三星電子株式會社李銑浩獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會社申請的專利半導(dǎo)體器件和具有其的半導(dǎo)體封裝件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN113013117B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202011348008.9,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L23/367;該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件和具有其的半導(dǎo)體封裝件是由李銑浩;金鎮(zhèn)洙;明俊佑;樸庸鎮(zhèn);李在杰設(shè)計研發(fā)完成,并于2020-11-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本半導(dǎo)體器件和具有其的半導(dǎo)體封裝件在說明書摘要公布了:提供了一種半導(dǎo)體器件和具有其的半導(dǎo)體封裝件。所述半導(dǎo)體器件包括:半導(dǎo)體芯片,所述半導(dǎo)體芯片具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面;第一散熱構(gòu)件,所述第一散熱構(gòu)件位于所述半導(dǎo)體芯片的所述第二表面上,所述第一散熱構(gòu)件具有在垂直于所述第二表面的方向上的第一垂直熱導(dǎo)率和在平行于所述第二表面的方向上的第一水平熱導(dǎo)率,所述第一垂直熱導(dǎo)率小于所述第一水平熱導(dǎo)率;以及第二散熱構(gòu)件,所述第二散熱構(gòu)件包括穿過所述第一散熱構(gòu)件的垂直圖案,所述第二散熱構(gòu)件具有大于所述第一散熱構(gòu)件的所述第一垂直熱導(dǎo)率的第二垂直熱導(dǎo)率。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件和具有其的半導(dǎo)體封裝件在權(quán)利要求書中公布了:1.一種半導(dǎo)體器件,所述半導(dǎo)體器件包括: 半導(dǎo)體芯片,所述半導(dǎo)體芯片具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面;以及 復(fù)合散熱層,所述復(fù)合散熱層包括: 第一散熱構(gòu)件,所述第一散熱構(gòu)件位于所述半導(dǎo)體芯片的所述第二表面上以直接接觸所述半導(dǎo)體芯片的所述第二表面,所述第一散熱構(gòu)件在垂直于所述第二表面的方向上具有第一垂直熱導(dǎo)率并且在平行于所述第二表面的方向上具有第一水平熱導(dǎo)率,所述第一垂直熱導(dǎo)率小于所述第一水平熱導(dǎo)率;以及 第二散熱構(gòu)件,所述第二散熱構(gòu)件覆蓋所述第一散熱構(gòu)件的側(cè)表面和上表面,并且包括沿著所述半導(dǎo)體芯片的所述第二表面的邊緣區(qū)域設(shè)置并且圍繞所述第一散熱構(gòu)件的垂直圖案和設(shè)置在所述第一散熱構(gòu)件上并且連接到所述垂直圖案的散熱層,所述垂直圖案穿過所述第一散熱構(gòu)件以直接接觸所述半導(dǎo)體芯片的所述第二表面,所述第二散熱構(gòu)件具有大于所述第一散熱構(gòu)件的所述第一垂直熱導(dǎo)率的第二垂直熱導(dǎo)率, 其中,所述復(fù)合散熱層的側(cè)表面與所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面基本上共面。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人三星電子株式會社,其通訊地址為:韓國京畿道;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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