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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種全釩液流電池正極電解液和液流電池。正極電解液包括活性物質(zhì)、支撐電解質(zhì)和添加劑；活性物質(zhì)包括VO2 +/VO2+；添加劑包括過(guò)渡金屬鹽；過(guò)渡金屬鹽中陽(yáng)離子選自...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N儲(chǔ)氫系統(tǒng)控制方法、裝置、電子設(shè)備及車輛，所述儲(chǔ)氫系統(tǒng)控制方法包括：對(duì)車載儲(chǔ)氫系統(tǒng)的氫管路進(jìn)行漏氣檢測(cè)；控制出現(xiàn)漏氣故障的目標(biāo)管路與氫氣源之間的通路切斷，而不是將整個(gè)儲(chǔ)氫系統(tǒng)關(guān)閉，因此還可以通過(guò)其它管路使儲(chǔ)氫系統(tǒng)繼續(xù)工作，提升了...
  • 本發(fā)明提供了一種用于燃料電池的水淹診斷的方法，其包括：獲取燃料電池電堆的隨時(shí)間變化的壓力差信號(hào)，其包括在陽(yáng)極側(cè)的進(jìn)料口與出料口之間隨時(shí)間變化的陽(yáng)極壓力差信號(hào)和/或在陰極側(cè)的進(jìn)料口與出料口之間隨時(shí)間變化的陰極壓力差信號(hào)；將壓力差信號(hào)轉(zhuǎn)換成所述...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N氫燃料電池系統(tǒng)及車輛。氫燃料電池系統(tǒng)包括電堆總成、排水總成及集水器，排水總成設(shè)置在電堆總成與集水器之間；排水總成包括主排水管路及輔排水管路，主排水管路及輔排水管路分別連通集水器。本申請(qǐng)?zhí)峁┑臍淙剂想姵叵到y(tǒng)通過(guò)在集水器與電堆總成...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N氫燃料電池系統(tǒng)及車輛。氫燃料電池系統(tǒng)包括：電堆總成、氫氣處理器及儲(chǔ)氫系統(tǒng)；氫氣處理器包括內(nèi)部連通的水氣分離部及氣體循環(huán)部；電堆總成與水氣分離部之間通過(guò)回氫管路連通，電堆總成與氣體循環(huán)部之間通過(guò)進(jìn)氫管路連通。本申請(qǐng)?jiān)跉淙剂想姵叵?..
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N氫燃料電池系統(tǒng)及混合動(dòng)力汽車。氫燃料電池系統(tǒng)包括電堆總成、空氣系統(tǒng)、氫氣系統(tǒng)、排氣系統(tǒng)以及冷卻系統(tǒng)；空氣系統(tǒng)與氫氣系統(tǒng)分別與電堆總成及排氣系統(tǒng)相連接；空氣系統(tǒng)、氫氣系統(tǒng)及冷卻系統(tǒng)部分與電堆總成集成設(shè)置，部分與電堆總成分體設(shè)置。...
  • 本發(fā)明提供一種包含硅基活性物質(zhì)、在充放電時(shí)厚度變化小、即使反復(fù)充放電其厚度也不會(huì)變大的負(fù)極用粘合劑組合物。該負(fù)極用粘合劑組合物包含含氟聚合物、硅基負(fù)極活性物質(zhì)、增粘劑和水，上述含氟聚合物具有基于四氟乙烯的單元、但不具有基于偏二氟乙烯的單元，...
  • 本發(fā)明提供電極用粘合劑組合物的制造方法、電極用粘合劑組合物以及二次電池。電極用粘合劑組合物的制造方法為包含含氟聚合物、電極活性物質(zhì)、導(dǎo)電材料、以及作為分散介質(zhì)的水和有機(jī)溶劑的電極用粘合劑組合物的制造方法，包括：將所述電極活性物質(zhì)和所述導(dǎo)電材...
  • 本發(fā)明提供了一種負(fù)極材料及其制備方法、負(fù)極片、電化學(xué)裝置和電子設(shè)備。本發(fā)明的負(fù)極材料包括復(fù)合碳材料和鈉離子，所述鈉離子位于所述復(fù)合碳材料的表面和/或內(nèi)部；其中，所述復(fù)合碳材料包括碳納米材料和嵌入碳納米材料表面的ZnX，X選自O(shè)、S和Se中的...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種鈉離子電池正極漿料及其制備方法，屬于電池技術(shù)領(lǐng)域。所述制備方法包括以下步驟：S1：含第一導(dǎo)電劑和正極材料的原料混合、攪拌分散，得到固體粉料；S2：步驟S1中的所述固體粉料、分散助劑溶液和部分量的粘結(jié)劑溶液混合，在真空條件下攪...
  • 本公開(kāi)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：第一襯底以及位于第一襯底中的半導(dǎo)體器件；多個(gè)第一導(dǎo)電墊，連接半導(dǎo)體器件；多個(gè)第二導(dǎo)電墊，至少一個(gè)第一導(dǎo)電墊和至少一個(gè)第二導(dǎo)電墊通過(guò)沿垂直于第一襯底的方向延伸的第...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N封裝結(jié)構(gòu)及通信設(shè)備，封裝結(jié)構(gòu)包括：基板、芯片、固定件、第一輻射結(jié)構(gòu)和第一介質(zhì)波導(dǎo)。示例性地，芯片可以為射頻芯片，第一輻射結(jié)構(gòu)可以為天線或其他具有信號(hào)發(fā)射功能的元件。芯片固定于基板的表面，固定件固定于基板背離芯片一側(cè)的表面。固...
  • 本發(fā)明涉及晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種超臨界晶圓清洗/干燥介質(zhì)回收方法以及系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)高純度的清洗/干燥介質(zhì)的持續(xù)地離回收。其中，該超臨界晶圓清洗/干燥介質(zhì)回收方法，包括以下步驟：清洗/干燥步驟，利用超臨界態(tài)的清洗/干燥介質(zhì)溶解并帶走晶圓...
  • 本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種腔室升溫監(jiān)測(cè)方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備。方法包括：獲取影響工藝腔室升溫過(guò)程的相關(guān)變量的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)，以及獲取工藝腔室中加熱部件的實(shí)時(shí)溫度實(shí)際值，其中，相關(guān)變量包括連續(xù)型變量和數(shù)字型變量，數(shù)字型變量包括工藝腔室的...
  • 本發(fā)明提供了承載裝置的溫度控制方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備；其中，該方法包括：對(duì)于承載裝置的多個(gè)溫區(qū)，計(jì)算任意相鄰兩個(gè)溫區(qū)之間的溫度差值，得到多個(gè)溫差，將差不大于第一閾值，且，不小于第二閾值的溫差確定為目標(biāo)溫差；對(duì)任一目標(biāo)溫差，控制目標(biāo)溫差對(duì)應(yīng)的高...
  • 本發(fā)明屬于引線鍵合技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種鍵合工裝，包括支撐臺(tái)和固定組件，所述支撐臺(tái)用于放置待鍵合的模塊，所述固定組件包括壓板和動(dòng)力機(jī)構(gòu)，所述壓板朝向支撐臺(tái)設(shè)置，所述動(dòng)力機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)壓板朝靠近或遠(yuǎn)離支撐臺(tái)的方向移動(dòng)，且所述壓板中部設(shè)置有用于露...
  • 本發(fā)明涉及一種金屬硅化物的制備方法，該方法包括以下步驟：在具有特征器件的含硅襯底上形成金屬層；在具有金屬層的含硅襯底上形成氧化層，且所述氧化層位于所述含硅襯底的邊緣；對(duì)所述含硅襯底進(jìn)行第一退火，以使所述金屬層與所述含硅襯底中的硅反應(yīng)生成第一...
  • 本公開(kāi)提供了一種鋁鎵氮材料及其制備方法，可以應(yīng)用于氮化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。該方法包括：利用金屬有機(jī)物氣相沉積反應(yīng)法在襯底10上制備氮化鎵成核層20；通過(guò)退火的方式對(duì)氮化鎵成核層20進(jìn)行重結(jié)晶處理；利用金屬有機(jī)物氣相沉積反應(yīng)法在重結(jié)晶后的氮化鎵...
  • 本發(fā)明涉及一種快速切換組合試劑離子的光電離離子遷移譜，包括光電離離子遷移譜、試劑離子發(fā)生裝置，試劑分子載氣將試劑分子引入到離子遷移譜的反應(yīng)區(qū)，在正離子模式通過(guò)組合切換不同的氣路和試劑分子可以得到不同類型的試劑離子，常規(guī)氣流模式下的試劑離子主...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括：工藝腔室、第一射頻饋入件、第二射頻饋入件、第一匹配器和阻抗可調(diào)裝置；工藝腔室包括：腔體和承載裝置，承載裝置設(shè)于腔體內(nèi)，第一射頻饋入件的一端穿入腔體并與承載裝置連接，第...
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