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龍圖騰網(wǎng)獲悉東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社申請(qǐng)的專利等離子體處理裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112863986B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011222029.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01J37/32；該發(fā)明授權(quán)等離子體處理裝置是由淺原玄德設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-11-05向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本等離子體處理裝置在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及等離子體處理裝置。提供能夠縮短在更換消耗構(gòu)件時(shí)直到工藝穩(wěn)定化為止的時(shí)間的等離子體處理裝置。等離子體處理裝置具備：載置臺(tái)，其用于載置基板；腔室，其收納所述載置臺(tái)；氣體供給部，其向所述腔室內(nèi)供給處理氣體；等離子體生成部，其在所述腔室內(nèi)生成等離子體；消耗構(gòu)件，其配置在生成所述等離子體的空間，被所述等離子體消耗；以及控制部，所述消耗構(gòu)件具有：基部構(gòu)件，其由包含氧元素的材料形成；以及蓋構(gòu)件，其由不包含氧元素的材料形成，所述基部構(gòu)件的暴露于生成所述等離子體的空間的表面的至少一部分被所述蓋構(gòu)件覆蓋。

本發(fā)明授權(quán)等離子體處理裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種等離子體處理裝置，其中， 該等離子體處理裝置具備： 載置臺(tái)，其用于載置基板； 腔室，其收納所述載置臺(tái)； 氣體供給部，其向所述腔室內(nèi)供給處理氣體； 等離子體生成部，其在所述腔室內(nèi)生成等離子體； 消耗構(gòu)件，其配置在生成所述等離子體的空間，被所述等離子體消耗；以及 控制部， 所述消耗構(gòu)件具有： 基部構(gòu)件，其由包含氧元素的材料形成；以及 蓋構(gòu)件，其由不包含氧元素的材料形成， 所述基部構(gòu)件的暴露于生成所述等離子體的空間的表面的至少一部分被所述蓋構(gòu)件覆蓋， 所述消耗構(gòu)件具有： 第1區(qū)域，其是在對(duì)所述基板實(shí)施等離子體處理時(shí)的反應(yīng)副產(chǎn)物的蝕刻速率比所述反應(yīng)副產(chǎn)物的沉積速率高的區(qū)域；以及 第2區(qū)域，其是所述反應(yīng)副產(chǎn)物的蝕刻速率比所述反應(yīng)副產(chǎn)物的沉積速率低的區(qū)域， 在所述第1區(qū)域，所述基部構(gòu)件的至少一部分暴露。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。