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  • 根據一方面，提供了一種用于形成3D NAND閃存的存儲器結構的方法，該方法包括：在襯底上形成層堆疊；通過從該層堆疊中的存儲器孔橫向回蝕該層堆疊的柵極層，來在圍繞該存儲器孔的側壁中形成第一凹陷區域；通過沉積阻擋氧化物并隨后沉積電荷陷阱材料，來...
  • 公開了一種功率轉換器組件和制造方法。該功率轉換器組件包括第一電路板和第二電路板。第一電路板包括可操作成控制輸入電壓到輸出電壓的轉換的功率轉換器電路。第二電路板被設置成大致正交于第一電路板。第二電路板用于接收輸出電壓，以及將輸出電壓傳送至諸如...
  • 本公開涉及電力電子技術領域，尤其涉及一種半導體器件、車載充電機及交通工具，其中，半導體器件包括：基板、功率電路、功率引腳(102)和信號引腳(101)；功率電路設置在基板上；功率引腳(102)和信號引腳(101)連接功率電路；設置在基板的相...
  • 一種網絡節點，用于支持在無線電通信網絡內的多個小區內提供無線電覆蓋。該網絡節點被配置為評估能夠提供給在由網絡節點提供的至少一個無線電覆蓋區域內的用戶設備的服務質量，并且生成服務質量的指示以傳輸給另外的網絡節點。接收網絡節點可以在切換決策中使...
  • 本公開實施例涉及網絡節點、方法和計算機程序。用于支持在通信網絡的一個或多個小區中提供無線電覆蓋的網絡節點。網絡節點被配置為：響應于從用戶設備接收到由另一網絡節點控制的小區的指示，向中央網絡節點發送針對另一網絡節點的通信地址的請求。網絡節點進...
  • 本發明公開了一種解碼來自位元流的圖像幀的方法。方法包括將圖像幀的N個圖塊分組為P個子圖像，P個子圖像彼此不重迭，P個子圖像的子圖像包括Q列圖塊，N是超過1的整數，P、Q為正整數，將Q列圖塊中的第一列圖塊劃分為M個子切片，M個子切片彼此不重迭...
  • 本公開涉及射頻電路、射頻系統和用于射頻電路的方法。提出了一種RF電路，其包括被配置為接收RF信號的輸入節點、被配置為輸出RF信號的輸出節點、被耦合在輸入節點與輸出節點之間的RF開關組件，其中RF開關組件被配置為將輸入節點和輸出節點選擇性地連...
  • 本公開涉及半導體設備。實現了半導體設備的模數轉換器的高速化。一種電壓量化器電路，包括：第一比較器，該第一比較器包括輸入差分輸入電壓的第一輸入晶體管，并且定義數字信號的第一位的值；以及第二比較器，該第二比較器包括不同于第一輸入晶體管的第二輸入...
  • 本申請涉及一種定子、電機、動力總成及車輛。定子包括風冷散熱結構、多個定子構件以及導熱構件。多個定子構件圍繞風冷散熱結構分布。導熱構件的至少部分設置于相鄰定子構件之間，且被配置為將定子構件產生的熱量導出，導出的熱量經由風冷散熱部散出。如此設置...
  • 本發明提供一種驅動裝置以及車輛，能夠容易地拆卸收容減速機構等變速機構的齒輪殼體。驅動裝置(16)具備：馬達殼體(42)，其具有收容馬達(12)的馬達收容室(46)；齒輪殼體(43)，其與所述馬達殼體(42)相鄰，具有收容所述馬達(12)的變...
  • 本申請涉及一種復合電機及車輛，其中復合電機包括內電機、外電機、輸出軸和連接件。內電機包括相互耦合的內轉子和內定子。外電機設置在內電機的徑向外側，且包括相互耦合的外轉子和外定子。內轉子與輸出軸固定連接。連接件分別與外轉子和輸出軸固定連接，使得...
  • 本申請涉及一種定子組件、驅動機構及車輛，定子組件包括鐵芯和繞組，鐵芯包括間隔設置的齒部以及連接在相鄰所述齒部之間的軛部，繞組圍繞所述齒部設置。其中，所述軛部內設置有換熱流道用于對所述繞組進行換熱，所以沒有占用齒部之間繞組的空間，進而可以提高...
  • 本申請提供一種儲能系統、儲能系統的控制方法和控制電路，儲能系統包括控制電路、逆變電路和儲能電路，其中，控制電路分別連接逆變電路和儲能電路，控制電路還連接至少一個光伏組件，控制電路能夠從支持的至少兩種功率分配模式中確定目標功率分配模式，并根據...
  • 本發明涉及一種用于將電導線連接到電氣設備上的連接端子。本發明尤其涉及一種連接端子，用于將接地導線或地線連接到引導接地電勢或地電勢的構件上，例如連接到金屬板上。在所述情況下，根據本發明的連接端子可以形成接地端子。
  • 本發明的發明名稱是“電力插座組裝件和組裝電力插座組裝件的方法”。一種電力插座組裝件，包含保存電力端子的插座外殼，所述電力端子包含配合端處的插口和壓接到電力線纜的壓接筒。電力插座組裝件包含耦合到插座外殼的后部的后部蓋子。可選地，后部蓋子包含被...
  • 公開了一種電池組。該電池組包括多個電池單體，且電池單體中的每個包括排氣口。外殼容納電池單體，并且蓋覆蓋外殼的上表面。匯流條將多個電池單體彼此連接。散熱器位于蓋上。傳熱材料施涂到匯流條并且覆蓋散熱器的至少一部分。散熱器包括主體和腿部，主體包括...
  • 本發明提供包括灌封主體的功率半導體模塊和生產方法，該功率半導體模塊包括基底，布置在基底上的功率半導體部件，連接裝置，外部端子元件，灌封主體和壓力裝置，所述基底具有絕緣主體和布置在其上的基底導體跡線，所述功率半導體部件布置在這些基底導體跡線中...
  • 所呈現的是包括灌封主體的功率半導體模塊和生產方法，該功率半導體模塊包括基底，布置在基底上上的功率半導體部件，連接裝置，灌封主體，壓力裝置，外部端子元件和預制殼體，基底具有絕緣主體和布置在其上的基底導體跡線，所率半導體部件布置在這些基底導體跡...
  • 本文公開了具有溫度感測腔體的模制封裝和功率模塊。一種模制封裝包括：模制化合物；被模制化合物包封的第一功率半導體管芯；以及形成在模制化合物的表面中的第一溫度感測腔體。模制封裝沒有溫度感測端子。第一溫度感測腔體的尺寸被設定為：容納溫度傳感器，和...
  • 本公開的實施例涉及用激光退火在SiC功率器件上一步形成前歐姆和肖特基接觸。提供了使用激光退火一步形成針對SiC功率器件的歐姆接觸和肖特基接觸的方法、系統和設備。SiC功率器件可以包括背面歐姆接觸、n+襯底、n?外延層、一個或多個p+區、一個...
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