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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利一種半導體封裝體以及制作方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111244059B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-27發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201811445744.9，技術領域涉及：H01L23/498；該發(fā)明授權一種半導體封裝體以及制作方法是由請求不公布姓名設計研發(fā)完成，并于2018-11-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體封裝體以及制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種半導體封裝體以及制作方法。該半導體封裝體包括：重布線層，包括第一面以及與第一面相對的第二面；多個第一連接件，連接于重布線層的第一面；多顆芯片，均設置在第一連接件背離重布線層的一側并且均連接于第一連接件；多個中介件，均連接在重布線層的第二面，相鄰兩個中介件之間形成凹槽，凹槽靠近重布線層的一側面與重布線層的第二面直接接觸；以及多個第二連接件，連接于中介件背離重布線層的一側，其中，芯片通過第一連接件、重布線層、中介件電連接到第二連接件。設置凹槽能有效地避免了半導體封裝體在制作過程中由于中介襯底翹曲而發(fā)生裂片，提升了半導體封裝體的良品率。

本發(fā)明授權一種半導體封裝體以及制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體封裝體，其特征在于，包括： 重布線層，包括第一面以及與所述第一面相對的第二面； 多個第一連接件，連接于所述重布線層的第一面； 多顆芯片，均設置在所述第一連接件背離所述重布線層的一側并且均連接于所述第一連接件； 多個中介件，均連接在所述重布線層的第二面，相鄰兩個所述中介件之間形成凹槽，所述凹槽靠近所述重布線層的一側面與所述重布線層的第二面直接接觸，相鄰兩顆所述芯片相互分開以在相鄰兩顆所述芯片之間形成縫隙，所述縫隙與位于所述重布線層另一側的一條所述凹槽相對齊；以及 多個第二連接件，連接于所述中介件背離所述重布線層的一側， 其中，所述芯片通過所述第一連接件、所述重布線層、所述中介件電連接到所述第二連接件。

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