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龍圖騰網獲悉蘇州鍇威特半導體股份有限公司申請的專利一種柵極驅動電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112769317B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110083120.2，技術領域涉及：H02M1/08；該發明授權一種柵極驅動電路是由譚在超;涂才根;張勝;羅寅;丁國華設計研發完成，并于2021-01-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種柵極驅動電路在說明書摘要公布了：本發明公開了一種柵極驅動電路，包括左側電路和驅動電路，左側電路包括高壓電源VCC、Q1三極管、Q2三極管、d1二極管、dz1齊納二極管、dz2齊納二極管、dz3齊納二極管、C1電容、I1偏置電流源、I2偏置電流源、N1MOS管、N2MOS管、N3MOS管以及N4MOS管，驅動電路包括INV1驅動器，INV1驅動器連接INV2驅動器，INV2驅動器連接HN1驅動管，HN1驅動管的漏極連接HP3驅動管的源極，HP3驅動管的漏極連接HP1驅動管的源極和HP2驅動管的柵極，HP2驅動管的源極連接HP4驅動管的漏極，HP4驅動管的源極連接HN2驅動管的漏極，HP4驅動管的漏極連接HP1驅動管的柵極，HN1驅動管、HN2驅動管、HP1驅動管、HP2驅動管、HP3驅動管以及HP4驅動管構成電平位移電路，本驅動電路可以保證即使在薄柵氧工藝中，也能夠安全地工作。

本發明授權一種柵極驅動電路在權利要求書中公布了：1.一種柵極驅動電路，其特征在于，所述電路包括左側電路和驅動電路，所述左側電路包括高壓電源VCC、Q1三極管、Q2三極管、d1二極管、dz1齊納二極管、dz2齊納二極管、dz3齊納二極管、C1電容、I1偏置電流源、I2偏置電流源、N1MOS管、N2MOS管、N3MOS管以及N4MOS管，I1偏置電流源連接N1MOS管的漏極，I2偏置電流源連接Q1三極管的基極，N1MOS管的柵極接N2MOS管的柵極，N1MOS管的漏極、柵極與N2MOS管的柵極相連接，d1二極管和dz1齊納二極管接Q1三極管的基極，Q1三極管的發射極連接Q2三極管的基極和N2MOS管的漏極，Q2三極管的發射極連接N3MOS管的漏極并輸出VDDL，VDDL對地有一個齊納管dz2齊納二極管，N4MOS管通過dz3齊納二極管和C1電容接高壓電源VCC，所述驅動電路包括INV1驅動器，所述INV1驅動器連接INV2驅動器，INV2驅動器連接HN1驅動管，所述HN1驅動管的漏極連接HP3驅動管的源極，HP3驅動管的漏極連接HP1驅動管的源極和HP2驅動管的柵極，HP2驅動管的源極連接HP4驅動管的漏極，HP4驅動管的源極連接HN2驅動管的漏極，HP4驅動管的漏極連接HP1驅動管的柵極，HN1驅動管、HN2驅動管、HP1驅動管、HP2驅動管、HP3驅動管以及HP4驅動管構成電平位移電路，輸出連接HP5驅動管的柵極，HP5驅動管的源極連接HP6驅動管的漏極，HP6驅動管的源極連接HN3驅動管的漏極，HN3驅動管、HP6驅動管以及HP5驅動管構成一驅動器，輸出電壓連接HP7驅動管的柵極，HP7驅動管的源極連接HN4驅動管的漏極，所述INV1驅動器連接INV3驅動器，INV3驅動器與HN3驅動管的柵極連接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州鍇威特半導體股份有限公司，其通訊地址為：215600 江蘇省蘇州市張家港市沙洲湖科技創新園A-1幢9層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。