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  • 一種鏈型半導體器件及其制造方法，本發(fā)明涉及于功率半導體器件，器件的半導體上表面分布有一段以上的鏈型溝槽和設于鏈型溝槽上方的絕緣氧化層，所述的絕緣氧化層上設有第一接觸孔和第二接觸孔；所述的鏈型溝槽包括有第一類溝槽以及第二類溝槽，第一類溝槽設有...
  • 本發(fā)明公開一種顯示模組、制作方法以及顯示裝置，其中一實施例的顯示模組包括：襯底、設置在所述襯底上的驅(qū)動電路層、設置在所述驅(qū)動電路層上的彩膜層、設置在所述彩膜層上的散射層、以及設置在所述散射層上的發(fā)光器件層，所述發(fā)光器件層包括設置在所述散射層...
  • 本發(fā)明涉及一種水性藥物組合物、其制備方法及其用途，所述水性藥物組合物包括：瑞莎珠單抗(risankizumab)或其抗原結合片段；及穩(wěn)定劑，其中所述水性藥物組合物不包括多元醇。
  • 本發(fā)明涉及一種呈成形體形式的VPO催化劑，用于以分子氧來氧化烴類、尤其用于以分子氧將丁烷氧化成馬來酸酐，其特征在于，所述VPO催化劑包含ZnO。另外本發(fā)明涉及一種用于制備呈成形體形式的本發(fā)明VPO催化劑的方法，所述方法包括以下步驟：a)提供...
  • 一種用于安裝具有波形繞組(10)的定子(12)的方法，所述波形繞組設置在定子的槽中并且具有軸向地突出超過定子體部的繞組頭部，其中在槽之間設有保持在容納部(16；116)中的齒區(qū)段(14)，所述齒區(qū)段在線性地輸送墊狀的波形繞組(10)和容納部...
  • 本發(fā)明涉及催化化學領域，公開了一種雙金屬位點CoW?NC催化劑及其制備方法與應用、多羥基化合物制二元醇的方法。該雙金屬位點CoW?NC催化劑為Co和W共同與氮摻雜多孔碳NC自組裝形成的材料，所述催化劑中，Co為還原態(tài)。本發(fā)明的催化劑的金屬活...
  • 本申請?zhí)峁┮环N訓練文本生成方法及相關設備，該方法包括：獲取第一歷史訓練文本集和第一文本集；確定歷史訓練文本之間的語義相似度以及文本類別標簽之間的相關性系數(shù)；根據(jù)語義相似度、相關性系數(shù)和第一歷史訓練文本集確定第二文本集；根據(jù)第二文本集和第一文...
  • 本申請公開了一種隨機接入資源選擇方法、資源配置方法、裝置及通信設備，屬于通信技術領域，本申請實施例的隨機接入資源選擇方法包括：終端接收來自網(wǎng)絡側設備的至少一個信息，所述至少一個信息用于指示N個隨機接入資源，所述N個隨機接入資源包括至少一個第...
  • 本發(fā)明涉及一種半導體結構、存儲器及其制作方法，半導體結構包括：襯底；反相器，設置在襯底上，反相器包括：下拉晶體管，包括沿第一方向延伸的第一半導體層，第一方向平行于襯底的頂面，第一半導體層包括第一溝道區(qū)；上拉晶體管，包括沿第一方向延伸的第二半...
  • 本發(fā)明提供一種圖像傳感器，非成像光的傳播路徑設有至少一凹凸面，所述凹凸面漫反射所入射的非成像光，一方面減弱到達像素區(qū)的經(jīng)反射的非成像光的強度，另一方面改變所述經(jīng)反射的非成像光的入射角度，從而避免所述經(jīng)反射的非成像光成像而影響圖像效果。所述凹...
  • 一種圖像傳感器及其形成方法，結構包括：襯底，所述襯底包括若干呈陣列排布的像素區(qū)，一個所述像素區(qū)包括呈“田”字型分布的4個子區(qū)；位于所述像素區(qū)上的若干濾光層，一個所述濾光層位于一個像素區(qū)的相鄰兩個子區(qū)上，各濾光層相互分立；位于濾光層上的若干透...
  • 本申請?zhí)峁┮环N半導體器件及其制備方法、發(fā)光基板、顯示裝置，通過層疊設置在襯底上的第一電極、第一半導體層、發(fā)光層、第二半導體層和第二電極，其中，第二電極包括第一導電層和第二導電層，第二導電層設置在第一導電層之中且第二導電層的電阻率小于第一導電...
  • 本申請?zhí)峁┮环N顯示面板、顯示面板的制作方法及電子設備，所述顯示面板包括驅(qū)動背板及至少一個發(fā)光器件，驅(qū)動背板包括邦定面；發(fā)光器件設置于驅(qū)動背板的邦定面上；發(fā)光器件包括朝向驅(qū)動背板的第一表面、與第一表面相對設置的第二表面以及位于第一表面和第二表...
  • 本申請公開了一種應用程序的性能測試方法及裝置，其中，獲取多個內(nèi)存統(tǒng)計項，其中，內(nèi)存統(tǒng)計項是對預設的內(nèi)存統(tǒng)計維度進行維度細分得到的，每個內(nèi)存統(tǒng)計維度細分得到至少兩個內(nèi)存統(tǒng)計項；對待測試應用程序的多個內(nèi)存統(tǒng)計項進行內(nèi)存檢測，得到多個內(nèi)存統(tǒng)計項對...
  • 本發(fā)明公開了一種代碼調(diào)試的方法和裝置，涉及計算機技術領域。該方法的一具體實施方式包括：響應于代碼調(diào)試指令，獲取代碼修改配置信息，代碼修改配置信息包括需要進行代碼替換的類名和待替換字節(jié)碼；根據(jù)類名，從當前代碼中查找類名對應的當前字節(jié)碼，并使用...
  • 本發(fā)明公開了一種詩詞轉換頁面的生成方法、裝置及可讀存儲介質(zhì)，其中，所述方法包括：讀取目標頁面，并提取所述目標頁面中的詩詞文本；將提取的所述詩詞文本在預設詩詞集合中進行匹配，并基于匹配結果判斷所述詩詞文本中是否包含目標詩詞；若所述詩詞文本中包...
  • 本申請公開一種圖像亮度的分析方法、裝置、設備、存儲介質(zhì)及產(chǎn)品，涉及圖像領域。該方法包括：獲取第一圖像以及熱力圖參數(shù)表；提取所述多個像素點分別對應的亮度值結果；在所述多個參考亮度值中確定與所述亮度值結果匹配的參考亮度值，并基于所述多個參考亮度...
  • 一種顯示基板及顯示基板的制備方法。所述顯示基板包括襯底、位于襯底一側的導電層以及位于導電層遠離襯底一側的防護層；導電層包括多條連接線，多條連接線沿第一方向間隔排布且沿第二方向延伸，第一方向與第二方向交叉；在第一方向上，多條連接線在顯示基板所...
  • 一種半導體結構及其形成方法，其中結構包括：襯底，襯底包括：第一半導體層、位于第一半導體層表面的絕緣層以及位于絕緣層上的第二半導體層，襯底包括：沿平行于襯底表面的第一方向排布的相鄰的第一區(qū)域和第二區(qū)域；位于溝道區(qū)兩側的第一區(qū)域內(nèi)的源漏通孔，源...
  • 本發(fā)明涉及一種ESD保護器件、ESD保護電路及芯片，所述ESD保護器件包括：襯底；N阱，位于所述襯底中；P阱，位于所述襯底中；第一P型區(qū)，位于所述N阱中；N型區(qū)，位于所述P阱中；第二P型區(qū)，與所述第一P型區(qū)之間被所述N阱隔開；柵極，位于所述...
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