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  • 本申請公開了一種銅襯修復裝置，屬于管道焊接技術領域。所述裝置包括：底座、動力件、轉動件、夾緊機構、刀具調節機構和銑削機構；所述轉動件可轉動地設置在所述底座上，所述刀具調節機構固定在所述底座上，所述動力件設置在所述底座的一側；所述夾緊機構固定...
  • 本發明涉及一種基于約束聚焦的定向灰盒模糊測試方法，屬于網絡安全技術領域。本發明能夠減少數據流分析所需跟蹤的信息，通過約束過濾和聚焦減少數據流信息。在定向灰盒模糊測試中通過約束過濾和聚焦降低了數據流分析的開銷，簡化了數據流跟蹤過程，并避免了人...
  • 本公開提供了一種數據查詢方法、裝置、電子設備及存儲介質。其中，該方法包括：獲取問題語句；根據預先建立的生成式模型對問題語句中的圖譜信息進行識別，并將識別的圖譜信息按照預設格式進行組合，得到結構化文本表示的圖譜信息；圖譜信息至少包括實體信息和...
  • 本發明實施例提供一種有害語料挖掘方法，該方法包括：S1、獲取第一有害語料種子樣本以及語料數據集；S2、基于第一有害語料種子樣本在語料數據集中進行文本相似度檢索，得到潛在有害語料樣本集；S3、通過預設的語義特征分類模型對潛在有害語料樣本集中各...
  • 本申請公開了一種基于生成式預訓練GPT模型的標注優化方法及裝置，涉及人工智能技術領域，其中，該方法包括：使用標注好的第一文本數據訓練具有N個預設類別的初始分類模型(GPT模型)得到中間分類模型；將待標注的第二文本數據輸入中間分類模型得到中間...
  • 本發明提供了一種半導體器件終端結構的刻蝕方法，先在SiC晶圓表面沉積兩層厚度不同、致密度不同的氧化硅掩膜，然后再通過調整刻蝕工藝參數刻蝕SiC晶圓，主要是向反應腔室內通入SF6、O2作為刻蝕氣體同...
  • 本發明提供一種分離柵半導體器件的制作方法，包括以下步驟：提供一具有背封層的晶圓，背封層包括依次疊加的內層多晶硅層、中層氧化層與外層多晶硅層；從晶圓正面形成溝槽；形成犧牲氧化層于溝槽內壁，并采用濕法蝕刻去除犧牲氧化層；形成溝槽柵結構于溝槽中，...
  • 本發明公開了一種半導體結構及其制備方法，半導體結構包括：襯底；位于襯底上的溝道結構，溝道結構包括依次形成于襯底上的溝道層和勢壘層，溝道結構包括柵極區域，以及位于柵極區域兩側的源極區域與漏極區域；位于源極區域和漏極區域內的第一凹槽，第一凹槽至...
  • 本申請提供一種集成電路及其制備方法、電子設備，涉及電子技術領域，可解決集成電路中電子元件實現歐姆接觸的金屬硅化物的電阻阻值隨尺寸減小而增大的問題。該集成電路包括：基底、電子元件、連接部、二氧化硅層；電子元件設于基底上，并包括接觸部，接觸部的...
  • 一種MOSFET芯片、晶體管、電源和電子設備，該MOSFET芯片包括柵極焊盤、至少兩條柵極總線和至少兩個原胞區域，至少兩個原胞區域中的每個原胞區域包括至少一個原胞單元。至少兩條柵極總線中的每條柵極總線與至少兩個原胞區域中不同的原胞區域連接，...
  • 本發明實施例提供了一種IBC電池及其制備方法，其中，本發明實施例通過在原硅區域形成含硼硅涂層并進行激光摻雜處理，即可以對該原硅區域進行高濃度硼摻雜而形成p型摻雜區，避免了采用傳統管式硼源的摻雜方式帶來的副作用，提升了電池的轉換效率。
  • 本申請涉及一種外延片及其制作方法、發光芯片，外延片包括襯底；設于所述襯底上的成核層；以及設于所述成核層上的三維過渡層，所述三維過渡層包括至少一個三維過渡子層，所述三維過渡子層包括依次周期性層疊的第一晶向結晶層、第一切換層、第一保持層；所述第...
  • 本申請公開了一種顯示芯片的制作方法、顯示芯片及基底結構，屬于半導體技術領域。所述方法包括：形成基底結構；所述基底結構包括襯底，以及位于所述襯底一側的二維材料層；在所述二維材料層背離所述襯底的一側形成像素單元，所述像素單元包括依次設置在所述二...
  • 本申請公開了一種顯示芯片及制作方法，屬于半導體技術領域。所述顯示芯片包括：像素單元，所述像素單元包括依次設置的第一半導體層、量子阱發光層和第二半導體層；所述第一半導體層和所述第二半導體層中的一者為n型半導體層，另一者為p型半導體層；其中，在...
  • 本申請涉及一種發光模組的制作方法、發光模組和顯示裝置。發光模組的制作方法包括提供電路基板和發光器件，發光器件包括發光芯片以及將發光芯片封裝的封裝層；將發光器件設于電路基板上；軟化封裝層，以使封裝層流至電路基板上；以及固化封裝層以將電路基板和...
  • 本發明實施例涉及一種基于上下文的問答處理方法和裝置，所述方法包括：接收上下文文本、問題文本和答案優選數量作為對應的第一上下文、第一問題和第一優選數量；將第一上下文和第一問題輸入問答模型，由問答模型根據第一上下文對第一問題的答案進行預測得到對...
  • 本發明實施例涉及一種檢索增強生成模型的處理方法和裝置，所述方法包括：檢索增強生成模型接收用戶輸入的第一文本；基于預設的文本切割規則對第一文本進行切割得到對應的第一文本片段序列X{xi}；根據各個第一文本片段x...
  • 本公開的實施例公開了信息發送方法、裝置、設備、計算機可讀介質和程序產品。該方法的一具體實施方式包括：獲取針對目標預約對象的預約結果；響應于確定該預約結果表征與該目標預約對象已互相溝通，獲取針對該目標預約對象的溝通數據；對該溝通數據進行數據指...
  • 本發明公開了一種肖特基二極管以及制備方法，該肖特基二極管包括：襯底；異質結構，異質結構包括整面異質結和多個條形異質結，整面異質結位于襯底上，多個條形異質結位于整面異質結遠離襯底的表面，且相鄰兩個條形異質結間隔排布；陽極位于整面異質結遠離襯底...
  • 提供一種電子裝置。電子裝置包括基板、第一絕緣層、半導體氧化物層、第二絕緣層與門極電極。第一絕緣層設置于基板上。半導體氧化物層設置于第一絕緣層上，且具有第一部分以及相鄰第一部分的第二部分。第二絕緣層設置于半導體氧化物層上。柵極電極設置于基板上...
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