華邦電子股份有限公司林昶鴻獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉華邦電子股份有限公司申請的專利半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114582867B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011391173.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B12/00；該發(fā)明授權(quán)半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由林昶鴻設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-12-02向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，該半導體結(jié)構(gòu)包含半導體基底以及埋置于半導體基底中的柵極結(jié)構(gòu)。柵極結(jié)構(gòu)包含柵極電極層、設(shè)置于柵極電極層之上的阻障層、以及設(shè)置于阻障層之上的半導體層。此半導體結(jié)構(gòu)還包含位于半導體基底中且暴露出柵極結(jié)構(gòu)的阻障層和半導體層的氣隙。
本發(fā)明授權(quán)半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 一半導體基底；以及 一柵極結(jié)構(gòu)，埋置于該半導體基底中且包括： 一柵極電極層； 一阻障層，設(shè)置于該柵極電極層之上；以及 一半導體層，設(shè)置于該阻障層之上；以及 一柵極襯層，其中該柵極電極層嵌套于該柵極襯層內(nèi)，且該柵極襯層的頂面高于與該柵極電極層的頂面；以及 一氣隙，位于該半導體基底中且暴露出該柵極結(jié)構(gòu)的該阻障層和該半導體層。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人華邦電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣臺中市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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