的邊緣；對所述含硅襯底進行第一退火，以使所述金屬層與所述含硅襯底中的硅反應(yīng)生成第一...
  • 本公開提供了一種鋁鎵氮材料及其制備方法，可以應(yīng)用于氮化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。該方法包括：利用金屬有機物氣相沉積反應(yīng)法在襯底10上制備氮化鎵成核層20；通過退火的方式對氮化鎵成核層20進行重結(jié)晶處理；利用金屬有機物氣相沉積反應(yīng)法在重結(jié)晶后的氮化鎵...
  • 本發(fā)明涉及一種快速切換組合試劑離子的光電離離子遷移譜，包括光電離離子遷移譜、試劑離子發(fā)生裝置，試劑分子載氣將試劑分子引入到離子遷移譜的反應(yīng)區(qū)，在正離子模式通過組合切換不同的氣路和試劑分子可以得到不同類型的試劑離子，常規(guī)氣流模式下的試劑離子主...
  • 本申請公開了一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括：工藝腔室、第一射頻饋入件、第二射頻饋入件、第一匹配器和阻抗可調(diào)裝置；工藝腔室包括：腔體和承載裝置，承載裝置設(shè)于腔體內(nèi)，第一射頻饋入件的一端穿入腔體并與承載裝置連接，第...
  • 本申請?zhí)峁┮环N輔助觸頭結(jié)構(gòu)及接觸器，涉及低壓電器技術(shù)領(lǐng)域，本申請的輔助觸頭結(jié)構(gòu)，包括轉(zhuǎn)動件和多個接觸點，轉(zhuǎn)動件用于與接觸器的動觸頭連接，動觸頭接通第一回路或第二回路，轉(zhuǎn)動件在隨著動觸頭轉(zhuǎn)動過程中，具有與動觸頭接通第一回路對應(yīng)的第一狀態(tài)和與動...
  • 本申請?zhí)峁┮环N開關(guān)裝置，包括開關(guān)部件、功能觸發(fā)部件、檢測單元、驅(qū)動單元和控制單元，其中，開關(guān)部件被設(shè)置為能夠沿第一方向在與功能觸發(fā)部件相接觸的第一位置和與功能觸發(fā)部件相分離的第二位置之間移動；功能觸發(fā)部件用于在與開關(guān)部件相接觸時觸發(fā)功能狀態(tài)...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N互鎖開關(guān)單元、配電盒及供電系統(tǒng)，涉及低壓電器技術(shù)領(lǐng)域。該觸頭結(jié)構(gòu)包括互鎖開關(guān)單元，包括至少兩個靜觸頭組件以及能夠與靜觸頭組件接觸或分離的動觸頭組件；動觸頭組件包括動觸頭、分別與動觸頭驅(qū)動連接的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動件和直動驅(qū)動件，靜觸頭組...
  • 本發(fā)明公開一種防火開關(guān)支架自鎖機構(gòu)。所述自鎖機構(gòu)用于實現(xiàn)所述防火開關(guān)支架的運動鎖定。所述自鎖機構(gòu)包括：機構(gòu)蓋板、機構(gòu)自鎖片和機構(gòu)扭簧。本發(fā)明的有益效果在于：不改變所述防火開關(guān)支架的運動軌跡，通過所述機構(gòu)自鎖片和所述機構(gòu)扭簧實現(xiàn)所述防火開關(guān)支...
  • 本發(fā)明涉及一種超級電容器電解液及超級電容器。電解質(zhì)鹽包括四氟硼酸季銨鹽和二氟草酸硼酸季銨鹽，添加劑為丙烯基?1,3?磺酸內(nèi)酯和/或1,4?丁磺酸內(nèi)酯。本發(fā)明通過四氟硼酸季銨鹽和二氟草酸硼酸季銨鹽復(fù)配形成的電解質(zhì)鹽與丙烯基?1,3?磺酸內(nèi)酯或...
  • 本發(fā)明公開了一種電極復(fù)合材料的制備方法、電極復(fù)合材料及其應(yīng)用,制備方法包括：將軟碳原材料依次進行粉碎、酸洗，得到軟碳前驅(qū)體；將軟碳前驅(qū)體、硬碳材料、無水乙醇置于砂磨機中進行砂磨處理，混合均勻得到混合分散液；將混合分散液進行干燥處理，得到復(fù)合...
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