華南理工大學胡曉龍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華南理工大學申請的專利一種高效SPP耦合器及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112213807B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011152643.X，技術領域涉及：G02B5/00；該發明授權一種高效SPP耦合器及其制作方法是由胡曉龍;梁旭;陳冠華設計研發完成，并于2020-10-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種高效SPP耦合器及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明為一種高效SPP高效耦合器及其制備方法，其耦合器包括襯底、金屬薄膜層、介質薄膜層、介質光柵層、非對稱金屬光柵結構；金屬薄膜層與襯底連接，介質薄膜層分別與金屬薄膜層、介質光柵層、非對稱金屬光柵結構連接。本發明可實現介質薄膜層將非對稱金屬光柵結構產生的單向傳輸SPP耦合至金屬薄膜層，起到防止SPP淬滅，提高SPP耦合效率的作用。
本發明授權一種高效SPP耦合器及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種高效SPP耦合器，其特征在于，包括襯底、金屬薄膜層、介質薄膜層、介質光柵層、非對稱金屬光柵結構；金屬薄膜層與襯底連接，介質薄膜層分別與金屬薄膜層、介質光柵層、非對稱金屬光柵結構連接； 金屬薄膜層將襯底和介質薄膜層隔開，介質薄膜層將金屬薄膜層和介質光柵層分隔開，介質薄膜層將金屬薄膜層和非對稱金屬光柵結構隔開； 介質薄膜層折射率在1.4-2.5，介質光柵層中介質的折射率在1.4-1.7，光柵周期為300-800nm； 介質薄膜層厚度為5-50nm，則金屬薄膜層厚度為10-100nm；或者，介質薄膜層厚度為300-800nm，則金屬薄膜層厚度為100-200nm； 所述介質薄膜層為SiO2介質薄膜層或SiNx介質薄膜層； 所述非對稱金屬光柵結構為“倒L”形狀或“Z”字型，非對稱金屬光柵結構覆蓋介質光柵層。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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