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  • 本申請?zhí)岢隽穗娊庖骸㈦姵匾约坝秒娫O(shè)備，所述電解液包括氧化還原介對，所述氧化還原介對僅具有一個氧化電位，所述氧化還原介對的氧化電位為3.4V?4.2V。由此，降低容量補償劑的分解電壓，提高電池的循環(huán)容量保持率。
  • 本發(fā)明涉及一種液流電池復(fù)合膜?電極及其制備方法、液流電池，該液流電池復(fù)合膜?電極，包括：表面涂覆有催化涂層的質(zhì)子交換膜和兩個液體擴散層，其中，質(zhì)子交換膜包括Nafion膜，質(zhì)子交換膜包括主體部和位于主體部兩側(cè)的多個突觸部；每一側(cè)的多個突觸部...
  • 本申請涉及負(fù)極材料及其制備方法、鋰離子電池，負(fù)極材料包括碳基體及活性物質(zhì)，碳基體具有孔隙，至少部分的活性物質(zhì)分布于碳基體的孔隙內(nèi)。本申請的負(fù)極材料中碳基體孔隙內(nèi)的二氧化碳能夠快速的溶解于電解液中，并促進(jìn)電解質(zhì)進(jìn)入到負(fù)極材料的孔隙中，同時，在...
  • 本申請公開了一種硅碳負(fù)極材料及其制備方法和應(yīng)用。所述硅碳負(fù)極材料具有核殼結(jié)構(gòu)，內(nèi)核為納米硅，外殼為碳層；內(nèi)核與所述外殼之間具有空隙；內(nèi)核的粒徑為50～100nm；硅碳負(fù)極材料中，所述納米硅的質(zhì)量含量為50～60wt％。所制備的鋰離子電池硅碳...
  • 本發(fā)明提供了一種環(huán)氧化天然橡膠包覆的鋰電池正極活性材料及其制備方法和應(yīng)用，包括如下步驟：1)將環(huán)氧化天然橡膠溶解于甲苯，并加入過氧化二異丙苯(DCP)溶解；2)取步驟1)制備的溶液，加入正極活性材料顆粒，加熱攪拌；3)將步驟2)所得材料進(jìn)行...
  • 本申請公開了一種鋅鎳電池的負(fù)極及其制備方法。所述負(fù)極包括鋅箔和覆蓋于所述鋅箔表面的界面層；該聚合物人工固體電解質(zhì)界面層的制備方法簡單，產(chǎn)率高；通過旋涂的方法可以均勻的將材料旋涂在鋅箔上；該聚合物人工固體電解質(zhì)界面層提高了堿性鋅鎳電池鋅負(fù)極的...
  • 本申請實施例提供了一種正極極片及其制備方法、電池單體、電池和用電裝置。該正極極片包括正極集流體和設(shè)置于正極集流體至少一側(cè)的正極膜層，正極膜層包括正極活性材料和疏水添加劑。本申請的技術(shù)方案可以降低正極極片中的含水量，從而提高電池的循環(huán)性能。
  • 本申請公開了一種負(fù)極極片、電池單體、電池和用電裝置，負(fù)極極片包括負(fù)極集流體以及位于負(fù)極集流體至少一個表面上的修飾層，修飾層包括堿金屬親和層以及位于堿金屬親和層遠(yuǎn)離負(fù)極集流體表面上的非金屬導(dǎo)電層；堿金屬親和層的形核過電位記為V1
  • 本申請公開了一種正極的制備方法、正極及應(yīng)用。包括以下步驟：將含有活性材料、導(dǎo)電劑、保液劑和粘結(jié)劑的原料混合，剪切攪拌、預(yù)成型、延壓，得到正極膜，將所述正極膜與集流體貼合，得到所述正極。
  • 本申請?zhí)峁┌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底的第一表面包括第一外延層和第二外延層以及相互垂直的x方向和y方向和若干沿x方向交替分布的第一區(qū)域和第二區(qū)域；位于所述若干第二區(qū)域的第二外延層中的若干第一溝槽；位...
  • 本發(fā)明涉及一種具有晶圓片定位功能的晶圓片承載裝置，用于固定晶圓片于其上，并且可對晶圓片進(jìn)行定位，并且晶圓片的邊緣包含定位結(jié)構(gòu)，晶圓片承載裝置包括有基座、承載盤、多個頂針、線性致動器以及對準(zhǔn)器。承載盤設(shè)置于基座上。承載盤包含上表面以及下表面；...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括反應(yīng)腔室、組件腔室、旋轉(zhuǎn)伸縮機構(gòu)和邊緣保護(hù)環(huán)，反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有用于承載晶圓的承載部件，組件腔室設(shè)置在反應(yīng)腔室的周側(cè)，且組件腔室的第一側(cè)與反應(yīng)腔室可選擇的通斷連接，組件腔室的第二側(cè)與外界環(huán)境可選擇的通斷；旋轉(zhuǎn)伸縮...
  • 本公開提供了一種芯片貼裝方法及芯片封裝方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，以在保證芯片質(zhì)量的同時，控制芯片貼裝的成本。芯片貼裝方法包括：提供設(shè)置有多個裸片的承載膜，多個裸片被劃分為多個等級；將目標(biāo)等級的多個裸片移動至基板上，目標(biāo)等級為多個等級中裸片數(shù)...
  • 本發(fā)明提供了一種金屬焊盤結(jié)構(gòu)及其制備方法，所述制備方法包括：提供襯底，襯底中形成有金屬線及覆蓋金屬線的層間介質(zhì)層；在金屬線上的層間介質(zhì)層中形成第一開口暴露金屬線的表面，且第一開口的底部設(shè)有分隔圖形覆蓋金屬線的部分表面；形成第一焊盤層順形地覆...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，在已生成具有邊緣部的初始局部氧化結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，形成圖案化掩膜層，該圖案化掩膜層的開口對準(zhǔn)初始局部氧化結(jié)構(gòu)的邊緣部，在該圖案化掩膜層和邊緣部的掩蔽作用下，對開口中的襯底進(jìn)行用于提高氧化率的離子注入，利用開口...
  • 本發(fā)明半導(dǎo)體基片的表面處理方法，包括：在半導(dǎo)體基片的表面上形成氧化硅層；在所述氧化硅層上形成過渡層；在所述過渡層上形成硅基層；以及在所述硅基層上形成柵極絕緣層。本發(fā)明可在半導(dǎo)體基片上形成結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的柵極絕緣膜，而且該方法操作簡單、成本低、生產(chǎn)...
  • 本發(fā)明提供一種改善薄膜均勻性的方法，所述方法包括：提供襯底，所述襯底內(nèi)形成有多個溝槽，使得所述襯底具有溝槽部以及位于相鄰所述溝槽部之間的凸起部；對所述襯底進(jìn)行離子注入，以使所述凸起部的至少部分表面非晶化形成非晶層；對所述襯底以及所述非晶層進(jìn)...
  • 本發(fā)明公開的半導(dǎo)體襯底的制造方法包括：提供半導(dǎo)體襯底基材，所述半導(dǎo)體襯底基材包括含硅材料；在真空環(huán)境下，照射所述半導(dǎo)體襯底基材的表面使所述表面熔融形成液態(tài)表面；以及在所述液態(tài)表面沉積薄膜層以獲得半導(dǎo)體襯底，所述薄膜層為氮化硅和/氧化硅。本發(fā)...
  • 本發(fā)明涉及電子控制器件技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種推動結(jié)構(gòu)及繼電器。推動結(jié)構(gòu)包括推動桿，推動桿具有第一端和第二端，推動桿的周向表面設(shè)置有環(huán)形槽，用于安裝擋圈；沿推動桿的軸向，環(huán)形槽的槽底與推動桿的軸線之間的垂直距離不完全相等；擋圈能夠與環(huán)形...
  • 一種電感結(jié)構(gòu)，其于絕緣體中埋設(shè)電感本體及具有多個穿孔的磁芯結(jié)構(gòu)，以借由該多個穿孔提升該磁芯結(jié)構(gòu)與該絕緣體之間的結(jié)合力，故本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)能避免剝離現(xiàn)象的發(fā)生。
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