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  • 本公開提供了存儲器件以及操作存儲器件的方法。所述存儲器件包括：存儲單元陣列，所述存儲單元陣列包括用以存儲數(shù)據(jù)的多個(gè)存儲單元；糾錯(cuò)碼(ECC)電路；以及錯(cuò)誤檢查和擦洗(ECS)電路。所述ECC電路從所述存儲單元陣列讀取數(shù)據(jù)并且糾正所述數(shù)據(jù)中的...
  • 本申請涉及風(fēng)電葉片領(lǐng)域，公開了一種葉根預(yù)埋件測試工裝及測試設(shè)備，其中，葉根預(yù)埋件測試工裝，包括：偏載連接件包括基部和延伸部，基部設(shè)置有至少一對第一安裝位，延伸部的中心線在基部上的正投影位于每對第一安裝位之間；拉伸連接件的中心線與延伸部的中心...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N鋰離子固態(tài)電解質(zhì)及其制備方法和應(yīng)用，所述鋰離子固態(tài)電解質(zhì)包括內(nèi)核和包覆在所述內(nèi)核表面的包覆層，所述內(nèi)核包括富鋰NASICON型固態(tài)電解質(zhì)，所述包覆層包括第二NASICON型固態(tài)電解質(zhì)，所述第二NASICON型固態(tài)電解質(zhì)的化學(xué)...
  • 本發(fā)明的一實(shí)施例公開一種顯示裝置及其制造方法。所述顯示裝置包括：基板，包含開口區(qū)域和圍繞所述開口區(qū)域的顯示區(qū)域；多個(gè)發(fā)光二極管，布置在所述顯示區(qū)域；以及多個(gè)槽，位于所述開口區(qū)域與所述顯示區(qū)域之間的中間區(qū)域，其中，所述多個(gè)槽定義于多層膜，所述...
  • 本發(fā)明公開了一種基于模糊測試的電力工控固件漏洞的確定方法和系統(tǒng)，包括：確定待測試的電力工程固件程序；讀取種子池中的初始輸入用例；通過執(zhí)行所述初始輸入用例，生成遺漏分支池中的初始遺漏分支；在模糊測試的每個(gè)循環(huán)迭代中，對所述初始遺漏分支池中的初...
  • 本發(fā)明提供抑制起因于布線的寄生電感而生成的浪涌電壓的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置（1）具有半導(dǎo)體芯片（Q1）和米勒鉗位電路（Q2）。半導(dǎo)體芯片（Q1）包括作為主開關(guān)的開關(guān)元件（11）。米勒鉗位電路（Q2）在開關(guān)元件（11）處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)抑制開關(guān)元...
  • 本申請涉及一種模具及其制造方法、腹板制造方法、腹板及風(fēng)力發(fā)電機(jī)組，其中，模具包括：支撐部，具有支撐面，支撐面沿第一方向延伸；主體部，設(shè)置于支撐面并沿第一方向延伸；法蘭部，沿第一方向延伸并設(shè)置于主體部在第二方向上的至少一側(cè)，第一方向與第二方向...
  • 公開了用于分析二次電池的變形的方法和裝置，其中，該二次電池具有被容納在殼體中的電極組件。方法包括通過對二次電池執(zhí)行計(jì)算機(jī)斷層攝影(CT)成像來獲得第一圖像，從第一圖像計(jì)算殼體的長直徑和短直徑的第一求和值，在多次對二次電池充電和放電以使二次電...
  • 根據(jù)本公開的二次電池診斷裝置包括：厚度傳感器，其被配置為在對其應(yīng)用了包含硅或硅氧化物的負(fù)極活性材料的二次電池正在被充電或放電的同時(shí)感測根據(jù)負(fù)極活性材料的體積變化的二次電池的厚度變化；以及處理器，其被配置為使用厚度傳感器的感測結(jié)果來估計(jì)容量比...
  • 本申請涉及一種風(fēng)電葉片構(gòu)件真空灌注成型方法。風(fēng)電葉片構(gòu)件真空灌注成型方法包括：提供葉片模具；在葉片模具上鋪設(shè)纖維增強(qiáng)層；在纖維增強(qiáng)層上鋪設(shè)脫模布；在脫模布上鋪設(shè)導(dǎo)流網(wǎng)；在導(dǎo)流網(wǎng)的局部區(qū)域上鋪設(shè)隔層，隔層包括氣泡分散層和隔熱層，氣泡分散層和隔...
  • 本發(fā)明提供一種氮化硅流延漿料及其制備方法、氮化硅陶瓷片、覆銅陶瓷基板，所述氮化硅流延漿料，按質(zhì)量份數(shù)計(jì)，其原料包括：氮化硅粉體：40份～50份；燒結(jié)助劑：1份～5份；粘結(jié)劑：5份～15份；溶劑：30份～40份；有機(jī)硅潤濕分散劑：0.1份～0...
  • 本發(fā)明公開了一種基于擾動(dòng)觀測器的自適應(yīng)規(guī)定性能PMSM系統(tǒng)控制方法，在不依賴初始輸出誤差的情況下,通過設(shè)計(jì)有效的漏斗狀性能函數(shù)來解決系統(tǒng)受到的非對稱規(guī)定性能約束，這種設(shè)計(jì)確保了非對稱漏斗約束的瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)性能，并克服了普通漏斗控制和PPC中初...
  • 本申請實(shí)施例公開了一種圖像展示方法，方法包括：在閱讀界面上加載包括文字內(nèi)容的圖像，文字內(nèi)容以非單一方向的方式排列，以及確定文字內(nèi)容的引導(dǎo)配置信息，引導(dǎo)配置信息包括所述文字內(nèi)容所包含文字的閱讀順序；依據(jù)引導(dǎo)配置信息，在圖像上展示文字內(nèi)容的引導(dǎo)...
  • 本公開涉及半導(dǎo)體存儲器件。示例半導(dǎo)體存儲器件包括：單元區(qū)域；以及外圍電路區(qū)域，與單元區(qū)域電連接。單元區(qū)域包括：多個(gè)柵電極，彼此間隔開，并且在豎直方向上堆疊；以及溝道結(jié)構(gòu)，沿豎直方向延伸穿過多個(gè)柵電極。外圍電路區(qū)域包括：襯底；第一元件隔離結(jié)構(gòu)...
  • 實(shí)施方式提供了發(fā)光裝置、包括發(fā)光裝置的電子設(shè)備和包括發(fā)光裝置的電子器材。發(fā)光裝置包括第一電極、面向第一電極的第二電極以及在第一電極和第二電極之間并且包括發(fā)射層的夾層，發(fā)射層包括第一化合物、第二化合物、含過渡金屬化合物和含硼化合物。第一化合物...
  • 本發(fā)明涉及全固體電池。所述全固體電池利用金屬鋰的析出溶解反應(yīng)作為負(fù)極反應(yīng)，在厚度方向上依次具有負(fù)極集電體、第一固體電解質(zhì)層、第二固體電解質(zhì)層和正極活性物質(zhì)層，所述第一固體電解質(zhì)層含有：含有第一固體電解質(zhì)的固體電解質(zhì)相；和含有Sn、Mg和Ag...
  • 提供了一種集成電路器件及其制造方法。該集成電路器件包括：襯底，具有多個(gè)有源區(qū)；位線，在襯底上在平行于襯底的上表面的水平方向上延伸；直接接觸，電連接到所述多個(gè)有源區(qū)的第一有源區(qū)并且電連接到位線；接觸插塞，電連接到所述多個(gè)有源區(qū)的與第一有源區(qū)相...
  • 本申請涉及一種二次電池、正極活性材料和用電裝置。該二次電池包括正極極片，正極極片包括正極活性材料，正極活性材料包括二次顆粒，二次顆粒為包括多個(gè)一次顆粒的團(tuán)聚態(tài)顆粒；一次顆粒包括正極活性物質(zhì)；在任一個(gè)二次顆粒中，將二次顆粒中心朝向表面的方向記...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N隔膜及其制備方法和應(yīng)用，所述隔膜包括基膜和設(shè)置在所述基膜至少一側(cè)表面的涂覆層，所述涂覆層包括NASICON型鋰離子固態(tài)電解質(zhì)，所述NASICON型鋰離子固態(tài)電解質(zhì)的化學(xué)式為LiM2(PO4
  • 本發(fā)明公開了一種壓縮機(jī)及其控制方法、裝置、控制器、空調(diào)器及介質(zhì)，涉及空調(diào)器技術(shù)領(lǐng)域。其中，方法包括：在空調(diào)器以制冷模式運(yùn)行的情況下，確定空調(diào)器滿足預(yù)設(shè)頻率調(diào)節(jié)條件，根據(jù)壓縮機(jī)的排氣溫度確定壓縮機(jī)的運(yùn)行頻率。本發(fā)明的控制方法，在壓縮機(jī)的排氣溫...
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