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  • 本發(fā)明涉及電纜收納技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種用于船舶配件的電纜收納裝置及其使用方法，包括底座，底座頂端固定安裝有電機(jī)底座，電機(jī)底座呈倒U型，且凹陷處固定安裝有第一電機(jī)，第一電機(jī)輸出端連接有縱向移動結(jié)構(gòu)，縱向移動結(jié)構(gòu)正面連接有收卷結(jié)構(gòu)，且頂端連接...
  • 本發(fā)明提供一種洗滌設(shè)備及其控制方法、電子設(shè)備及可讀存儲介質(zhì)。控制方法包括：在洗滌設(shè)備進(jìn)入脫水程序后，并且在開始脫水前，控制所述洗滌設(shè)備進(jìn)入脫水偏心預(yù)檢階段，所述脫水偏心預(yù)檢階段為所述洗滌設(shè)備以預(yù)設(shè)轉(zhuǎn)速運(yùn)行至少一個(gè)轉(zhuǎn)停比的時(shí)間；在所述脫水偏心...
  • 本公開實(shí)施例涉及智能用例執(zhí)行優(yōu)先級評估機(jī)制。本文提供了用于測試選擇系統(tǒng)的方法、系統(tǒng)和非瞬態(tài)處理器可讀存儲介質(zhì)。一種示例方法包括由測試選擇系統(tǒng)從軟件測試生命周期系統(tǒng)中的多個(gè)回歸測試用例中選擇回歸測試用例。測試選擇系統(tǒng)基于與回歸測試用例相關(guān)聯(lián)的...
  • 本發(fā)明提供了一種測試數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設(shè)備，基于預(yù)設(shè)查詢語句和預(yù)設(shè)配置信息，從服務(wù)平臺獲取目標(biāo)需求的需求信息；對獲取的全部需求信息進(jìn)行分析統(tǒng)計(jì)，得到多個(gè)維度的統(tǒng)計(jì)信息；基于預(yù)設(shè)配置信息、獲取的全部需求信息以及多個(gè)維度的統(tǒng)計(jì)信息，生成包...
  • 本申請實(shí)施例提供一種確定傷情等級的方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲介質(zhì)，其中，確定傷情等級的方法包括：獲取傷員的生命體征數(shù)據(jù)和傷情信息；所述傷情信息用于描述所述傷員的傷情；基于所述生命體征數(shù)據(jù)和所述傷情信息，生成傷情文本；利用預(yù)訓(xùn)練的檢傷分類模...
  • 本發(fā)明涉及一種鍵合結(jié)構(gòu)及其制備方法、發(fā)光組件及其制作方法。該鍵合結(jié)構(gòu)制備方法包括：提供一生長襯底；其中，所述生長襯底上外延生長有預(yù)設(shè)厚度的犧牲層；對所述犧牲層進(jìn)行圖案化處理，以使所述生長襯底的部分表面露出；于所述生長襯底露出的表面和所述犧牲...
  • 本申請?zhí)峁┮环N顯示背板、背板制作方法及顯示設(shè)備。該顯示背板包括：基板；多顆IC，多顆所述IC間隔排列在所述基板上，每一所述IC的引腳背向所述基板；顯示層，所述顯示層設(shè)于所述IC上，所述顯示層包括多顆LED，至少一顆所述LED與一顆所述IC通...
  • 本公開涉及一種表面硒摻雜的高鎳三元材料及其制備方法和應(yīng)用，所述表面硒摻雜的高鎳三元材料包含化學(xué)式為LiNixCoyMnzO2?pSep
  • 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，該半導(dǎo)體裝置包括一基底，具有一第一表面和一第二表面；一閘極接墊和一源極接墊，彼此側(cè)向分離，均設(shè)置于基底的第一表面之上；一汲極區(qū)，設(shè)置于基底的第二表面；一第一溝槽，設(shè)置于基底中，位于閘極接墊的正下方；一...
  • 本發(fā)明公開了一種溝槽結(jié)構(gòu)的制造方法，該溝槽結(jié)構(gòu)的制造方法包括提供一待處理的半導(dǎo)體基底，該半導(dǎo)體基底包括半導(dǎo)體襯底以及間隔形成于半導(dǎo)體襯底的表面的上方的柵極結(jié)構(gòu)，相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的半導(dǎo)體襯底中形成有溝槽結(jié)構(gòu)，通入六氟化硫等離子體對溝槽結(jié)構(gòu)進(jìn)行...
  • 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法、電子設(shè)備。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包括：提供襯底；于襯底上形成第一垂直晶體管；于第一垂直晶體管上沉積一層或多層層間絕緣介質(zhì)材料層，對一層或多層層間絕緣介質(zhì)材料層進(jìn)行等離子體處理，以形成一層或多層層間絕緣介質(zhì)...
  • 本發(fā)明公開一種薄膜晶體管基板及包括其的電子裝置，其中該薄膜晶體管基板包括：基板、設(shè)置在基板上的第一金屬層、設(shè)置在第一金屬層上的第二金屬層、設(shè)置在基板與第一金屬層之間的半導(dǎo)體、以及設(shè)置于第一金屬層與第二金屬層之間第一絕緣層。第一金屬層包括柵極...
  • 本申請?zhí)峁┮环N光電探測器及其制備方法。該光電探測器包括：第一光波導(dǎo)，其設(shè)置于襯底的表面，沿第一方向延伸；第一摻雜區(qū)，其具有第一摻雜類型，在第二方向上位于該第一光波導(dǎo)的一側(cè)；以及第二摻雜區(qū)，其具有不同于該第一摻雜類型的第二摻雜類型，在該第二方...
  • 本發(fā)明公開了一種AlGaN基深紫外發(fā)光二極管注入結(jié)構(gòu)及應(yīng)用。本發(fā)明提供的注入結(jié)構(gòu)為周期性結(jié)構(gòu)，每個(gè)周期結(jié)構(gòu)包括如下組成：Al組分占比漸變的p?AlmGa1?mN層；每個(gè)周期結(jié)構(gòu)中，Al組分占比m沿...
  • 本發(fā)明公開了一種發(fā)光器件的制備方法及發(fā)光器件，發(fā)光器件的制備方法包括：提供襯底；于襯底的正面形成第一掩膜層，并圖形化處理第一掩膜層，以在第一掩膜層中形成多個(gè)正面掩膜開口；基于圖形化處理后的第一掩膜層，在襯底的正面生長半導(dǎo)體外延層，并在生長半...
  • 本發(fā)明公開了一種發(fā)光器件的制備方法及發(fā)光器件，發(fā)光器件的制備方法包括：提供襯底，襯底包括相對的正面和背面；圖形化處理襯底的正面，形成凸起部和凹槽；在凸起部和/或凹槽生長半導(dǎo)體外延層，并在生長半導(dǎo)體外延層過程中摻雜第一元素，以形成多個(gè)第一發(fā)光...
  • 本申請?zhí)峁┮环N顯示裝置，包括驅(qū)動基板、第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元。第一發(fā)光單元鍵合在驅(qū)動基板的一側(cè)且包括第一陽極、第一發(fā)光層、第一陰極和連接第一陽極的第一接觸孔，第二發(fā)光單元鍵合在第一發(fā)光單元背離驅(qū)動基板的一側(cè)且包括第二陽極、...
  • 本發(fā)明涉及催化劑領(lǐng)域及高分子材料回收利用領(lǐng)域，公開了一種復(fù)合分子篩催化劑及其制備方法以及在廢塑料直接催化裂解制低碳烯烴反應(yīng)中的應(yīng)用。該復(fù)合分子篩催化劑包括SSZ?13分子篩、類球形超大孔介孔分子篩和金屬氧化物，類球形超大孔介孔分子篩的比表面...
  • 本發(fā)明公開了一種紡織品水溶液中纖維微塑料的顯微鏡測定方法，涉及環(huán)境污染物檢測技術(shù)領(lǐng)域，包括：采集水樣；配制尼羅紅染色液；將配制好的尼羅紅染色液加入水樣對其進(jìn)行熒光染色；用放置了玻璃纖維濾膜的微量玻璃抽濾裝置對熒光染色后水樣進(jìn)行過濾；用丙酮溶...
  • 本申請?zhí)峁┮环N控制方法及裝置，控制方法包括：根據(jù)可移動平臺移動作業(yè)的路徑信息生成初始作業(yè)軌跡；獲取所述可移動平臺移動作業(yè)的過程中多個(gè)作業(yè)模塊的作業(yè)狀態(tài)信息；將多個(gè)所述作業(yè)模塊的所述作業(yè)狀態(tài)信息疊加于所述初始作業(yè)軌跡，用以對多個(gè)所述作業(yè)模塊在...
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