三星電子株式會社李潤姓獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利鐵電薄膜結構以及包括該鐵電薄膜結構的電子器件獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113345795B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202011319958.9，技術領域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權鐵電薄膜結構以及包括該鐵電薄膜結構的電子器件是由李潤姓;許鎮(zhèn)盛;金尚昱;文泰歡;趙常玹設計研發(fā)完成，并于2020-11-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本鐵電薄膜結構以及包括該鐵電薄膜結構的電子器件在說明書摘要公布了：提供一種鐵電薄膜結構以及包括該鐵電薄膜結構的電子器件，該鐵電薄膜結構包括半導體基板、在半導體基板上的第一鐵電層和在半導體基板上的第二鐵電層。第二鐵電層與第一鐵電層間隔開并具有與第一鐵電層不同的介電常數。第一鐵電層和第二鐵電層可以在其中包含的摻雜劑的量方面彼此不同，并可以在應用于晶體管時表現(xiàn)出不同的閾值電壓。
本發(fā)明授權鐵電薄膜結構以及包括該鐵電薄膜結構的電子器件在權利要求書中公布了：1.一種鐵電薄膜結構，包括： 半導體基板； 在所述半導體基板上的第一鐵電層；和 在所述半導體基板上的第二鐵電層，所述第二鐵電層與所述第一鐵電層間隔開，所述第二鐵電層的介電常數不同于所述第一鐵電層的介電常數，其中 所述第一鐵電層包括HfxZr1-xO，其中0x1，以及 所述第二鐵電層包括摻有摻雜劑的HfxZr1-xO，其中0＜x＜1。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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