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  • 本發(fā)明提供了一種有機酸包被的色氨酸顆粒飼料的制備方法，屬于飼料技術(shù)領(lǐng)域；所述制備方法包括制備色氨酸濃漿、制備芯材、制備改性芯材、制備壁材和包被步驟；所述制備壁材步驟為，將有機酸熔融處理，攪拌均勻后冷卻，經(jīng)流化處理，得到壁材；所述有機酸為甲酸...
  • 本發(fā)明公布了一種適用于鮮食藍(lán)靛果品質(zhì)維持的保鮮方法及其應(yīng)用，該方法為鮮食藍(lán)靛果達(dá)到生理7成熟時于采收前采用生理病害雙控生物源保鮮劑微霧化噴施處理，采后直接裝入未貼調(diào)氣元件的內(nèi)壁涂有能釋放負(fù)氧離子和太赫茲涂料的物流微環(huán)境氣調(diào)保鮮箱中，包裝盒間...
  • 本發(fā)明公布了一種適用于鮮食樹莓貯藏品質(zhì)維持的保鮮方法及其應(yīng)用，該方法為鮮食樹莓達(dá)到生理7?8成熟時于采收，分選商品果裝于每盒125g小盒中，然后于2小時內(nèi)將新采收分選的樹莓放入產(chǎn)地差壓預(yù)冷間于?0.2℃進(jìn)行預(yù)冷1.0?1.5h，預(yù)冷結(jié)束后于...
  • 本發(fā)明涉及果蔬滅菌保鮮技術(shù)領(lǐng)域，具體的說是一種果蔬滅菌保鮮裝置，包括承托架，所述承托架上固定連接有兩個安裝座，所述安裝座上均轉(zhuǎn)動連接有轉(zhuǎn)動桿，所述轉(zhuǎn)動桿上均固定連接有傳動桿，所述承托架上開設(shè)有對稱設(shè)置的多個滑槽，所述承托架背面壁開設(shè)有對稱設(shè)...
  • 本申請實施例提供了一種基于人員定位的區(qū)域消殺藥量確定方法、系統(tǒng)及設(shè)備，該方法包括：獲取目標(biāo)區(qū)域中作業(yè)人員的定位信息以及執(zhí)行消殺任務(wù)時消殺設(shè)備的單位時間噴灑量，根據(jù)定位信息確定作業(yè)人員在第一作業(yè)區(qū)域的作業(yè)停留時間以及第二作業(yè)區(qū)域的移動速度；獲...
  • 本發(fā)明涉及植物繁殖技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種蘋果無性繁殖育苗方法，包括以下步驟：取10?15cm一年生半木質(zhì)化枝條，留頂2?3葉，枝條基部用0.1%?0.2%多菌靈浸10?15分鐘后洗凈；配特定培養(yǎng)基pH5.8?6.0，插入枝條基部，在22?25...
  • 本發(fā)明涉及植物培養(yǎng)裝置領(lǐng)域尤其是一種水培植物根系觀測的培養(yǎng)裝置。包括：多個培養(yǎng)容器，攝像裝置，裝載部，驅(qū)動機構(gòu)；多個培養(yǎng)容器設(shè)置以及所述攝像裝置均設(shè)置于所述裝載部中；其中，多個所述培養(yǎng)容器圍繞所述攝像裝置布置；其中，所述裝載部中設(shè)置有驅(qū)動機...
  • 本發(fā)明涉及幼苗溫室培育技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種用于三北退化林生態(tài)修復(fù)用植被幼苗智能培育設(shè)備，包括，培育箱，設(shè)置在所述培育箱內(nèi)的培育托盤，所述培育托盤滑動連接在培育箱內(nèi)；培育箱內(nèi)壁安裝有行程放大組件，所述行程放大組件的傳動連接有注壓塊，注壓塊的底...
  • 本發(fā)明公開了一種基于硅鍺量子阱的柵控霍爾元件及其實現(xiàn)方法。本發(fā)明采用硅鍺量子阱結(jié)構(gòu)，與傳統(tǒng)硅MOS工藝兼容，避免了開發(fā)新材料基底的高成本，能夠方便地匹配現(xiàn)有的硅基集成電路；本發(fā)明通過柵壓調(diào)控載流子濃度，能夠分別適應(yīng)恒壓和恒流工作模式；并且能...
  • 本申請?zhí)峁┝藦?fù)合金屬碳酸鹽界面層、制備方法及鈣鈦礦太陽能電池。所述復(fù)合金屬碳酸鹽界面層設(shè)置在鈣鈦礦太陽能電池的鈣鈦礦活性層和電子傳輸層之間，由兩種不同的堿金屬碳酸鹽層組成，分別為第一堿金屬碳酸鹽層和第二堿金屬碳酸鹽層；所述第一堿金屬碳酸鹽層...
  • 本發(fā)明公開了一種倒裝微型發(fā)光二極管及其制備方法，所述倒裝微型發(fā)光二極管包括按照矩陣排列的多個發(fā)光單元，每個所述發(fā)光單元包括沿著所述倒裝微型發(fā)光二極管的出光方向?qū)盈B設(shè)置的主體結(jié)構(gòu)與出光面結(jié)構(gòu)，所述主體結(jié)構(gòu)包括n型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述n型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)...
  • 本發(fā)明公開了一種高表面光提取效率的微型發(fā)光二極管及其制備方法，所述制備方法包括如下步驟：提供一LED外延片；其中，所述LED外延片包括層疊設(shè)置的GaN半導(dǎo)體層、量子阱層以及p?GaN層；對所述GaN半導(dǎo)體層的N面進(jìn)行退火處理，使所述GaN半...
  • 本發(fā)明公開了基于垂直雙層熱絲陣列熱場設(shè)計的poly?Si薄膜制備方法，通過調(diào)節(jié)雙層熱絲陣列層間距和雙層熱絲電流來改變熱絲表面溫度和裂解高溫區(qū)范圍，擴大了硅烷裂解時間和裂解空間，促進(jìn)硅烷二次裂解，能有效地控制達(dá)到襯底表面的硅烷裂解中間產(chǎn)物組分...
  • 本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于BC電池片高精度的施膠裝置及串聯(lián)機，施膠裝置包括電池片校正組件；分別設(shè)置在電池片校正組件相對兩側(cè)的電池片傳送校正組件和電池片傳送組件；分別設(shè)置在電池片傳送校正組件側(cè)邊的前端電池片檢測組件和電池片施膠組件；電池片校正組件...
  • 本發(fā)明公開了一種基于二維異質(zhì)結(jié)與量子點材料的復(fù)合光電探測器，屬于光電探測領(lǐng)域。該探測器在垂直方向上重疊了兩種二維材料，構(gòu)成垂直方向上光伏（PV）type?II型P?N異質(zhì)結(jié)，將量子點材料旋涂在異質(zhì)結(jié)的頂端，利用量子點材料產(chǎn)生較多的光生載流子...
  • 本發(fā)明提供了一種SOI襯底及其制造方法、SOI功率器件、芯片、電子元件，所述SOI功率器件包括依次堆疊的第一襯底、埋層及第二襯底；所述第二襯底中設(shè)有體區(qū)和漂移區(qū)，所述體區(qū)中設(shè)有源端，所述漂移區(qū)中設(shè)有漏端，柵極結(jié)構(gòu)設(shè)于所述體區(qū)及所述漂移區(qū)表面...
  • 本發(fā)明公開了一種服務(wù)器機柜液體浸沒冷卻系統(tǒng)，涉及大數(shù)據(jù)與人工智能機柜冷卻技術(shù)領(lǐng)域，包括信息監(jiān)控模塊用于采集服務(wù)器機柜的運行狀態(tài)數(shù)據(jù)，并監(jiān)控數(shù)據(jù)變化情況；數(shù)據(jù)處理模塊用于清洗和整合信息監(jiān)控模塊采集的運行狀態(tài)數(shù)據(jù)；人工智能預(yù)測模塊用于基于歷史運...
  • 本申請公開了一種軟硬結(jié)合板、直線模組和手術(shù)機器人，涉及醫(yī)療器械技術(shù)領(lǐng)域，應(yīng)用于手術(shù)機器人的直線模組，包括帶狀的柔性電路板，以及與柔性電路板的一端連接的硬電路板，柔性電路板的另一端連接直線模組的器械驅(qū)動板，柔性電路板的兩端之間具有180度彎折...
  • 本發(fā)明屬于柔性電路技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種一體成型的多層柔性織物電路，按功能布局分類包括主干電路I、支流電路I、主干電路II、支流電路II，主干電路I與支流電路I連接，主干電路II與支流電路II連接，主干電路I與主干電路II不連接，支流電路I與...
  • 本發(fā)明公開了一種表面除冰結(jié)構(gòu)、表面除冰裝置及表面除冰方法，涉及物體表面除冰領(lǐng)域。其中表面除冰結(jié)構(gòu)包括：基體以及叉指電極。基體的表面具有疏水區(qū)域以及親水區(qū)域，親水區(qū)域設(shè)置于疏水區(qū)域的兩側(cè)，其中，基體的表面設(shè)置有槽道，槽道形成親水區(qū)域。叉指電極...
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