恭喜株式會社半導體能源研究所山崎舜平獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜株式會社半導體能源研究所申請的專利半導體裝置及半導體裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112368846B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980044262.9，技術領域涉及：H10D30/67；該發明授權半導體裝置及半導體裝置的制造方法是由山崎舜平;松崎隆德;德丸亮;方堂涼太設計研發完成，并于2019-06-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置及半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：提供一種能夠實現微型化或高集成化的半導體裝置。本發明的半導體裝置包括晶體管、電容器、電極及層間膜，晶體管包括半導體層、柵極、源極及漏極，晶體管及電容器以埋入層間膜中的方式配置，源極和漏極中的一個在半導體層的下方與電極接觸，源極和漏極中的另一個在半導體層的上方與電容器的一個電極接觸。
本發明授權半導體裝置及半導體裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，包括： 晶體管、電容器、電極及層間膜， 其中，所述晶體管包括半導體層、柵極、源極及漏極， 所述晶體管及所述電容器以埋入所述層間膜中的方式配置， 所述源極和所述漏極中的一個在所述半導體層的下方與所述電極接觸， 所述源極和所述漏極中的另一個在所述半導體層的上方與所述電容器的一個電極接觸， 其中，所述層間膜中設置有到達所述源極和所述漏極中的另一個的開口， 并且，所述電容器的一個電極沿著所述開口的側面及底面配置。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社半導體能源研究所，其通訊地址為：日本神奈川縣厚木市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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