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  • 本公開涉及用于電氣開關組件的聯(lián)動設備以及包括聯(lián)動設備的電氣開關組件。一種適于控制兩個電氣開關的聯(lián)動設備，包括主控制軸構件(4)、致動系統(tǒng)，致動系統(tǒng)包括用于致動第一電氣開關(100)的控制軸(104)的第一致動構件(61)和用于致動第二電氣開...
  • 本申請實施例公開了一種應用程序測試方法、裝置、電子設備及存儲介質，該方法包括：獲取隨機測試模式的第一測試時長；根據(jù)待測應用程序的圖譜，通過隨機測試模式隨機執(zhí)行待測應用程序頁面中的控件所對應的片段，并記錄已執(zhí)行的第一片段和第一頁面，獲得第一片...
  • 描述了近實時搜索平臺中的動態(tài)分片分配。一種計算系統(tǒng)可以包括集群，該集群包括多個節(jié)點，該多個節(jié)點中的每個節(jié)點包括存儲可搜索數(shù)據(jù)的多個分片。實時地評估集群的查詢負載分布。基于查詢負載分布來識別第一節(jié)點的第一分片和第二節(jié)點的第二分片。命令第一節(jié)點...
  • 本發(fā)明提供一種泵裝置，其能夠以低成本構成并且可不受輸送流體的特性以及管道條件的影響地簡便地推斷出流量以及泵裝置的運轉狀態(tài)。該泵裝置，具備：形成有輸送流體的吸入口和排出口的泵頭，附設于泵頭、且形成將吸入口和排出口連通的泵室的隔膜；以及泵本體，...
  • 本發(fā)明屬于動物模型技術領域，尤其涉及一種HPV定點整合子宮頸上皮內瘤變動物模型的構建方法及其應用。上述HPV定點整合子宮頸上皮內瘤變動物模型的制備方法中在C57BL/6J小鼠的Klf5基因位點上通過CRISPR/Cas介導的基因組工程創(chuàng)建H...
  • 本發(fā)明提供了一種聚兩性離子水凝膠及其制備方法和應用，涉及水凝膠技術領域。本發(fā)明利用銀離子和過硫酸根離子在引發(fā)劑存在下，發(fā)生氧化還原反應產生自由基，自由基能夠與兩性離子單體反應形成活性中心，在交聯(lián)劑存在下，活性中心與兩性離子單體發(fā)生自發(fā)聚合反...
  • 本公開提供了“易受傷害的道路用戶識別系統(tǒng)”。一種車輛包括：人機界面(HMI)；光傳感器，所述光傳感器被配置為接收從照明裝置發(fā)射的光脈沖，其中所述光脈沖包括調制格式的原始消息；和一個或多個控制器，所述一個或多個控制器被編程為解調所述光脈沖以獲...
  • 本發(fā)明提供一種能夠適當?shù)剡M行作業(yè)裝置的驅動和行駛輔助的田地作業(yè)機。舉例所示的田地作業(yè)機具備：行駛機體，其具有行駛裝置；作業(yè)裝置，其支承于所述行駛機體；原動機，其向所述行駛裝置供給驅動力；第一旋轉電機，其以能夠傳遞動力的方式與所述原動機的輸出...
  • 本發(fā)明提供一種能夠抑制因門支承裝置而導致車輛的寬度方向上的空間變窄的門支承裝置。門支承裝置(40)具備設置于車身的撞針單元(70)、從滑動門(30)向寬度方向上的內側延伸的門托架(110)、以及支承于門托架(110)的鎖定機構(120)。撞...
  • 披露了一種在用于冷卻的冷卻設備(2)中使用的冷卻帶(1)。本發(fā)明涉及一種在用于對制品(3)進行冷卻、尤其是水冷的冷卻設備(2)中使用的冷卻帶(1)，該冷卻帶具有沿運動方向(A)布置的多個傳送段單元(12，13)，其中，傳送段單元(12，13...
  • 公開了一種控制超聲成像裝置的方法、超聲成像裝置和計算機可讀記錄介質。所述方法可包括：獲得對象的體數(shù)據(jù)，從所述體數(shù)據(jù)獲得與第一軸交叉的參考截面圖像，從所述體數(shù)據(jù)獲得與不同于所述第一軸的第二軸交叉的候選標準截面圖像，在第一圖形用戶界面（GUI）...
  • 提供了制造顯示設備的方法。該方法包括：在襯底上設置第一無機層；在第一無機層上設置反射器；在反射器上設置第二無機層；以及在第二無機層上設置有機發(fā)光二極管，其中，設置反射器包括：在第一無機層中形成槽部分；在第一無機層上設置反射層以覆蓋第一無機層...
  • 本公開涉及顯示裝置和制造顯示裝置的方法。所述顯示裝置包括：顯示元件層，設置在基底上并且包括發(fā)光元件；以及封裝構件，設置在所述顯示元件層上并且包括第一無機封裝層、設置在所述第一無機封裝層上的有機封裝層、以及第二無機封裝層，所述第二無機封裝層包...
  • 本發(fā)明涉及顯示裝置及顯示裝置的制造方法。提供高精細的顯示裝置。顯示裝置具有:包含多晶結構的氧化物半導體層；設置在氧化物半導體層之上的柵極絕緣層；在柵極絕緣層之上與氧化物半導體層對置的柵電極；與柵電極相接地設置的第1氮化硅層；與第1氮化硅層相...
  • 本發(fā)明提供具有高可靠性的半導體裝置。半導體裝置包括：第一柵電極；第一柵電極之上的包含具有多晶結構的第一氧化物半導體的氧化物半導體層；與氧化物半導體層電連接的源電極及漏電極；和源電極及漏電極之上的與第一柵電極及氧化物半導體層重疊的第二柵電極，...
  • 本發(fā)明涉及半導體裝置及其制造方法。本發(fā)明提供抑制像素的開口率的降低的半導體裝置。半導體裝置包括：第一柵電極；第一柵電極之上的包含具有多晶結構的第一氧化物半導體的氧化物半導體層；與氧化物半導體層電連接的源電極及漏電極；和源電極及漏電極之上的與...
  • 本發(fā)明涉及半導體裝置。提供抑制光劣化的半導體裝置。半導體裝置包含：遮光層；具有第1界面且與遮光層相接的第1硅氮化物絕緣層；具有第2界面且與第1硅氮化物絕緣層相接的第1硅氧化物絕緣層；第1硅氧化物絕緣層上的氧化物半導體層；氧化物半導體層上的第...
  • 在根據(jù)實施例的集成電路器件及其制造方法中，在包括用于具有基于縮小尺寸而減小的面積的器件區(qū)域的背面配電網(wǎng)絡在內的結構中，接觸融合橋形成在源極/漏極接觸件上，并且因此，可以降低制造工藝的難度并且可以增強電特性。
  • 一種非易失性存儲器件包括：外圍電路結構，包括外圍電路和外圍電路上的下絕緣結構；單元陣列結構，具有單元區(qū)域和外圍連接區(qū)域并包括：與下絕緣結構接觸的上絕緣結構；單元堆疊，在上絕緣結構上在單元區(qū)域中；公共源極線層，在單元堆疊上并具有公共源極開口；...
  • 本公開提供一種印刷電路板。所述印刷電路板包括：基板；第一貫通部和第二貫通部，穿透所述基板的上表面與下表面之間的區(qū)域；磁性層，設置在所述第一貫通部中；電壓調節(jié)器，設置在所述第二貫通部中；第一通孔，穿透所述磁性層的上表面與下表面之間的區(qū)域；第一...
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