恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司游佳達獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN109768086B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811036916.7，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體結構是由游佳達;王圣禎;楊豐誠;陳燕銘;楊世海設計研發完成，并于2018-09-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構在說明書摘要公布了：本發明是半導體結構。鰭狀場效晶體管裝置的外延結構包括基板、具有兩個鰭狀物的鰭狀結構、沿著鰭狀物的側壁形成的內側鰭狀物間隔物與外側鰭狀物間隔物、以及形成于鰭狀物周圍的隔離區。鰭狀場效晶體管裝置亦包含柵極結構形成于鰭狀結構上，以及外延結構形成于源極漏極區中的鰭狀結構上。外延結構的形成方法為合并鰭狀物與至少一外延半導體層，并包括氣隙。氣隙的體積取決于內側鰭狀物間隔物的高度與分隔距離。
本發明授權半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，包括： 一鰭狀結構，具有一第一鰭狀物與一第二鰭狀物形成于一半導體基板上，其中該第一鰭狀物與該第二鰭狀物的一通道區具有高度Hf； 多個內側鰭狀物間隔物，沿著該第一鰭狀物與該第二鰭狀物的內側側壁形成，其中所述內側鰭狀物間隔物具有高度Hi； 多個外側鰭狀物間隔物，沿著該第一鰭狀物與該第二鰭狀物的外側側壁形成，其中所述外側鰭狀物間隔物具有高度Ho，且高度Ho小于高度Hi；以及 一外延結構，形成于該第一鰭狀物與該第二鰭狀物上，其中該外延結構封閉所述內側鰭狀物間隔物所形成的一氣隙，且該氣隙具有至少一寬度P，其中寬度P為所述內側鰭狀物間隔物的相對側壁之間分隔的分隔距離，其中該氣隙包括： 該第一鰭狀物與該第二鰭狀物的所述內側鰭狀物間隔物之間的一第一部分，其中該第一部分具有高度Hi；以及 該第一部分上的一第二部分，其中該第二部分具有高度Ha，且高度Hi與高度Ha的總和為30％至80％的高度Hf。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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