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  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N供吸入用的粉霧劑組合物、供吸入用的粉霧劑及其制備方法、吸入粉霧劑，屬于藥物制劑技術(shù)領(lǐng)域。粉霧劑組合物包括第一組分和第二組分；第一組分為皮質(zhì)激素或其藥學(xué)上可接受的鹽或其異構(gòu)體；第二組分為β2腎上腺素受體激動(dòng)劑或其藥學(xué)上可接受的鹽...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種清潔裝置及其控制方法。該控制方法判斷清潔裝置的加速度是否處于第一預(yù)設(shè)范圍內(nèi)且持續(xù)第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)。若是，說(shuō)明用戶(hù)正在操控清潔裝置清潔頑固臟污，則控制清潔裝置以第一清潔模式進(jìn)行清潔工作；若否，說(shuō)明用戶(hù)并未在操控清潔裝置清潔頑固臟污...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種清潔系統(tǒng)及其控制方法、托盤(pán)。該托盤(pán)的加熱組件用于加熱蓄液槽中的清潔液，溫度較高的清潔液能夠?qū)η鍧嵓M(jìn)行高效清潔。托盤(pán)的氣流發(fā)生組件引導(dǎo)氣流通過(guò)加熱組件，以形成烘干氣流對(duì)清潔件進(jìn)行烘干，使得清潔件保持干燥，盡可能避免清潔件發(fā)霉...
  • 一種具有檢傷分類(lèi)功能的智慧醫(yī)療手環(huán)及其應(yīng)用方法，包含：一主體，其包含：一外殼，具有內(nèi)部容置空間；一觸控顯示面板，設(shè)置于該外殼的頂部開(kāi)口；一光收發(fā)器，設(shè)置于該外殼的第一底部開(kāi)口；一體溫偵測(cè)器，設(shè)置于該外殼的第二底部開(kāi)口；一本機(jī)充電端子對(duì)，設(shè)置...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了服務(wù)質(zhì)量?jī)?yōu)化方法及電子設(shè)備，該方法通過(guò)收集多個(gè)電子設(shè)備中的鏈路的鏈路信息和業(yè)務(wù)的業(yè)務(wù)信息，以結(jié)合多個(gè)電子設(shè)備中的鏈路的鏈路信息和業(yè)務(wù)的業(yè)務(wù)信息合理分配帶寬，進(jìn)一步地，通過(guò)對(duì)第一電子設(shè)備內(nèi)的文件傳輸業(yè)務(wù)進(jìn)行限速，可以?xún)?yōu)先保障第二電...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種數(shù)據(jù)遷移方法及相關(guān)設(shè)備。根據(jù)該數(shù)據(jù)遷移方法，若在舊設(shè)備向新設(shè)備傳輸待遷移數(shù)據(jù)之前，用戶(hù)觸發(fā)進(jìn)行快速遷移，則舊設(shè)備可以對(duì)一部分待遷移數(shù)據(jù)進(jìn)行標(biāo)記，新設(shè)備接收待遷移數(shù)據(jù)后，可以針對(duì)其中未帶標(biāo)記的數(shù)據(jù)后進(jìn)行恢復(fù)，而將其中帶標(biāo)記的數(shù)...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種產(chǎn)生空心光束的方法、裝置以及光鑷系統(tǒng),屬于光學(xué)微操控的技術(shù)領(lǐng)域。其包括以下步驟：生成高斯光束，將高斯光束進(jìn)行擴(kuò)束準(zhǔn)直處理；設(shè)計(jì)衍射光學(xué)元件DOE的相位分布函數(shù)，往所述DOE的相位分布函數(shù)φ(r)內(nèi)輸入基本參數(shù)；通過(guò)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)...
  • 本發(fā)明技術(shù)提供了一種燃?xì)饪栈煸鰤貉b置，涉及燃?xì)馊紵１狙b置主要由緊密貼合在壓縮空氣室錐部的螺旋槽錐體、連接在壓縮空氣室的混氣增壓管、固定密封壓縮空氣室和螺旋槽錐體的悶板、用壓縮空氣進(jìn)氣管連接在壓縮空氣室的壓縮空氣流量閥以及用燃?xì)膺M(jìn)氣管鏈接在...
  • 一種頭戴式顯示器，該頭戴式顯示器包括：(1)電子顯示器，該電子顯示器被配置成發(fā)射光；以及(2)薄餅透鏡，該薄餅透鏡光學(xué)耦合到該電子顯示器，該薄餅透鏡包括分束器，該分束器被配置成(A)透射該光的空間平均部分并且(B)反射該光的比該光的該空間平...
  • 一種發(fā)光組件及發(fā)光裝置。發(fā)光組件包含一基板、多個(gè)發(fā)光元件以及至少一擋墻元件；發(fā)光元件設(shè)置于基板上；擋墻元件位于相鄰的二發(fā)光元件之間，其中擋墻元件以一光固化膠體材料制成。藉此，本發(fā)明提供的發(fā)光組件及發(fā)光裝置可提升組裝效率以及使用穩(wěn)定性。
  • 本發(fā)明提供一種顯示設(shè)備與顯示設(shè)備的制造方法，顯示設(shè)備包括控制面板、導(dǎo)電層、第一微型發(fā)光元件以及第二微型發(fā)光元件。導(dǎo)電層直接連接控制面板。導(dǎo)電層區(qū)分為具有第一厚度的第一導(dǎo)電層以及具有第二厚度的第二導(dǎo)電層。第二厚度大于第一厚度。第一微型發(fā)光元件...
  • 本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種燈條，包括基板，所述基板上設(shè)有若干焊盤(pán)，每個(gè)所述焊盤(pán)上對(duì)應(yīng)設(shè)有一個(gè)發(fā)光組件；所述發(fā)光組件包括倒裝LED芯片、擋墻、熒光膠及設(shè)置在所述基板上的透鏡，所述透鏡包括收光口及與所述收光口相對(duì)的反射面，所述倒裝LE...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其制造方法，該器件包括：襯底；位于襯底一側(cè)的N型漂移層；位于N型漂移層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的P型基區(qū)；位于P型基區(qū)中的N型源區(qū)和P型源區(qū)；位于N型源區(qū)和P型源區(qū)之間的柵極溝槽；位于柵極溝槽底部和側(cè)壁的柵極介質(zhì)層，填充柵極溝...
  • 提供一種電子裝置。電子裝置包括基板、第一絕緣層、半導(dǎo)體氧化物層、第二絕緣層與門(mén)極電極。第一絕緣層設(shè)置于基板上。半導(dǎo)體氧化物層設(shè)置于第一絕緣層上，且具有第一部分以及相鄰第一部分的第二部分。第二絕緣層設(shè)置于半導(dǎo)體氧化物層上。柵極電極設(shè)置于基板上...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種肖特基二極管以及制備方法，該肖特基二極管包括：襯底；異質(zhì)結(jié)構(gòu)，異質(zhì)結(jié)構(gòu)包括整面異質(zhì)結(jié)和多個(gè)條形異質(zhì)結(jié)，整面異質(zhì)結(jié)位于襯底上，多個(gè)條形異質(zhì)結(jié)位于整面異質(zhì)結(jié)遠(yuǎn)離襯底的表面，且相鄰兩個(gè)條形異質(zhì)結(jié)間隔排布；陽(yáng)極位于整面異質(zhì)結(jié)遠(yuǎn)離襯底...
  • 本公開(kāi)的實(shí)施例公開(kāi)了信息發(fā)送方法、裝置、設(shè)備、計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)和程序產(chǎn)品。該方法的一具體實(shí)施方式包括：獲取針對(duì)目標(biāo)預(yù)約對(duì)象的預(yù)約結(jié)果；響應(yīng)于確定該預(yù)約結(jié)果表征與該目標(biāo)預(yù)約對(duì)象已互相溝通，獲取針對(duì)該目標(biāo)預(yù)約對(duì)象的溝通數(shù)據(jù)；對(duì)該溝通數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)指...
  • 本發(fā)明實(shí)施例涉及一種檢索增強(qiáng)生成模型的處理方法和裝置，所述方法包括：檢索增強(qiáng)生成模型接收用戶(hù)輸入的第一文本；基于預(yù)設(shè)的文本切割規(guī)則對(duì)第一文本進(jìn)行切割得到對(duì)應(yīng)的第一文本片段序列X{xi}；根據(jù)各個(gè)第一文本片段x...
  • 本發(fā)明實(shí)施例涉及一種基于上下文的問(wèn)答處理方法和裝置，所述方法包括：接收上下文文本、問(wèn)題文本和答案優(yōu)選數(shù)量作為對(duì)應(yīng)的第一上下文、第一問(wèn)題和第一優(yōu)選數(shù)量；將第一上下文和第一問(wèn)題輸入問(wèn)答模型，由問(wèn)答模型根據(jù)第一上下文對(duì)第一問(wèn)題的答案進(jìn)行預(yù)測(cè)得到對(duì)...
  • 本申請(qǐng)涉及一種發(fā)光模組的制作方法、發(fā)光模組和顯示裝置。發(fā)光模組的制作方法包括提供電路基板和發(fā)光器件，發(fā)光器件包括發(fā)光芯片以及將發(fā)光芯片封裝的封裝層；將發(fā)光器件設(shè)于電路基板上；軟化封裝層，以使封裝層流至電路基板上；以及固化封裝層以將電路基板和...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種顯示芯片及制作方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述顯示芯片包括：像素單元，所述像素單元包括依次設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、量子阱發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層中的一者為n型半導(dǎo)體層，另一者為p型半導(dǎo)體層；其中，在...
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