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  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種控制方法、裝置、電子設(shè)備以及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，控制方法應(yīng)用于電子設(shè)備的處理模塊，電子設(shè)備包括設(shè)有第一屏幕的第一部分以及設(shè)有第二屏幕的第二部分，第一部分與第二部分轉(zhuǎn)動(dòng)連接，使第一屏幕與第二屏幕能夠相互靠近和遠(yuǎn)離，方法包括：獲...
  • 本發(fā)明提供了顯示面板及其補(bǔ)償方法，顯示面板包括數(shù)據(jù)線、連接于同一數(shù)據(jù)線的多個(gè)第一子像素、至少一第二子像素，多個(gè)第一子像素之間設(shè)有第二子像素，補(bǔ)償方法包括：在第一時(shí)段內(nèi)，控制每一第一子像素加載對(duì)應(yīng)的第一數(shù)據(jù)電壓，多個(gè)第一數(shù)據(jù)電壓處于第一電壓區(qū)...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N語(yǔ)音識(shí)別糾錯(cuò)方法及終端設(shè)備，涉及語(yǔ)音識(shí)別技術(shù)領(lǐng)域，能夠提高語(yǔ)音識(shí)別準(zhǔn)確度，加快語(yǔ)音識(shí)別糾錯(cuò)的處理效率。該方法包括：終端設(shè)備獲取第一語(yǔ)音數(shù)據(jù)；終端設(shè)備基于語(yǔ)音識(shí)別系統(tǒng)識(shí)別第一語(yǔ)音數(shù)據(jù)輸出第一識(shí)別結(jié)果；終端設(shè)備根據(jù)用戶是否對(duì)第一識(shí)...
  • 本公開(kāi)是關(guān)于一種音頻處理方法及裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，所述方法包括：基于采集的目標(biāo)音頻設(shè)備的音頻信號(hào)轉(zhuǎn)換到頻域，得到所述音頻信號(hào)的第一頻域信息；其中，所述第一頻域信息包括：所述音頻信號(hào)的不同頻率分量的幅度值；根據(jù)所述幅度值，確定基準(zhǔn)值；根...
  • 本發(fā)明提供一種實(shí)時(shí)分析音樂(lè)節(jié)奏的方法與系統(tǒng)，在該方法中，通過(guò)一裝置的輸入界面接收音頻信號(hào)，經(jīng)音頻信號(hào)處理電路解碼音頻信號(hào)以取得音頻幀數(shù)據(jù)，包括采樣率，接著根據(jù)系統(tǒng)設(shè)定的音頻幀大小與重疊音頻幀大小得出音頻幀跳躍步長(zhǎng)，根據(jù)采樣率與音頻幀跳躍步長(zhǎng)...
  • 一種存算一體電路及SRAM存儲(chǔ)器，存算一體電路包括：寫(xiě)操作單元電路，包括第一晶體管以及與第一晶體管耦接的阻變存儲(chǔ)器；與寫(xiě)操作單元電路相耦接的讀操作單元電路，包括第二晶體管以及與第二晶體管耦接的第三晶體管，第二晶體管與阻變存儲(chǔ)器的耦接點(diǎn)、第一...
  • 本發(fā)明公開(kāi)的利用JANUS結(jié)構(gòu)調(diào)控二維反鐵磁半導(dǎo)體自旋態(tài)的方法，步驟如下：構(gòu)建二維反鐵磁半導(dǎo)體材料結(jié)構(gòu)模型，并進(jìn)行幾何優(yōu)化；基于優(yōu)化后結(jié)構(gòu)計(jì)算磁學(xué)性質(zhì)和電子性質(zhì)；替換一側(cè)鹵素原子，得到具有JANUS結(jié)構(gòu)的二維A型反鐵磁半導(dǎo)體材料結(jié)構(gòu)模型，并...
  • 一種正溫度系數(shù)過(guò)電流保護(hù)裝置包含第一PTC組件、第二PTC組件、第一絕緣層、第一導(dǎo)電貫孔及第二導(dǎo)電貫孔。該第一PTC組件包括第一電極、第二電極及第一PTC元件，該第一PTC元件夾置在該第一電極與該第二電極之間。該第二PTC組件包括第三電極、...
  • 本發(fā)明的一種常開(kāi)式真空接觸器，涉及真空滅弧技術(shù)領(lǐng)域。包括真空腔室，真空腔室包括靜觸頭組件和動(dòng)觸頭組件，動(dòng)觸頭組件包括動(dòng)觸頭和動(dòng)拉桿，動(dòng)拉桿的朝向真空腔室第二端的一端通過(guò)絕緣結(jié)構(gòu)安裝動(dòng)觸頭，動(dòng)拉桿的另一端穿過(guò)真空腔室的拉桿穿孔且通過(guò)波紋管與真...
  • 一種存儲(chǔ)元件組，包括：兩存儲(chǔ)元件以及連接片。每個(gè)存儲(chǔ)元件具有相對(duì)的第一側(cè)與第二側(cè)以及相對(duì)的第三側(cè)與第四側(cè)，第三側(cè)與第四側(cè)連接在第一側(cè)與第二側(cè)之間，存儲(chǔ)元件的第三側(cè)彼此相對(duì)并相隔間距。連接片具有兩包覆部及橋接部，每個(gè)包覆部包覆存儲(chǔ)元件其中之一...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種適用于超聲焊接的鍵合結(jié)構(gòu)及鍵合方法，本發(fā)明包括鍵合線與目標(biāo)器件，所述目標(biāo)器件上還包括一鍵合界面，所述鍵合界面上的若干凸起為陣列設(shè)置，所述相鄰的兩列凸起之間保持預(yù)定間距，所述間距用以匹配預(yù)定長(zhǎng)度和直徑的所述鍵合線并使所述預(yù)定長(zhǎng)...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N電極極片、電池和用電設(shè)備，該電極極片，包括電極材料膜層，所述電極材料膜層包括導(dǎo)電纖維材料，所述導(dǎo)電纖維材料包括：有機(jī)纖維和包覆在所述有機(jī)纖維至少部分表面上的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層包括導(dǎo)電材料。通過(guò)在電極材料膜層中添加導(dǎo)電纖維材料作...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N電池單體、電池及用電裝置。電池單體包括正極極片和電解液，正極活性材料包括第一正極活性材料和第二正極活性材料，電解液包括非水溶劑、電解質(zhì)鹽以及第一添加劑，電解質(zhì)鹽包括第一陽(yáng)離子和第一陰離子，第一添加劑包括第二陽(yáng)離子和第二陰離子，...
  • 本發(fā)明涉及電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種正極極片及其制備方法、電池和用電裝置。正極極片包括集流體和層疊設(shè)于集流體同一側(cè)的正極涂層與保護(hù)層，保護(hù)層包括第一保護(hù)層，第一保護(hù)層設(shè)于集流體，正極涂層設(shè)于第一保護(hù)層背離集流體的一側(cè)，第一保護(hù)層包括正溫度系...
  • 本發(fā)明涉及電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種正極材料及其制備方法、正極極片、正極漿料及其制備方法、電池和用電裝置。正極材料包括正極活性材料和設(shè)于正極活性材料表面的包覆層，包覆層包括有機(jī)聚合物，優(yōu)選地，包覆層包括疏水性有機(jī)聚合物。本申請(qǐng)?jiān)谡龢O活性材料...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種正極材料及其制備方法、正極片、電池及用電裝置，所述正極材料包括內(nèi)核和至少部分包覆在內(nèi)核表面的包覆層，其中，內(nèi)核至少包括錳酸鋰，包覆層包括含羧基官能團(tuán)的化合物與錳酸鋰表面的殘堿的反應(yīng)產(chǎn)物，所述反應(yīng)產(chǎn)物含酯基官能團(tuán)。通過(guò)包覆層含...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種電極材料及其制備方法、電極片、電池及用電裝置，所述電極材料包括內(nèi)核和至少部分包覆在所述內(nèi)核表面的包覆層，其中所述內(nèi)核包括電極活性材料，所述包覆層包括主要由至少一種聚合物單體形成的聚合物；所述聚合物單體包括羧基基團(tuán)和羥基基團(tuán)；...
  • 本發(fā)明實(shí)施例涉及一種硅碳負(fù)極材料及制備方法和在鋰離子電池中的應(yīng)用，所述硅碳負(fù)極材料由沉積有納米硅顆粒的彈性籠狀碳材料內(nèi)核和無(wú)序碳層外殼構(gòu)成；所述彈性籠狀碳材料內(nèi)核的碳材料骨架具體包括富勒烯C60、C70
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種集流體及其制備方法、極片、電池及用電裝置。所述集流體包括基膜、設(shè)于基膜至少一側(cè)的導(dǎo)電膜層以及位于所述基膜和所述導(dǎo)電膜層之間的導(dǎo)電碳膜層，其中，所述基膜包括無(wú)紡布層。基膜包括無(wú)紡布層，使得無(wú)紡布層通過(guò)導(dǎo)電碳膜層連接導(dǎo)電膜層，一...
  • 本發(fā)明提供膜電極邊框膜貼合對(duì)齊方法、裝置及設(shè)備，膜電極邊框膜包括底層邊框膜和至少一個(gè)上層邊框膜，底層邊框膜上至少設(shè)置有一組底層定位孔，每個(gè)上層邊框膜上均至少設(shè)置有一組上層定位孔，每組底層定位孔的正投影均在上層定位孔的正投影邊界內(nèi)，方法包括定...
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