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  • 本發明公開了一種液流電池用漏液檢測處理裝置，包括：排液單元、檢漏單元、控制柜和進液單元；所述排液單元與檢漏單元連接；所述檢漏單元與進液單元連接；所述控制柜分別與排液單元、檢漏單元和進液單元連接。本發明可以實現不同類型規模的不同電解液液流電池...
  • 本發明公開了一種燃料電池堆的電壓巡檢裝置、電壓巡檢方法及車輛。其中，燃料電池堆包括多個依次串聯層疊的單片電池，電壓巡檢裝置包括：多個第一插接件、多個第二插接件和電壓巡檢模塊，多個第一插接件與多個單片電池一一對應連接，且每個第一插接件設于相應...
  • 本發明提供膜電極邊框膜貼合對齊方法、裝置及設備，膜電極邊框膜包括底層邊框膜和至少一個上層邊框膜，底層邊框膜上至少設置有一組底層定位孔，每個上層邊框膜上均至少設置有一組上層定位孔，每組底層定位孔的正投影均在上層定位孔的正投影邊界內，方法包括定...
  • 本申請公開了一種集流體及其制備方法、極片、電池及用電裝置。所述集流體包括基膜、設于基膜至少一側的導電膜層以及位于所述基膜和所述導電膜層之間的導電碳膜層，其中，所述基膜包括無紡布層?；ぐo紡布層，使得無紡布層通過導電碳膜層連接導電膜層，一...
  • 本發明實施例涉及一種硅碳負極材料及制備方法和在鋰離子電池中的應用，所述硅碳負極材料由沉積有納米硅顆粒的彈性籠狀碳材料內核和無序碳層外殼構成；所述彈性籠狀碳材料內核的碳材料骨架具體包括富勒烯C60、C70
  • 本申請公開了一種電極材料及其制備方法、電極片、電池及用電裝置，所述電極材料包括內核和至少部分包覆在所述內核表面的包覆層，其中所述內核包括電極活性材料，所述包覆層包括主要由至少一種聚合物單體形成的聚合物；所述聚合物單體包括羧基基團和羥基基團；...
  • 本申請公開了一種正極材料及其制備方法、正極片、電池及用電裝置，所述正極材料包括內核和至少部分包覆在內核表面的包覆層，其中，內核至少包括錳酸鋰，包覆層包括含羧基官能團的化合物與錳酸鋰表面的殘堿的反應產物，所述反應產物含酯基官能團。通過包覆層含...
  • 本發明涉及電池技術領域，特別涉及一種正極材料及其制備方法、正極極片、正極漿料及其制備方法、電池和用電裝置。正極材料包括正極活性材料和設于正極活性材料表面的包覆層，包覆層包括有機聚合物，優選地，包覆層包括疏水性有機聚合物。本申請在正極活性材料...
  • 本發明涉及電池技術領域，特別涉及一種正極極片及其制備方法、電池和用電裝置。正極極片包括集流體和層疊設于集流體同一側的正極涂層與保護層，保護層包括第一保護層，第一保護層設于集流體，正極涂層設于第一保護層背離集流體的一側，第一保護層包括正溫度系...
  • 本申請提供一種電池單體、電池及用電裝置。電池單體包括正極極片和電解液，正極活性材料包括第一正極活性材料和第二正極活性材料，電解液包括非水溶劑、電解質鹽以及第一添加劑，電解質鹽包括第一陽離子和第一陰離子，第一添加劑包括第二陽離子和第二陰離子，...
  • 本申請提供一種電極極片、電池和用電設備，該電極極片，包括電極材料膜層，所述電極材料膜層包括導電纖維材料，所述導電纖維材料包括：有機纖維和包覆在所述有機纖維至少部分表面上的導電層，所述導電層包括導電材料。通過在電極材料膜層中添加導電纖維材料作...
  • 本發明公開了一種適用于超聲焊接的鍵合結構及鍵合方法，本發明包括鍵合線與目標器件，所述目標器件上還包括一鍵合界面，所述鍵合界面上的若干凸起為陣列設置，所述相鄰的兩列凸起之間保持預定間距，所述間距用以匹配預定長度和直徑的所述鍵合線并使所述預定長...
  • 一種存儲元件組，包括：兩存儲元件以及連接片。每個存儲元件具有相對的第一側與第二側以及相對的第三側與第四側，第三側與第四側連接在第一側與第二側之間，存儲元件的第三側彼此相對并相隔間距。連接片具有兩包覆部及橋接部，每個包覆部包覆存儲元件其中之一...
  • 本發明的一種常開式真空接觸器，涉及真空滅弧技術領域。包括真空腔室，真空腔室包括靜觸頭組件和動觸頭組件，動觸頭組件包括動觸頭和動拉桿，動拉桿的朝向真空腔室第二端的一端通過絕緣結構安裝動觸頭，動拉桿的另一端穿過真空腔室的拉桿穿孔且通過波紋管與真...
  • 一種正溫度系數過電流保護裝置包含第一PTC組件、第二PTC組件、第一絕緣層、第一導電貫孔及第二導電貫孔。該第一PTC組件包括第一電極、第二電極及第一PTC元件，該第一PTC元件夾置在該第一電極與該第二電極之間。該第二PTC組件包括第三電極、...
  • 本發明公開的利用JANUS結構調控二維反鐵磁半導體自旋態的方法，步驟如下：構建二維反鐵磁半導體材料結構模型，并進行幾何優化；基于優化后結構計算磁學性質和電子性質；替換一側鹵素原子，得到具有JANUS結構的二維A型反鐵磁半導體材料結構模型，并...
  • 一種存算一體電路及SRAM存儲器，存算一體電路包括：寫操作單元電路，包括第一晶體管以及與第一晶體管耦接的阻變存儲器；與寫操作單元電路相耦接的讀操作單元電路，包括第二晶體管以及與第二晶體管耦接的第三晶體管，第二晶體管與阻變存儲器的耦接點、第一...
  • 本發明提供一種實時分析音樂節奏的方法與系統，在該方法中，通過一裝置的輸入界面接收音頻信號，經音頻信號處理電路解碼音頻信號以取得音頻幀數據，包括采樣率，接著根據系統設定的音頻幀大小與重疊音頻幀大小得出音頻幀跳躍步長，根據采樣率與音頻幀跳躍步長...
  • 本公開是關于一種音頻處理方法及裝置、電子設備及存儲介質，所述方法包括：基于采集的目標音頻設備的音頻信號轉換到頻域，得到所述音頻信號的第一頻域信息；其中，所述第一頻域信息包括：所述音頻信號的不同頻率分量的幅度值；根據所述幅度值，確定基準值；根...
  • 本申請提供一種語音識別糾錯方法及終端設備，涉及語音識別技術領域，能夠提高語音識別準確度，加快語音識別糾錯的處理效率。該方法包括：終端設備獲取第一語音數據；終端設備基于語音識別系統識別第一語音數據輸出第一識別結果；終端設備根據用戶是否對第一識...
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