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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯集成電路(寧波)有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體器件及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114684772B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011636664.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：B81B7/00；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制作方法是由王金麗;向陽輝;劉孟彬設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-12-31向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，其中，半導(dǎo)體器件，包括：襯底，襯底包括功能區(qū)；設(shè)置于襯底上的阻擋層，阻擋層與襯底圍成第一空腔和第二空腔，第一空腔暴露至少部分功能區(qū)，第二空腔位于第一空腔外圍，阻擋層設(shè)有連通第一空腔和第二空腔的釋放通道；阻擋層上開設(shè)有釋放孔，釋放孔位于第二空腔范圍內(nèi)，且釋放孔與第二空腔連通。本發(fā)明通過在第一空腔外圍形成第二空腔，并通過釋放通道連通第一空腔和第二空腔，從而便于通過釋放孔去除形成第二空腔和第一空腔的釋放層材料，從而形成暴露至少部分功能區(qū)的第一空腔，另外，將釋放孔設(shè)置于第二空腔上的阻擋層上，以避免形成的保護(hù)層材料落入第一空腔內(nèi)，進(jìn)而確保第一空腔的潔凈程度。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括功能區(qū)； 設(shè)置于所述襯底上的阻擋層，所述阻擋層與所述襯底圍成第一空腔和第二空腔，所述第一空腔暴露至少部分所述功能區(qū)，所述第二空腔位于所述第一空腔外圍，所述阻擋層設(shè)有連通所述第一空腔和所述第二空腔的釋放通道； 所述阻擋層上開設(shè)有釋放孔，所述釋放孔位于所述第二空腔范圍內(nèi)，且所述釋放孔與所述第二空腔連通； 所述釋放通道圍成封閉的環(huán)形，位于所述第一空腔和所述第二空腔之間的所述阻擋層臨近于所述襯底的表面被暴露于所述釋放通道中；或者，所述釋放通道數(shù)量為至少一個(gè)，位于所述第一空腔和所述第二空腔之間的部分所述阻擋層臨近于所述襯底的表面被暴露于所述釋放通道中； 所述阻擋層上設(shè)有保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋所述釋放孔； 所述保護(hù)層位于所述阻擋層的上表面；或者， 所述保護(hù)層位于所述阻擋層上表面及其外圍側(cè)壁。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中芯集成電路(寧波)有限公司，其通訊地址為：315800 浙江省寧波市北侖區(qū)小港街道安居路335號(hào)3幢、4幢、5幢；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。