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  • 本發明公開了一種生產外膜囊泡的化學限定培養基及其用途。具體地，本發明的化學限定培養基包含：0.75?12 g/L硫酸銨、2.5?20 g/L氯化鈉、0.75?12 g/L磷酸氫二鈉、0.75?12 g/L五水硫代硫酸鈉、2.5?40 g/L...
  • 本發明涉及微生物技術領域，具體公開了一種酸菜促生乳桿菌CZ25、菌劑、菌劑制備方法及其應用，于2024年9月18日保藏于中國微生物菌種保藏管理委員會普通微生物中心，其保藏編號為：CGMCC NO.31988，酸菜促生乳桿菌CZ25具有序列表...
  • 本發明提供了一種戊糖片球菌（Pediococcus pentosus）ZPP083菌株，該戊糖片球菌保藏于中國微生物菌種保藏管理委員會普通微生物中心，保藏編號為：CGMCC No.31944。本發明提供的戊糖片球菌抑菌效果較強...
  • 本發明公開了一種用于發酵生產D?泛醇的重組菌及其應用。本發明涉及生物技術領域，提供了一種用于發酵生產D?泛醇的重組菌，其為在底盤宿主菌中表達酪氨酸脫羧酶和D?泛酸合成酶后所得；所述底盤宿主菌為能夠利用葡萄糖合成D?泛解酸和L?高絲氨酸的大腸...
  • 本發明公開了PagSIZ1基因在調控楊樹生長發育中的應用，屬于基因工程技術領域，本發明提供了PagSIZ1基因在調控楊樹生長發育中的應用，PagSIZ1基因的核苷酸序列如SEQ ID NO.1所示。一種包含PagSIZ1基因的載體。及載體在...
  • 本發明公開了一種棉花GhDRP2基因在負調控棉花抗旱性中的應用，屬于基因工程技術領域，本發明通過病毒誘導的基因沉默技術（VIGS）對棉花中GhDRP2基因進行干涉，干涉掉GhDRP2基因后顯著增強棉...
  • 本發明公開了一種工程化外泌體的制備方法及應用，涉及生物技術領域。本發明提供了一種工程化外泌體的制備方法，包括載體構建步驟，為將CD63?VEGF構建到FUGW載體中，并將FUGW載體中的Ubc啟動子替換為EF1a，得到FUGW(EF1a)?...
  • 本發明公開了R?(?)?3?(氨甲酰甲基)?5?甲基己酸合成蛋白及其突變體與應用。本發明涉及生物技術領域，提供了一種制備R?(?)?3?(氨甲酰甲基)?5?甲基己酸的方法，包括：以3?異丁基戊二酰亞胺為底物，以特定蛋白或能夠表達所述特定蛋白...
  • 本發明提供了一種玉米低聚肽的生產方法，屬于玉米低聚肽技術領域；所述生產方法包括預處理、制備酶載體、制備功能酶和酶解步驟；所述預處理步驟為，向玉米黃粉中加入50?90wt%的乙醇溶液浸提處理或者是加入10?60wt%的碳酸氫鈉溶液攪拌處理，處...
  • 本發明屬于酶、核酸或微生物的測定或檢驗方法技術領域中一種與豬肌肉中乙偶姻含量相關的分子標記及其應用。本發明所要解決的技術問題是提供與豬肌肉中乙偶姻含量相關的分子標記。為解決該技術問題，本發明提供了通過全基因組關聯(GWAS)分析得到的分子標...
  • 本申請提供一種高爐出鐵口的三維定位方法及堵口路徑生成方法，所述方法包括：采用端面為第一形狀的鐵口本體，鐵口本體上設置有出鐵口，出鐵口設置在鐵口本體的端面中心；基于激光測距模塊建立第一三維坐標系，并獲取端面在第一三維坐標系中的第一位置信息；基...
  • 本發明涉及一種鋼管退火爐，包括爐體、移料裝置和控制裝置，爐體下方設置有機臺，爐體內依次設置有升溫區、保溫區、冷卻區和出料區，相鄰區位之間設置有保溫層，保溫層下方設置有移料通道，爐體上方設置有控溫裝置，爐體包括工作腔和控溫腔，控溫裝置包括氣體...
  • 本發明屬于鋁合金制備技術領域，具體涉及一種高性能鋁合金和制備方法，包括如下重量百分含量組分：Si：0.8～1.1%，Cu：4.2～4.7%，Mn：0.8～1.0%，Mg：0.45～0.75%，Zr：0.03～0.05%，Er：0.01～0....
  • 本發明涉及鋼材生產技術領域，尤其涉及一種采用電爐冶煉的汽車轉向節用40CrH鋼生產工藝，鋼的化學成分按重量百分比計為C：0.385%～0.410%，Si：0.20%～0.32%，Mn：0.73%～0.77%，P≤0.022%，S≤0.020...
  • 本發明提供了一種釔基涂層，所述釔基涂層包括大氣等離子噴涂底層；所述大氣等離子噴涂涂層通過大氣等離子噴涂的方法將球狀釔基材料噴涂至基材表面；所述球狀釔基材料的制備方法包括：(1)混合釔基復合粉末、溶劑、粘結劑與分散劑，得到釔基復合漿料；(2)...
  • 本發明公開了一種空間型原子層沉積設備，所述空間型原子層沉積設備包括：反應腔室，所述反應腔室包括第一側壁和第二側壁，所述第一側壁上設置有載盤入口（10a），所述第二側壁上設置有載盤出口（10b），承載有基片的載盤能夠穿過所述載盤入口進入所述反...
  • 本發明公開了連續鍍膜裝置，包括：至少一個第一鍍膜腔，第一鍍膜腔的底部設置有材料源，第一鍍膜腔包括第一側壁和第二側壁，第一側壁上設置有第一入口，第二側壁上設置有第一出口；原子層沉積腔，包括設置在原子層沉積腔的底部的噴淋模塊，噴淋模塊包括出氣面...
  • 本申請提供一種鍍錫板及其制造方法，制造方法采用基板依序進行電鍍、軟熔、淬水、鈍化得到鍍錫板，采用錫作為陽極，在基板表面形成錫層，控制電鍍液溫度為35~55℃，電鍍液中Fe2+濃度不高于10g/L；控制軟熔溫度為240~...
  • 本發明公開了一種PCB板電鍍用可調式電鍍夾具，屬于PCB板電鍍技術領域，包括電鍍加工座和用于夾持PCB板的夾板平臺，夾板平臺底端分別通過多個吊柱固定連接有多個工形板，工形板兩平行底端均通過安裝板固定連接有調整電機。本發明通過齒輪組件和凸輪板...
  • 本發明涉及硅單晶制備技術領域，提供了一種拉制矩形硅單晶用的非矩形或非圓形橫截面的石英坩堝及用直拉法生長矩形硅單晶錠的方法，在所述凸出部頂端與所述圖形對稱中心連線左右對稱的2×42°范圍內的石英坩堝內側表面，圍繞z軸旋轉布置有4u條或2n+2...
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