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龍圖騰網(wǎng)獲悉華邦電子股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114582867B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202011391173.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B12/00；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由林昶鴻設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-12-02向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含半導(dǎo)體基底以及埋置于半導(dǎo)體基底中的柵極結(jié)構(gòu)。柵極結(jié)構(gòu)包含柵極電極層、設(shè)置于柵極電極層之上的阻障層、以及設(shè)置于阻障層之上的半導(dǎo)體層。此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包含位于半導(dǎo)體基底中且暴露出柵極結(jié)構(gòu)的阻障層和半導(dǎo)體層的氣隙。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 一半導(dǎo)體基底；以及 一柵極結(jié)構(gòu)，埋置于該半導(dǎo)體基底中且包括： 一柵極電極層； 一阻障層，設(shè)置于該柵極電極層之上；以及 一半導(dǎo)體層，設(shè)置于該阻障層之上；以及 一柵極襯層，其中該柵極電極層嵌套于該柵極襯層內(nèi)，且該柵極襯層的頂面高于與該柵極電極層的頂面；以及 一氣隙，位于該半導(dǎo)體基底中且暴露出該柵極結(jié)構(gòu)的該阻障層和該半導(dǎo)體層。

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