中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司金成昱獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司申請的專利一種用于調節狹縫式曝光帶均勻性的裝置和光刻機獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114815511B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110130278.0，技術領域涉及：G03F7/20；該發明授權一種用于調節狹縫式曝光帶均勻性的裝置和光刻機是由金成昱;梁賢石;林鍾吉;金在植;張成根;丁明正;劉強;賀曉彬;白國斌;劉金彪設計研發完成，并于2021-01-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種用于調節狹縫式曝光帶均勻性的裝置和光刻機在說明書摘要公布了：本發明涉及一種用于調節狹縫式曝光帶均勻性的裝置和光刻機，包括：校正模塊，其位于狹縫式曝光帶測量區域與狹縫式曝光帶的相反側，其中，狹縫式曝光帶測量區域位于狹縫式曝光帶的兩側；在所述校正模塊和所述狹縫式曝光帶測量區域之間，具有狹縫式曝光帶控制區域，濾光板可移動至所述狹縫式曝光帶控制區域中；其中，校正模塊和濾光板在朝向所述曝光狹縫的方向上都是可移動的。通過可移動的校正模塊和濾光板，控制濾光板在狹縫式曝光帶控制區域移動改變光強和焦距，從而改善狹縫均勻性，最小化由于狹縫均勻性改變而產生的問題。通過對狹縫式曝光帶均勻性的調整，能夠精細的調整關鍵尺寸一致，從而提升產品的良率。
本發明授權一種用于調節狹縫式曝光帶均勻性的裝置和光刻機在權利要求書中公布了：1.一種用于調節狹縫式曝光帶均勻性的裝置，其特征在于，包括： 校正模塊，其位于狹縫式曝光帶測量區域與狹縫式曝光帶的相反側，其中，狹縫式曝光帶測量區域位于狹縫式曝光帶的兩側； 在所述校正模塊和所述狹縫式曝光帶測量區域之間，具有狹縫式曝光帶控制區域，濾光板可移動至所述狹縫式曝光帶控制區域中；其中， 校正模塊和濾光板在朝向所述狹縫的方向上都是可移動的； 位于所述狹縫式曝光帶一側的校正模塊是多個，每個所述校正模塊在朝向所述狹縫式曝光帶的方向上的移動可以被單獨控制。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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