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  • 本申請(qǐng)涉及一種機(jī)械臂自動(dòng)配準(zhǔn)方法、工具自動(dòng)標(biāo)定方法及機(jī)器人系統(tǒng)。機(jī)械臂自動(dòng)配準(zhǔn)方法包括：響應(yīng)于操作主體給出的配準(zhǔn)標(biāo)定指令，機(jī)械臂自動(dòng)移動(dòng)以使目標(biāo)配準(zhǔn)點(diǎn)從起始位姿移動(dòng)到達(dá)預(yù)設(shè)數(shù)量的第一位姿；其中，起始位姿和第一位姿均為目標(biāo)配準(zhǔn)點(diǎn)相對(duì)機(jī)械臂基座...
  • 本發(fā)明提供基于機(jī)器人腹腔鏡協(xié)同的系統(tǒng)調(diào)控方法及介質(zhì)，涉及腹腔鏡協(xié)同技術(shù)領(lǐng)域，方法包括：采集工作圖像；從工作圖像集中提取樣本信息以及器械信息，通過(guò)樣本信息和器械信息，確定影響因子；通過(guò)樣本信息和影響因子，確定器械下一時(shí)段的預(yù)測(cè)路徑和預(yù)測(cè)速度；...
  • 本發(fā)明涉及介入治療裝置的技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種穿刺介入手術(shù)可調(diào)式壓迫裝置，包括：夾持機(jī)構(gòu)，用于夾持在患者穿刺點(diǎn)處的肢體上；壓迫機(jī)構(gòu)，設(shè)置在夾持機(jī)構(gòu)內(nèi)部用于對(duì)穿刺點(diǎn)進(jìn)行壓迫；調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，設(shè)置在夾持機(jī)構(gòu)上用于對(duì)壓迫機(jī)構(gòu)的壓迫力進(jìn)行調(diào)節(jié)；前置預(yù)壓機(jī)構(gòu)...
  • 本發(fā)明提供一種集穿刺與儲(chǔ)存一體化的甲狀腺結(jié)節(jié)穿刺裝置包括針?biāo)ā⑨樄堋⑨橆^和密封蓋，所述針?biāo)ㄔO(shè)于針管內(nèi)部，所述針?biāo)òㄡ標(biāo)ū倔w、圓柱通道、注射通道、儲(chǔ)存腔、儲(chǔ)存通道、控制桿和密封圈，所述密封圈包括開(kāi)孔密封圈和封閉密封圈，所述針?biāo)ū倔w頂端固定連...
  • 本申請(qǐng)涉及睡眠數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及適用于夜間磨牙保護(hù)個(gè)性化定制的睡眠數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)方法，該方法包括：基于幅值受擾性，以及睡眠覺(jué)醒傾向程度和睡眠錠不規(guī)則狀況，構(gòu)建高頻腦電特征因子；提取低頻腦電信號(hào)中所有峰值和所有谷值，并比較相鄰峰值與谷值之間...
  • 本發(fā)明涉及異常步態(tài)檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種智能穿戴設(shè)備的步態(tài)分析與異常檢測(cè)系統(tǒng)及方法。數(shù)據(jù)采集模塊用于采集運(yùn)動(dòng)、生理數(shù)據(jù)和路況信息；移動(dòng)速度計(jì)算模塊用于計(jì)算移動(dòng)速度；步態(tài)預(yù)測(cè)模塊用于獲取預(yù)測(cè)步態(tài)和預(yù)測(cè)移動(dòng)量；步態(tài)特征提取模塊用于提取關(guān)節(jié)...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種高密封性的動(dòng)脈穿刺置管針，包括，置管針本體，包括外針頭、設(shè)置在外針頭內(nèi)的內(nèi)針頭以及與外針頭相連通的外置管，所述外置管上設(shè)有連接部件；以及，密封組件，包括設(shè)置在外針頭內(nèi)的第一密封部件以及設(shè)置在外置管上的第二密封部件；外鎖止組件...
  • 本發(fā)明涉及一種調(diào)節(jié)果樹(shù)坐果率的生長(zhǎng)調(diào)節(jié)劑及其制備方法，屬于植物生長(zhǎng)調(diào)節(jié)劑技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所述生長(zhǎng)調(diào)節(jié)劑，主要由以下成分制備而成：微生物發(fā)酵物0.5?0.8重量份、硼酸1?1.5重量份、磷酸二氫鉀3?3.5重量份、海藻酸鈉3?5重量份、三甲基...
  • 本公開(kāi)屬于農(nóng)作物種植技術(shù)領(lǐng)域，提供了二乙基二硫代氨基甲酸鈉在提高水稻鹽脅迫耐受性中的應(yīng)用。本公開(kāi)提高水稻鹽脅迫耐受性的方法，包括在水稻的分蘗盛期至幼穗分化第5期中任一時(shí)期或任意兩個(gè)及以上時(shí)期噴施工作濃度為10~50μg/L的二乙基二硫代氨基...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種農(nóng)業(yè)種植基地用灌溉設(shè)備，涉及農(nóng)業(yè)種植技術(shù)領(lǐng)域，包括輸水筒，所述輸水筒的內(nèi)壁滑動(dòng)連接有分流管，且分流管的底部固定連接有過(guò)濾框，所述過(guò)濾框的底部固定連接有固定桿，所述分流管的外壁固定連接有若干輸水管，所述固定桿的底部設(shè)置有驅(qū)動(dòng)機(jī)...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種能方便避免根團(tuán)的盆栽植物種植方法，包括如下步驟：a.將花盆下部腔體與花盆底座蓋相互插入扣合，在花盆下部腔體內(nèi)放置一個(gè)裝有所需基質(zhì)的多孔無(wú)紡布基質(zhì)袋；b.將花盆上部腔體插入扣合在花盆下部腔體上面，在上部腔體內(nèi)放置所需基質(zhì)；c....
  • 本發(fā)明公開(kāi)一種公路綠籬智能修剪機(jī)，涉及綠籬修剪技術(shù)領(lǐng)域；包括底座，底座上設(shè)置有支架，支架上升降設(shè)置有滑座一，滑座一上滑動(dòng)安裝有安裝座，安裝座上旋轉(zhuǎn)安裝有轉(zhuǎn)座，轉(zhuǎn)座上旋轉(zhuǎn)設(shè)置有兩個(gè)修剪機(jī)構(gòu)，修剪機(jī)構(gòu)包括旋轉(zhuǎn)安裝在轉(zhuǎn)座上的角度架，角度架上滑動(dòng)安...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種秸稈還田裝置，包括秸稈粉碎機(jī)構(gòu)和施肥混合機(jī)構(gòu)，所述秸稈粉碎機(jī)構(gòu)是由防護(hù)罩和粉碎筒組成，在所述防護(hù)罩內(nèi)設(shè)有齒輪箱，在所述齒輪箱內(nèi)通過(guò)第一錐齒輪組連接有棘輪，所述粉碎筒位于防護(hù)罩的上方，在所述粉碎筒內(nèi)設(shè)有與電機(jī)連接的刀架，在所述...
  • 本發(fā)明涉及種子播種技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種精量播種系統(tǒng)，包括移動(dòng)機(jī)構(gòu)，移動(dòng)機(jī)構(gòu)包括移動(dòng)底盤(pán)，移動(dòng)底盤(pán)上設(shè)有外殼，外殼上設(shè)有播種機(jī)構(gòu)，外殼的內(nèi)部設(shè)有控制機(jī)構(gòu)，播種機(jī)構(gòu)包括連接于外殼的固定架，固定架的一側(cè)設(shè)有可升降的固定框，固定框與外殼之間鉸接有...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于鐵電面外極化的自整流鐵電憶阻器及其制備方法。該憶阻器從上至下為上電極層、鐵電層、半導(dǎo)體層垂直結(jié)構(gòu)；鐵電層為具有面外鐵電極化的鐵電半導(dǎo)體；鐵電層的面外極化方向同時(shí)垂直于上電極層/鐵電層界面和鐵電層/半導(dǎo)體層界面，兩個(gè)接觸面...
  • 本發(fā)明涉及紅外感應(yīng)技術(shù)領(lǐng)域，且公開(kāi)了一種鉭酸鋰紅外感應(yīng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，包括：基底，由支撐襯底和超低熱導(dǎo)率絕熱層構(gòu)成，所述支撐襯底為硅基或藍(lán)寶石基材料，所述超低熱導(dǎo)率絕熱層由改性二氧化硅氣凝膠復(fù)合層構(gòu)成，與支撐襯底通過(guò)低溫等離子鍵合工藝集成；鉭酸鋰...
  • 本發(fā)明提供了一種疊層太陽(yáng)能電池的子電池電致發(fā)光測(cè)試裝置及方法，屬于光伏電池測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，包括電流注入模塊、至少兩個(gè)Si?CCD相機(jī)、至少兩個(gè)濾光片、光源補(bǔ)償裝置、數(shù)據(jù)采集模塊、輸出模塊以及載物臺(tái)，采用兩個(gè)Si?CCD相機(jī)，分別捕捉鈣鈦礦和硅...
  • 本發(fā)明提供了一種透明導(dǎo)電電極的光電參數(shù)調(diào)控方法及其在疊層太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用，屬于疊層光伏電池技術(shù)領(lǐng)域，具體通過(guò)對(duì)沉積所得透明導(dǎo)電電極進(jìn)行濕度、氧氣浸泡時(shí)效處理實(shí)現(xiàn)；其中，處理的濕度為3~10%，處理的氧氣濃度為20~25%，處理的時(shí)效為8~...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種高出光效率LED芯片及其制備方法，涉及半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域。制備方法包括：提供外延片；其包括依次層疊的襯底、第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層；在外延片上形成透明導(dǎo)電層；刻蝕形成暴露第一半導(dǎo)體層的裸露區(qū)域；形成第一電極和第二電...
  • 本發(fā)明涉及一種圖像傳感器的制備方法、圖像傳感器，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，該圖像傳感器在隔離凹槽內(nèi)設(shè)置了具有第一摻雜離子的阻隔層，由于該阻隔層的致密性較高，可以阻隔刻蝕時(shí)外部離子從隔離溝槽的界面處鉆入像素區(qū)，所以避免了由于界面處缺陷造成的暗電流的產(chǎn)...
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