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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會社申請的專利半導(dǎo)體器件和具有其的半導(dǎo)體封裝件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113013117B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011348008.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/367；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件和具有其的半導(dǎo)體封裝件是由李銑浩;金鎮(zhèn)洙;明俊佑;樸庸鎮(zhèn);李在杰設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-11-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體器件和具有其的半導(dǎo)體封裝件在說明書摘要公布了：提供了一種半導(dǎo)體器件和具有其的半導(dǎo)體封裝件。所述半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；第一散熱構(gòu)件，所述第一散熱構(gòu)件位于所述半導(dǎo)體芯片的所述第二表面上，所述第一散熱構(gòu)件具有在垂直于所述第二表面的方向上的第一垂直熱導(dǎo)率和在平行于所述第二表面的方向上的第一水平熱導(dǎo)率，所述第一垂直熱導(dǎo)率小于所述第一水平熱導(dǎo)率；以及第二散熱構(gòu)件，所述第二散熱構(gòu)件包括穿過所述第一散熱構(gòu)件的垂直圖案，所述第二散熱構(gòu)件具有大于所述第一散熱構(gòu)件的所述第一垂直熱導(dǎo)率的第二垂直熱導(dǎo)率。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件和具有其的半導(dǎo)體封裝件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括： 半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；以及 復(fù)合散熱層，所述復(fù)合散熱層包括： 第一散熱構(gòu)件，所述第一散熱構(gòu)件位于所述半導(dǎo)體芯片的所述第二表面上以直接接觸所述半導(dǎo)體芯片的所述第二表面，所述第一散熱構(gòu)件在垂直于所述第二表面的方向上具有第一垂直熱導(dǎo)率并且在平行于所述第二表面的方向上具有第一水平熱導(dǎo)率，所述第一垂直熱導(dǎo)率小于所述第一水平熱導(dǎo)率；以及 第二散熱構(gòu)件，所述第二散熱構(gòu)件覆蓋所述第一散熱構(gòu)件的側(cè)表面和上表面，并且包括沿著所述半導(dǎo)體芯片的所述第二表面的邊緣區(qū)域設(shè)置并且圍繞所述第一散熱構(gòu)件的垂直圖案和設(shè)置在所述第一散熱構(gòu)件上并且連接到所述垂直圖案的散熱層，所述垂直圖案穿過所述第一散熱構(gòu)件以直接接觸所述半導(dǎo)體芯片的所述第二表面，所述第二散熱構(gòu)件具有大于所述第一散熱構(gòu)件的所述第一垂直熱導(dǎo)率的第二垂直熱導(dǎo)率， 其中，所述復(fù)合散熱層的側(cè)表面與所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面基本上共面。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。