上海新微技術研發中心有限公司吳炫燁獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海新微技術研發中心有限公司申請的專利一種多層MEMS結構及其制作方法與應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114249294B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011002265.7，技術領域涉及：B81B7/02；該發明授權一種多層MEMS結構及其制作方法與應用是由吳炫燁;關一民設計研發完成，并于2020-09-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種多層MEMS結構及其制作方法與應用在說明書摘要公布了：本發明提供一種多層MEMS結構及其制作方法與應用，該制作方法包括以下步驟：第一次覆膜及圖形化步驟：在襯底上覆蓋第一光敏干膜，圖形化所述第一光敏干膜，得到第一空腔于所述第一光敏干膜中；第二次覆膜及圖形化步驟：在所述第一光敏光膜上覆蓋第二光敏干膜，圖形化所述第二光敏干膜，得到第二空腔于所述第二光敏干膜中。其中，若所需層數多于兩層，可根據所需層數繼續執行覆膜及圖形化步驟至少一次。本發明使用至少兩層光敏干膜實現多層MEMS結構的制造，各層結構更為平整，曝光更加均勻，可以減小結構誤差，從而提高多層MEMS結構制造的良率。該多層MEMS結構及其制作方法可應用于多種微結構，包括但不限于納米孔測序芯片。
本發明授權一種多層MEMS結構及其制作方法與應用在權利要求書中公布了：1.一種多層MEMS結構在納米孔測序芯片中的應用，其特征在于：所述多層MEMS結構采用如下所述的多層MEMS結構的制作方法制作得到；所述納米孔測序芯片包括樣品腔、磷脂層及蛋白納米孔； 所述多層MEMS結構的制作方法包括以下步驟： 第一次覆膜及圖形化步驟：在襯底上覆蓋第一光敏干膜，圖形化所述第一光敏干膜，得到第一空腔于所述第一光敏干膜中； 第二次覆膜及圖形化步驟： 在所述第一光敏干膜上覆蓋第二光敏干膜，圖形化所述第二光敏干膜，得到第二空腔于所述第二光敏干膜中； 所述第二空腔與所述第一空腔連通； 所述第二空腔的開口面積大于或小于所述第一空腔的開口面積； 所述襯底表面設有電極層，所述第一空腔暴露出所述電極層； 所述第一空腔及所述第二空腔作為所述樣品腔的組成部分，所述磷脂層固定于所述樣品腔的內壁，并懸設于所述樣品腔中，所述蛋白納米孔與所述磷脂層連接，并在垂直方向上貫穿所述磷脂層。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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