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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種IBC電池及其制備方法，其中，本發(fā)明實(shí)施例通過在原硅區(qū)域形成含硼硅涂層并進(jìn)行激光摻雜處理，即可以對該原硅區(qū)域進(jìn)行高濃度硼摻雜而形成p型摻雜區(qū)，避免了采用傳統(tǒng)管式硼源的摻雜方式帶來的副作用，提升了電池的轉(zhuǎn)換效率。
  • 一種MOSFET芯片、晶體管、電源和電子設(shè)備，該MOSFET芯片包括柵極焊盤、至少兩條柵極總線和至少兩個(gè)原胞區(qū)域，至少兩個(gè)原胞區(qū)域中的每個(gè)原胞區(qū)域包括至少一個(gè)原胞單元。至少兩條柵極總線中的每條柵極總線與至少兩個(gè)原胞區(qū)域中不同的原胞區(qū)域連接，...
  • 本申請?zhí)峁┮环N集成電路及其制備方法、電子設(shè)備，涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，可解決集成電路中電子元件實(shí)現(xiàn)歐姆接觸的金屬硅化物的電阻阻值隨尺寸減小而增大的問題。該集成電路包括：基底、電子元件、連接部、二氧化硅層；電子元件設(shè)于基底上，并包括接觸部，接觸部的...
  • 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底；位于襯底上的溝道結(jié)構(gòu)，溝道結(jié)構(gòu)包括依次形成于襯底上的溝道層和勢壘層，溝道結(jié)構(gòu)包括柵極區(qū)域，以及位于柵極區(qū)域兩側(cè)的源極區(qū)域與漏極區(qū)域；位于源極區(qū)域和漏極區(qū)域內(nèi)的第一凹槽，第一凹槽至...
  • 本發(fā)明提供一種分離柵半導(dǎo)體器件的制作方法，包括以下步驟：提供一具有背封層的晶圓，背封層包括依次疊加的內(nèi)層多晶硅層、中層氧化層與外層多晶硅層；從晶圓正面形成溝槽；形成犧牲氧化層于溝槽內(nèi)壁，并采用濕法蝕刻去除犧牲氧化層；形成溝槽柵結(jié)構(gòu)于溝槽中，...
  • 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，先在SiC晶圓表面沉積兩層厚度不同、致密度不同的氧化硅掩膜，然后再通過調(diào)整刻蝕工藝參數(shù)刻蝕SiC晶圓，主要是向反應(yīng)腔室內(nèi)通入SF6、O2作為刻蝕氣體同...
  • 本申請公開了一種基于生成式預(yù)訓(xùn)練GPT模型的標(biāo)注優(yōu)化方法及裝置，涉及人工智能技術(shù)領(lǐng)域，其中，該方法包括：使用標(biāo)注好的第一文本數(shù)據(jù)訓(xùn)練具有N個(gè)預(yù)設(shè)類別的初始分類模型(GPT模型)得到中間分類模型；將待標(biāo)注的第二文本數(shù)據(jù)輸入中間分類模型得到中間...
  • 本發(fā)明實(shí)施例提供一種有害語料挖掘方法，該方法包括：S1、獲取第一有害語料種子樣本以及語料數(shù)據(jù)集；S2、基于第一有害語料種子樣本在語料數(shù)據(jù)集中進(jìn)行文本相似度檢索，得到潛在有害語料樣本集；S3、通過預(yù)設(shè)的語義特征分類模型對潛在有害語料樣本集中各...
  • 本公開提供了一種數(shù)據(jù)查詢方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。其中，該方法包括：獲取問題語句；根據(jù)預(yù)先建立的生成式模型對問題語句中的圖譜信息進(jìn)行識(shí)別，并將識(shí)別的圖譜信息按照預(yù)設(shè)格式進(jìn)行組合，得到結(jié)構(gòu)化文本表示的圖譜信息；圖譜信息至少包括實(shí)體信息和...
  • 本發(fā)明涉及一種基于約束聚焦的定向灰盒模糊測試方法，屬于網(wǎng)絡(luò)安全技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明能夠減少數(shù)據(jù)流分析所需跟蹤的信息，通過約束過濾和聚焦減少數(shù)據(jù)流信息。在定向灰盒模糊測試中通過約束過濾和聚焦降低了數(shù)據(jù)流分析的開銷，簡化了數(shù)據(jù)流跟蹤過程，并避免了人...
  • 本申請公開了一種銅襯修復(fù)裝置，屬于管道焊接技術(shù)領(lǐng)域。所述裝置包括：底座、動(dòng)力件、轉(zhuǎn)動(dòng)件、夾緊機(jī)構(gòu)、刀具調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)和銑削機(jī)構(gòu)；所述轉(zhuǎn)動(dòng)件可轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置在所述底座上，所述刀具調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)固定在所述底座上，所述動(dòng)力件設(shè)置在所述底座的一側(cè)；所述夾緊機(jī)構(gòu)固定...
  • 本發(fā)明涉及戴爾根霉菌Rhizopus delemar在中藥枳實(shí)飲片炮制方法中的應(yīng)用，屬于藥物炮制領(lǐng)域。本發(fā)明炮制方法明確了發(fā)酵菌株，避免了發(fā)酵過程空氣中雜菌的干擾，確保了枳實(shí)飲片的安全性。同時(shí)優(yōu)化和確定了發(fā)酵蒸制枳實(shí)關(guān)鍵工藝參數(shù)，確保了枳實(shí)...
  • 本發(fā)明涉及一種用于阿爾茲海默病治療和改善學(xué)習(xí)記憶能力障礙的腦靶向載二苯乙烯苷和丹參酮ⅡA組合脂質(zhì)體及制備方法，該組合物包含修飾因子Angiopep?2和脂質(zhì)體載體以及二苯乙烯苷、丹參酮ⅡA。利用Angiopep?2作為靶頭，采用薄膜分散與硫...
  • 本發(fā)明提供一種背照式圖像傳感器，包括：電學(xué)隔離結(jié)構(gòu)，其包括從襯底的正面延伸至背面的深溝槽隔離結(jié)構(gòu)和形成于所述襯底的正面的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)位于所述深溝槽隔離結(jié)構(gòu)上方并與其相連。還提供一種背照式圖像傳感器的電學(xué)隔離結(jié)構(gòu)的形成方...
  • 本公開涉及一種半導(dǎo)體元件的形成方法和半導(dǎo)體元件，其中的方法包括：步驟S10，提供具有平坦頂面的襯底(10)，所述襯底(10)頂面形成有柵極區(qū)域(20)；步驟S20，在所述柵極區(qū)域(20)的頂面形成氮化硅層(30)；步驟S30，蝕刻所述氮化硅...
  • 本發(fā)明提供了一種用于車輛的集成式高壓DCDC變換器，包括第一電路和第二電路；其中，所述第一電路包括依次串聯(lián)的EMI濾波電路、逆變電路、隔離電路、整流電路、第一濾波電路，所述EMI濾波電路與高壓直流電源相連，所述第一濾波電路與第一低壓直流電源...
  • 本公開涉及一種垂直式功率半導(dǎo)體器件及其制造方法。所述器件包括：襯底，具有彼此相對的二表面；襯底的第一表面上且彼此相鄰的第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)；第一介電層，覆蓋第一柵極結(jié)構(gòu)、第二柵極結(jié)構(gòu)和襯底的第一表面，第一介電層在第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極...
  • 本公開涉及一種半導(dǎo)體元件的形成方法和半導(dǎo)體元件，其中的方法包括：步驟S10，提供硅襯底，并在硅襯底的頂面上形成堆疊結(jié)構(gòu)；步驟S20，通過STI刻蝕工藝依次刻蝕堆疊結(jié)構(gòu)和硅襯底，以形成沿水平方向間隔設(shè)置的用作隔離區(qū)域的第一溝槽；步驟S40，通...
  • 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)形成方法及半導(dǎo)體器件，半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)形成方法包括以下步驟：在襯底的背面進(jìn)行光刻、刻蝕，形成光刻標(biāo)記；在襯底的正面外延第一層第一型摻雜外延層，在第一層第一型摻雜外延層的表面旋涂光刻膠；或...
  • 本發(fā)明公開了一種軍工詞匯挖掘方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，具體公開了：對待識(shí)別軍工語料進(jìn)行分詞，獲得多個(gè)初始詞，根據(jù)目標(biāo)軍工詞典對應(yīng)的規(guī)則庫分別對多個(gè)初始詞進(jìn)行識(shí)別，并根據(jù)識(shí)別結(jié)果從多個(gè)初始詞中篩選出符合規(guī)則庫中各規(guī)則的候選詞，獲取各候選詞的...
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