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  • 公開了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括基底、電路層和元件層。電路層包括：發(fā)光像素驅(qū)動(dòng)器；數(shù)據(jù)線；解復(fù)用電路，基于從顯示驅(qū)動(dòng)電路供應(yīng)的數(shù)據(jù)復(fù)用信號(hào)來輸出數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號(hào)；以及數(shù)據(jù)傳輸線，電連接在顯示驅(qū)動(dòng)電路與解復(fù)用電路之間，并且分別傳輸解復(fù)用電...
  • 本文中所描述的方面提供用于使用基于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)機(jī)器學(xué)習(xí)的方法來解釋鉆孔聲波頻散數(shù)據(jù)的方法和設(shè)備。訓(xùn)練數(shù)據(jù)集從兩個(gè)可能的來源生成。首先，在現(xiàn)場數(shù)據(jù)處理上應(yīng)用機(jī)器學(xué)習(xí)使能的自動(dòng)偶極解釋(MLADI)和/或機(jī)器學(xué)習(xí)使能的自動(dòng)四極解釋(MLAQI)方法...
  • 提供一種儲(chǔ)存設(shè)備，包括：存儲(chǔ)設(shè)備，包括多個(gè)存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊包括多個(gè)存儲(chǔ)單元；控制器，被配置為響應(yīng)于從主機(jī)接收的寫入請求控制存儲(chǔ)設(shè)備的編程操作；以及溫度傳感器，被配置為測量內(nèi)部溫度，其中，控制器還被配置為基于由溫度傳感器測量的第一溫度，將多...
  • 本發(fā)明提供一種電池活化劑及其制備方法、活化膜、負(fù)極片、電池、電池組以及用電設(shè)備，所述電池活化劑包括外殼以及封裝在所述外殼內(nèi)的緩釋材料；所述緩釋材料包括形成SEI膜所需的添加劑；所述外殼包括靠近所述緩釋材料的第一聚合物層以及遠(yuǎn)離所述緩釋材料的...
  • 本發(fā)明涉及一種用于連接電導(dǎo)線的接線端子，所述電導(dǎo)線具有導(dǎo)電芯和包圍導(dǎo)電芯的絕緣護(hù)套，所述接線端子具有殼體和至少一個(gè)切夾接觸部，電導(dǎo)線能夠在先前未剝?nèi)ソ^緣護(hù)套的絕緣皮的情況下借助于切夾過程在所述至少一個(gè)切夾接觸部處電接觸，在所述切夾過程中絕緣...
  • 一種用于電連接器的電連接器外殼，其中一狹槽設(shè)置于所述電連接器外殼中，且位于多個(gè)接觸片與所述電連接器外殼的前表面的間。所述狹槽自所述電連接器外殼的上表面垂直延伸，以與所述外殼中用于接收絕緣電線的多個(gè)通道相通；一切割片容納并固定于所述狹槽中，用...
  • 一種示例多相功率轉(zhuǎn)換器電路(100)包含：第一功率級(jí)(102)，第一功率級(jí)經(jīng)配置以基于第一控制信號(hào)而在第一切換輸出(122)處提供第一相輸出信號(hào)。第一功率級(jí)(102)包含第一斷開故障檢測電路系統(tǒng)(114)，第一斷開故障檢測電路系統(tǒng)經(jīng)配置以響...
  • 本公開涉及陶瓷環(huán)面電纜陷波器。電流電纜陷波器包括陶瓷環(huán)面主體，該陶瓷環(huán)面主體具有第一端部和第二端部。陶瓷環(huán)面主體包括溝槽，該溝槽被設(shè)置在陶瓷環(huán)面主體的表面上并且在第一端部與第二端部之間延伸。電流電纜陷波器還包括傳導(dǎo)跡線，該傳導(dǎo)跡線形成在溝槽...
  • 上電復(fù)位(POR)電路包括第一跳變檢測器電路和第二跳變檢測器電路。所述第一跳變檢測器電路基于在電源電壓斜升時(shí)斜升的跳變節(jié)點(diǎn)電壓來產(chǎn)生指示所述電源電壓的狀態(tài)的復(fù)位信號(hào)。當(dāng)所述跳變節(jié)點(diǎn)電壓超過閾值時(shí)，所述復(fù)位信號(hào)被斷言。所述第二跳變檢測器電路基...
  • 本文描述一種被配置成與另外的通信裝置(120)執(zhí)行單側(cè)雙向測距SS?TWR通信的通信裝置(110)，所述通信裝置(110)包括控制裝置，所述控制裝置被配置成：i)向所述另外的通信裝置(120)傳輸?shù)谝籗S?TWR信號(hào)，ii)從所述另外的通信...
  • 本公開提供一種印刷電路板。所述印刷電路板包括：基板；第一貫通部和第二貫通部，穿透所述基板的上表面與下表面之間的區(qū)域；磁性層，設(shè)置在所述第一貫通部中；電壓調(diào)節(jié)器，設(shè)置在所述第二貫通部中；第一通孔，穿透所述磁性層的上表面與下表面之間的區(qū)域；第一...
  • 一種非易失性存儲(chǔ)器件包括：外圍電路結(jié)構(gòu)，包括外圍電路和外圍電路上的下絕緣結(jié)構(gòu)；單元陣列結(jié)構(gòu)，具有單元區(qū)域和外圍連接區(qū)域并包括：與下絕緣結(jié)構(gòu)接觸的上絕緣結(jié)構(gòu)；單元堆疊，在上絕緣結(jié)構(gòu)上在單元區(qū)域中；公共源極線層，在單元堆疊上并具有公共源極開口；...
  • 在根據(jù)實(shí)施例的集成電路器件及其制造方法中，在包括用于具有基于縮小尺寸而減小的面積的器件區(qū)域的背面配電網(wǎng)絡(luò)在內(nèi)的結(jié)構(gòu)中，接觸融合橋形成在源極/漏極接觸件上，并且因此，可以降低制造工藝的難度并且可以增強(qiáng)電特性。
  • 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。提供抑制光劣化的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置包含：遮光層；具有第1界面且與遮光層相接的第1硅氮化物絕緣層；具有第2界面且與第1硅氮化物絕緣層相接的第1硅氧化物絕緣層；第1硅氧化物絕緣層上的氧化物半導(dǎo)體層；氧化物半導(dǎo)體層上的第...
  • 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。本發(fā)明提供抑制像素的開口率的降低的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置包括：第一柵電極；第一柵電極之上的包含具有多晶結(jié)構(gòu)的第一氧化物半導(dǎo)體的氧化物半導(dǎo)體層；與氧化物半導(dǎo)體層電連接的源電極及漏電極；和源電極及漏電極之上的與...
  • 本發(fā)明提供具有高可靠性的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置包括：第一柵電極；第一柵電極之上的包含具有多晶結(jié)構(gòu)的第一氧化物半導(dǎo)體的氧化物半導(dǎo)體層；與氧化物半導(dǎo)體層電連接的源電極及漏電極；和源電極及漏電極之上的與第一柵電極及氧化物半導(dǎo)體層重疊的第二柵電極，...
  • 本發(fā)明涉及顯示裝置及顯示裝置的制造方法。提供高精細(xì)的顯示裝置。顯示裝置具有:包含多晶結(jié)構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體層；設(shè)置在氧化物半導(dǎo)體層之上的柵極絕緣層；在柵極絕緣層之上與氧化物半導(dǎo)體層對置的柵電極；與柵電極相接地設(shè)置的第1氮化硅層；與第1氮化硅層相...
  • 本公開涉及顯示裝置和制造顯示裝置的方法。所述顯示裝置包括：顯示元件層，設(shè)置在基底上并且包括發(fā)光元件；以及封裝構(gòu)件，設(shè)置在所述顯示元件層上并且包括第一無機(jī)封裝層、設(shè)置在所述第一無機(jī)封裝層上的有機(jī)封裝層、以及第二無機(jī)封裝層，所述第二無機(jī)封裝層包...
  • 提供了制造顯示設(shè)備的方法。該方法包括：在襯底上設(shè)置第一無機(jī)層；在第一無機(jī)層上設(shè)置反射器；在反射器上設(shè)置第二無機(jī)層；以及在第二無機(jī)層上設(shè)置有機(jī)發(fā)光二極管，其中，設(shè)置反射器包括：在第一無機(jī)層中形成槽部分；在第一無機(jī)層上設(shè)置反射層以覆蓋第一無機(jī)層...
  • 公開了一種控制超聲成像裝置的方法、超聲成像裝置和計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)。所述方法可包括：獲得對象的體數(shù)據(jù)，從所述體數(shù)據(jù)獲得與第一軸交叉的參考截面圖像，從所述體數(shù)據(jù)獲得與不同于所述第一軸的第二軸交叉的候選標(biāo)準(zhǔn)截面圖像，在第一圖形用戶界面（GUI）...
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