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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明提供了一種聚兩性離子水凝膠及其制備方法和應(yīng)用，涉及水凝膠技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明利用銀離子和過硫酸根離子在引發(fā)劑存在下，發(fā)生氧化還原反應(yīng)產(chǎn)生自由基，自由基能夠與兩性離子單體反應(yīng)形成活性中心，在交聯(lián)劑存在下，活性中心與兩性離子單體發(fā)生自發(fā)聚合反...
  • 本公開提供了“易受傷害的道路用戶識別系統(tǒng)”。一種車輛包括：人機界面(HMI)；光傳感器，所述光傳感器被配置為接收從照明裝置發(fā)射的光脈沖，其中所述光脈沖包括調(diào)制格式的原始消息；和一個或多個控制器，所述一個或多個控制器被編程為解調(diào)所述光脈沖以獲...
  • 本發(fā)明提供一種能夠適當(dāng)?shù)剡M行作業(yè)裝置的驅(qū)動和行駛輔助的田地作業(yè)機。舉例所示的田地作業(yè)機具備：行駛機體，其具有行駛裝置；作業(yè)裝置，其支承于所述行駛機體；原動機，其向所述行駛裝置供給驅(qū)動力；第一旋轉(zhuǎn)電機，其以能夠傳遞動力的方式與所述原動機的輸出...
  • 本發(fā)明提供一種能夠抑制因門支承裝置而導(dǎo)致車輛的寬度方向上的空間變窄的門支承裝置。門支承裝置(40)具備設(shè)置于車身的撞針單元(70)、從滑動門(30)向?qū)挾确较蛏系膬?nèi)側(cè)延伸的門托架(110)、以及支承于門托架(110)的鎖定機構(gòu)(120)。撞...
  • 披露了一種在用于冷卻的冷卻設(shè)備(2)中使用的冷卻帶(1)。本發(fā)明涉及一種在用于對制品(3)進行冷卻、尤其是水冷的冷卻設(shè)備(2)中使用的冷卻帶(1)，該冷卻帶具有沿運動方向(A)布置的多個傳送段單元(12，13)，其中，傳送段單元(12，13...
  • 公開了一種控制超聲成像裝置的方法、超聲成像裝置和計算機可讀記錄介質(zhì)。所述方法可包括：獲得對象的體數(shù)據(jù)，從所述體數(shù)據(jù)獲得與第一軸交叉的參考截面圖像，從所述體數(shù)據(jù)獲得與不同于所述第一軸的第二軸交叉的候選標(biāo)準(zhǔn)截面圖像，在第一圖形用戶界面（GUI）...
  • 提供了制造顯示設(shè)備的方法。該方法包括：在襯底上設(shè)置第一無機層；在第一無機層上設(shè)置反射器；在反射器上設(shè)置第二無機層；以及在第二無機層上設(shè)置有機發(fā)光二極管，其中，設(shè)置反射器包括：在第一無機層中形成槽部分；在第一無機層上設(shè)置反射層以覆蓋第一無機層...
  • 本公開涉及顯示裝置和制造顯示裝置的方法。所述顯示裝置包括：顯示元件層，設(shè)置在基底上并且包括發(fā)光元件；以及封裝構(gòu)件，設(shè)置在所述顯示元件層上并且包括第一無機封裝層、設(shè)置在所述第一無機封裝層上的有機封裝層、以及第二無機封裝層，所述第二無機封裝層包...
  • 本發(fā)明涉及顯示裝置及顯示裝置的制造方法。提供高精細的顯示裝置。顯示裝置具有:包含多晶結(jié)構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體層；設(shè)置在氧化物半導(dǎo)體層之上的柵極絕緣層；在柵極絕緣層之上與氧化物半導(dǎo)體層對置的柵電極；與柵電極相接地設(shè)置的第1氮化硅層；與第1氮化硅層相...
  • 本發(fā)明提供具有高可靠性的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置包括：第一柵電極；第一柵電極之上的包含具有多晶結(jié)構(gòu)的第一氧化物半導(dǎo)體的氧化物半導(dǎo)體層；與氧化物半導(dǎo)體層電連接的源電極及漏電極；和源電極及漏電極之上的與第一柵電極及氧化物半導(dǎo)體層重疊的第二柵電極，...
  • 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。本發(fā)明提供抑制像素的開口率的降低的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置包括：第一柵電極；第一柵電極之上的包含具有多晶結(jié)構(gòu)的第一氧化物半導(dǎo)體的氧化物半導(dǎo)體層；與氧化物半導(dǎo)體層電連接的源電極及漏電極；和源電極及漏電極之上的與...
  • 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。提供抑制光劣化的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置包含：遮光層；具有第1界面且與遮光層相接的第1硅氮化物絕緣層；具有第2界面且與第1硅氮化物絕緣層相接的第1硅氧化物絕緣層；第1硅氧化物絕緣層上的氧化物半導(dǎo)體層；氧化物半導(dǎo)體層上的第...
  • 在根據(jù)實施例的集成電路器件及其制造方法中，在包括用于具有基于縮小尺寸而減小的面積的器件區(qū)域的背面配電網(wǎng)絡(luò)在內(nèi)的結(jié)構(gòu)中，接觸融合橋形成在源極/漏極接觸件上，并且因此，可以降低制造工藝的難度并且可以增強電特性。
  • 一種非易失性存儲器件包括：外圍電路結(jié)構(gòu)，包括外圍電路和外圍電路上的下絕緣結(jié)構(gòu)；單元陣列結(jié)構(gòu)，具有單元區(qū)域和外圍連接區(qū)域并包括：與下絕緣結(jié)構(gòu)接觸的上絕緣結(jié)構(gòu)；單元堆疊，在上絕緣結(jié)構(gòu)上在單元區(qū)域中；公共源極線層，在單元堆疊上并具有公共源極開口；...
  • 本公開提供一種印刷電路板。所述印刷電路板包括：基板；第一貫通部和第二貫通部，穿透所述基板的上表面與下表面之間的區(qū)域；磁性層，設(shè)置在所述第一貫通部中；電壓調(diào)節(jié)器，設(shè)置在所述第二貫通部中；第一通孔，穿透所述磁性層的上表面與下表面之間的區(qū)域；第一...
  • 本文描述一種被配置成與另外的通信裝置(120)執(zhí)行單側(cè)雙向測距SS?TWR通信的通信裝置(110)，所述通信裝置(110)包括控制裝置，所述控制裝置被配置成：i)向所述另外的通信裝置(120)傳輸?shù)谝籗S?TWR信號，ii)從所述另外的通信...
  • 上電復(fù)位(POR)電路包括第一跳變檢測器電路和第二跳變檢測器電路。所述第一跳變檢測器電路基于在電源電壓斜升時斜升的跳變節(jié)點電壓來產(chǎn)生指示所述電源電壓的狀態(tài)的復(fù)位信號。當(dāng)所述跳變節(jié)點電壓超過閾值時，所述復(fù)位信號被斷言。所述第二跳變檢測器電路基...
  • 本公開涉及陶瓷環(huán)面電纜陷波器。電流電纜陷波器包括陶瓷環(huán)面主體，該陶瓷環(huán)面主體具有第一端部和第二端部。陶瓷環(huán)面主體包括溝槽，該溝槽被設(shè)置在陶瓷環(huán)面主體的表面上并且在第一端部與第二端部之間延伸。電流電纜陷波器還包括傳導(dǎo)跡線，該傳導(dǎo)跡線形成在溝槽...
  • 一種示例多相功率轉(zhuǎn)換器電路(100)包含：第一功率級(102)，第一功率級經(jīng)配置以基于第一控制信號而在第一切換輸出(122)處提供第一相輸出信號。第一功率級(102)包含第一斷開故障檢測電路系統(tǒng)(114)，第一斷開故障檢測電路系統(tǒng)經(jīng)配置以響...
  • 一種用于電連接器的電連接器外殼，其中一狹槽設(shè)置于所述電連接器外殼中，且位于多個接觸片與所述電連接器外殼的前表面的間。所述狹槽自所述電連接器外殼的上表面垂直延伸，以與所述外殼中用于接收絕緣電線的多個通道相通；一切割片容納并固定于所述狹槽中，用...
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