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  • 本發明屬于半導體制造技術領域，具體涉及一種半導體外延結構形成方法及半導體器件，半導體外延結構形成方法包括以下步驟：在襯底的背面進行光刻、刻蝕，形成光刻標記；在襯底的正面外延第一層第一型摻雜外延層，在第一層第一型摻雜外延層的表面旋涂光刻膠；或...
  • 本發明公開了一種軍工詞匯挖掘方法、裝置、設備及存儲介質，具體公開了：對待識別軍工語料進行分詞，獲得多個初始詞，根據目標軍工詞典對應的規則庫分別對多個初始詞進行識別，并根據識別結果從多個初始詞中篩選出符合規則庫中各規則的候選詞，獲取各候選詞的...
  • 本公開涉及測試技術領域，公開了基于測試用例的代碼生成方法、裝置、設備及存儲介質。其中，該方法包括：獲取目標測試用例；基于目標測試用例的代碼描述信息，生成目標測試用例的提示信息；基于提示信息，生成目標測試用例對應的目標功能代碼。通過實施本公開...
  • 本發明提供了一種數據質量診斷方法、數據修復方法及數據處理系統，其中數據質量診斷方法包括提供多個數據節點，每個數據節點包括節點屬性，其中節點屬性包括預設信息、數據節點提取位置、物理連接關系和數據加工過程中的一項或多項；根據每個數據節點的節點屬...
  • 本發明提供了一種抗壓縮母粒及其制備方法和一種低壓縮形變發泡材料及其制備方法，所述抗壓縮母粒是以具有碳碳雙鍵的TPU為基體，高回彈橡膠為改性劑，酚醛類樹脂為引發劑，經熔融接枝反應制得。將所述的抗壓縮母粒加入發泡材料配方中，得到發泡材料性能優異...
  • 本發明公開了一種IBC桶用高密度聚乙烯樹脂及其制備方法，所述的樹脂含有以下重量份的原料：乙烯己烯共聚聚乙烯基礎樹脂100份、光穩定劑0.08～0.25份、主抗氧劑0.05～0.15份和輔助抗氧劑0.03～0.12份；各物料經過混合器混勻后，...
  • 本發明公開了一種大中空容器和托盤用高密度聚乙烯樹脂及其制備方法，所述的樹脂包括以下重量份的原料：100重量份乙烯己烯共聚聚乙烯基礎樹脂、0.06～0.15重量份主抗氧劑和0.05～0.11重量份輔助抗氧劑；各組分經過混合器混勻后，經擠壓機加...
  • 根據本發明實施方式的太陽能電池制造設備包括：第一分配器，用于將導電粘合劑涂敷到太陽能電池的第一側；翻轉部件，翻轉太陽能電池；第二分配器，用于將導電粘合劑涂敷到太陽能電池的第二側；第一傳送器，將太陽能電池(其第一側通過第一分配器涂敷)運輸到翻...
  • 本申請提供了一種電容器、存儲單元、存儲陣列、存儲器和電子設備。其中，電容器包括：第一電極，第一電極包括第一子電極和第二子電極，第二子電極環繞第一子電極且與第一子電極的側面連接；第二電極，第二電極環繞第一電極，且與第一子電極朝向所述第二子電極...
  • 本發明提供一種磁存儲單元制備方法，所述方法包括：提供一襯底，所述襯底包括磁存儲單元底電極；在所述底電極上制備磁隧道結疊層，并獲取所述磁隧道結疊層的一個以上的實際參數；將所述實際參數與對應的第一預設參數進行比較，確定比較結果；依據所述比較結果...
  • 本申請提供一種顯示面板和顯示裝置，該顯示面板通過使任意兩條時鐘信號線中，一條時鐘信號線和一重復單元內對應的所有通孔的重疊面積與另一條時鐘信號線和一重復單元內對應的所有通孔的重疊面積相等，且任一時鐘信號線與一重復單元內通孔的重疊面積等于時鐘信...
  • 本申請公開了一種光電器件及其制備方法及顯示裝置，光電器件包括層疊的陽極、活性層以及陰極，所述活性層的材料包括自組裝材料。本申請技術方案提供的光電器件，采用包含自組裝材料的活性層，有助于提高器件的電流效率。
  • 本申請公開一種發光器件、發光器件的制備方法以及電子設備，在所述發光器件中，發光層的材料包含具有核殼結構的量子點，通過調控量子點中核體的平均粒徑和殼層的厚度能夠提高空穴注入水平與電子注入水平之間的匹配度，促進載流子傳輸平衡，從而提升發光器件的...
  • 本申請公開一種發光器件、發光器件的制備方法以及電子設備，在所述發光器件中，發光層的材料包含具有核殼結構的量子點，通過調控量子點中核體的平均粒徑和殼層的厚度能夠提高空穴注入水平與電子注入水平之間的匹配度，促進載流子傳輸平衡，從而提升發光器件的...
  • 本發明提供一種存儲結構及其制備方法，存儲結構包括：自下而上依次堆疊的襯底、金屬互連層、存儲陣列和頂部金屬層；存儲陣列包括：工作存儲子陣列和dummy存儲子陣列，工作存儲子陣列用于存儲數據，dummy存儲子陣列包圍工作存儲子陣列；工作存儲子陣...
  • 本公開實施例涉及半導體領域，提供一種半導體結構及其制備方法、存儲陣列結構，半導體結構包括基底；位于基底上的寫晶體管以及讀晶體管，寫晶體管包括第一柵極、環繞第一柵極的第一半導體層、沿第一方向延伸的寫位線以及沿第二方向延伸的寫字線，寫位線與第一...
  • 本公開實施例涉及半導體領域，提供一種存儲結構及其制造方法，結構包括：存儲晶體管、位線和電容，多個存儲晶體管在沿第一方向間隔排列，存儲晶體管包括沿第二方向相對設置的第一側和第二側；位線包括沿第一方向上交替連接的第一部分和第二部分，第一部分位于...
  • 一種半導體器件、存儲器及其制造方法、電子設備，屬于半導體器件的設計與制造領域，所述半導體器件包括：襯底和設置在所述襯底上的至少一個存儲單元，所述存儲單元包括：讀取晶體管，包括第一柵電極、第二柵電極和第一半導體層；所述第一柵電極與讀字線連接；...
  • 本公開涉及一種存儲器及其制造方法、電子設備。該存儲器的制造方法，包括以下步驟：對沿垂直襯底方向形成交替層疊的多層隔離材料層和多層導電材料層進行一次刻蝕工藝，形成具有相同圖案的多層隔離圖案層和多層導電圖案層；導電圖案層包括沿第一方向延伸的位線...
  • 本發明揭示一種金屬層填縫結構，包括一金屬基板、以及一介電材料，該金屬基板包括至少一鏤空的準分割單元、以及完整包圍該準分割單元的溝渠，該介電材料填入于該溝渠的全部或部分區域內以強化并支撐該金屬基板上的該準分割單元。
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